Freescale MRF8S9100HSR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Freescale/NXP MRF8S9100HSR3.

Общее описание

MRF8S9100HSR3 — это высокоэффективный транзистор LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) для усилителей мощности в диапазоне UHF (ультравысокие частоты), разработанный для профессиональных и коммерческих приложений. Изначально он был представлен компанией Freescale Semiconductor, которая в 2015 году была приобретена компанией NXP Semiconductors. Поэтому сейчас это продукт линейки NXP.

Этот транзистор предназначен для работы в линейных усилителях мощности (PA) базовых станций, системах наземной мобильной связи (Land Mobile Radio, LMR), системах телевизионного вещания и других приложениях, требующих высокой линейности и надежности.

Ключевые особенности:

• Высокая линейность: Критически важна для современных цифровых модуляций (DVB-T, DVB-T2, ATSC, TETRA, P25 и др.), где требуется минимальное искажение сигнала.
• Высокая выходная мощность: Позволяет строить мощные передатчики.
• Широкий диапазон частот: Оптимизирован для UHF-диапазона.
• Технология LDMOS 8-го поколения (Gen8): Обеспечивает высокий КПД, усиление и надежность по сравнению с предыдущими поколениями.
• Внутренняя согласующая цепь: Упрощает проектирование внешней схемы согласования.
• Эмиттерный балласт: Обеспечивает превосходную стабильность по температуре и устойчивость к перегрузкам по КСВ (КСВ до 65:1 при полной мощности).

Технические характеристики

Приведены типовые характеристики при стандартных условиях испытаний (обычно: напряжение стока Vdd = 50 В, частота f = 470-860 МГц, режим класса AB).

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 470 - 860 МГц | Основной рабочий диапазон (UHF) | | Выходная мощность (Pout) | до 1000 Вт (1 кВт) | Пиковая мощность в импульсном режиме. В непрерывном (CW) режиме мощность ниже. | | Коэффициент усиления по мощности (Gps) | ≥ 18 дБ | Типичное значение на частоте ~600 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | > 40% | Типичное значение в рабочей точке | | Линейность (IMD3) | < -35 дБc | Для двухтонального сигнала, характеризует качество | | Рабочее напряжение (Vdd) | 50 В | Стандартное напряжение питания для LDMOS | | Ток покоя (Idq) | ~ 1800 мА | Типичное значение для настройки класса AB | | Тип корпуса | SOT-1190 (Air Cavity) | Мощный керамический корпус с золотым покрытием, требует внешнего теплоотвода | | Полярность | N-канал | Усилительный элемент | | Ключевая технология | LDMOS Gen8 | | | Особенности | Встроенная защита от ESD, внутренняя согласующая цепь, эмиттерный балласт для стабильности. | |

Важно: Полные и точные характеристики, включая графики зависимостей, необходимо смотреть в официальном даташите (Data Sheet).

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Указанный номер — это полный номер детали для заказа. Однако существуют различные варианты в зависимости от упаковки или небольших модификаций в рамках одного семейства.

• Основной номер: MRF8S9100HSR3

  • MRF8S — префикс серии мощных RF LDMOS транзисторов Freescale/NXP.
  • 9100 — обозначение мощности и характеристик (серия ~1 кВт пиковой мощности).
  • H — обозначает "высокую" линейность (High Linearity).
  • S — обозначает "одиночный" транзистор (в отличие от сдвоенных версий).
  • R3 — код ревизии или варианта упаковки (обычно на катушке для автоматического монтажа).

• Альтернативные / Сопутствующие парт-номера в том же семействе:

  • MRF8S9100H — базовая часть номера без суффикса упаковки.
  • MRF8S9100NR3 — возможна версия с другими характеристиками линейности (например, "N" — Normal). Важно проверять даташит!
  • Близкие по мощности и частоте модели из той же линейки Gen8: MRF8S9200H (для более высоких частот), MRF8S9015H (мощность ~150Вт) и т.д.

Совместимые и конкурирующие модели

Прямых "капле-в-кап" аналогов с таким же номером от других производителей нет, но есть функционально аналогичные и конкурирующие устройства для схожих применений.

1. От того же производителя (NXP / Freescale):

• MRF8S9100N — предыдущая или альтернативная версия с другими параметрами линейности.
• MRF8VP8600H — транзистор из более новой линейки Gen10.1 VP (Vertical Package), предлагающий улучшенный КПД и плотность мощности. Является модернизированной заменой и преемником для новых разработок.
• MRF8S9200H — для приложений в верхней части UHF-диапазона и выше (до 1 ГГц).
• BLF888E, BLF878 — мощные LDMOS транзисторы от NXP (наследие от Philips/Ampleon), также используемые в вещании и телекоме.

2. От других производителей (функциональные аналоги/конкуренты):

• Ampleon (выделилась из NXP): Имеет практически идентичное портфолио, так как раньше была частью RF-подразделения NXP. Модели BLF888A, BLF878 и другие серии являются прямыми аналогами/конкурентами.
• STMicroelectronics: Серия STAC4932B (и другие в серии STAC) — мощные RF LDMOS транзисторы для UHF-вещания.
• Integra Technologies (ранее Microsemi): Американский производитель, предлагающий мощные RF транзисторы для военных и коммерческих применений.
• Wolfspeed (Cree): Фирма известна мощными GaN-транзисторами (нитрид галлия), которые в новых разработках вытесняют LDMOS благодаря более высокому КПД и рабочей частоте (например, серия CGHV). Это технология следующего поколения.

Применение:

• Выходные каскады усилителей мощности для цифрового телевизионного вещания (DVB-T/T2, ATSC 3.0).
• Усилители для систем профессиональной мобильной радиосвязи (PMR/LMR: TETRA, P25, DMR).
• Оборудование для СВЧ-нагрева и промышленных генераторов.
• Прочие UHF-радиопередающие системы, требующие высокой линейной мощности.

Рекомендация: При замене или начале нового проекта всегда сверяйтесь с последней версией даташита на официальном сайте NXP и консультируйтесь с техническими специалистами производителя, так как параметры могут уточняться, а линейка продуктов — обновляться.