Freescale MRF8S19140H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для усилителя мощности Freescale/NXP MRF8S19140H.

Общее описание

MRF8S19140H — это высокоэффективный транзистор для усиления мощности на базе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании Freescale (ныне NXP Semiconductors). Он предназначен для использования в выходных каскадах базовых станций сотовой связи стандартов 3G (W-CDMA, HSPA, HSPA+) и 4G (LTE).

Ключевые особенности:

• Частотный диапазон: Оптимизирован для работы в диапазоне 2110 – 2170 МГц, что соответствует полосе UMTS Band 1 (Uplink).
• Высокая линейность: Обеспечивает низкий уровень интермодуляционных искажений (IMD), что критически важно для современных цифровых модуляций с высокой спектральной эффективностью (например, 64-QAM в LTE).
• Высокий КПД: Технология LDMOS обеспечивает хороший коэффициент полезного действия, что снижает энергопотребление и тепловыделение базовой станции.
• Внутренняя согласованность: Устройство частично согласовано по входу и выходу для упрощения проектирования финального каскада усиления.
• Упаковка: Выполнен в высоконадежном керамическом корпусе Air-Cavity, обеспечивающем хороший теплоотвод и низкие паразитные параметры.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые значения при стандартных условиях тестирования (обычно Vd = 28V, Pout = 10W avg. для W-CDMA).

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Частотный диапазон | 2110 – 2170 МГц | Рабочий диапазон | | Выходная мощность (Pout) | 40 Вт (средняя) | Для сигнала W-CDMA | | Коэффициент усиления (Gain) | ~18.5 дБ | При Pout = 10W avg. | | КПД (Drain Efficiency) | ~48% | При Pout = 10W avg. | | Линейность (ACLR) | < -50 дБc | Для W-CDMA, при Pout = 10W avg. | | Напряжение питания (Vd) | 28 В | Стандартное напряжение стока | | Напряжение смещения (Vg) | ~3.6 – 4.0 В | Типичное напряжение затвора | | Ток покоя (Idq) | ~400 мА | Типичное значение | | Класс усиления | Класс AB | Оптимальный баланс линейности и КПД | | Сопротивление канала | 6.5 мОм (тип.) | Rds(on), влияет на КПД | | Устойчивость к КСВН (VSWR) | Высокая | Стабильная работа при рассогласовании нагрузки | | Температура хранения | от -65°C до +150°C | | | Материал корпуса | Керамика (Air-Cavity) | |

Парт-номера и эквиваленты

Устройство может встречаться под разными номерами в зависимости от упаковки (лоток, рулон) и маркировки.

• Основной парт-номер: MRF8S19140HSR3

  • MRF8S19140H — базовая модель.
  • S — обозначение корпуса.
  • R3 — вариант упаковки (обычно на ленте и в катушке – Tape & Reel).

• Альтернативные/сопутствующие номера:

  • MRF8S19140H — часто используется как общее название для устройства.
  • MRF8S19140HS — версия в корпусе.
  • Номер на корпусе (date code): Обычно имеет вид 19140H или похожий.

Совместимые и аналогичные модели

При замене или новом проектировании важно учитывать не только электрические параметры, но и разводку печатной платы (footprint). Прямые аналоги от NXP/Freescale и конкурирующие модели:

1. Прямые аналоги и замены от NXP (той же серии или поколения):

• MRF8S19120H — младшая версия с выходной мощностью ~20 Вт. Часто используется в драйверном каскаде перед MRF8S19140H.
• MRF8S19160H — более мощная версия (~60 Вт) в том же форм-факторе.
• AFT27S190N — транзистор от NXP в корпусе NI-780, электрически близкий, но с другим footprint. Требует переразводки платы.

2. Модели для смежных диапазонов (от NXP):

• MRF8S20140H — аналог для диапазона 2300-2400 МГц (LTE Band 40, WiMAX).
• MRF8S21140H — аналог для диапазона 2600-2690 МГц (LTE Band 7, 38).
• MRF8S18140H — аналог для диапазона 1800-1880 МГц (LTE Band 3).

3. Аналоги от других производителей (требуют проверки по datasheet и footprint):

• Ampleon (ранее RF Power division NXP):
  • BLF8G22LS-140PV — аналог в корпусе Air-Cavity.
  • Серия BLF7G22LS — может предлагать схожие параметры.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F — мощный GaN HEMT транзистор. Имеет более высокий КПД и широкую полосу, но другую технологию (GaN vs LDMOS) и требует иной схемотехники (особенно смещения).
• Macom (NITRONEX):
  • Серия MAGX- на основе GaN.
• Qorvo (TriQuint, RFMD):
  • Модели на основе GaN или LDMOS, например, TGA2214 (GaN).

Важное примечание по замене:

Хотя электрические параметры могут быть схожи, физическая совместимость (pin-to-pin) у MRF8S19140H с аналогами других производителей встречается редко. Перед заменой необходимо:

1. Сверить распиновку (pinout) и механические размеры.
2. Проверить рекомендации по схеме согласования и смещению.
3. Учесть возможные различия в требованиях к цепи смещения затвора и стабильности.

Рекомендуется всегда обращаться к официальному даташиту (Datasheet) NXP на MRF8S19140H для проектирования и поиска актуальной информации о рекомендованных аналогах.