Freescale MRF6S21100N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale (NXP) MRF6S21100N.

Описание

MRF6S21100N — это мощный N-канальный LDMOS транзистор, предназначенный для использования в усилителях мощности в диапазоне частот от 2.0 до 600 МГц. Он был разработан компанией Freescale Semiconductor (которая позже была приобретена компанией NXP Semiconductors) специально для приложений промышленного и телекоммуникационного оборудования.

Ключевые особенности и применение:

• Основное назначение: Усилители мощности в системах промышленного нагрева, индукционного нагрева, плазмы, УЗИ, а также в вещательных передатчиках (FM, VHF-TV) и любительских радиостанциях.
• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) — обеспечивает высокую мощность, широкую полосу пропускания, хорошую линейность и устойчивость к перегрузкам по КСВН (коэффициент стоячей волны напряжения).
• Ключевое преимущество: Способность работать с очень высоким коэффициентом КСВН (до 65:1 на всех фазах), что делает его чрезвычайно надежным в жестких условиях эксплуатации, когда нагрузка может быть неидеальной.
• Корпус: Выполнен в популярном корпусе SOT-1130 (SD-200), что упрощает монтаж и отвод тепла. Корпус предназначен для установки на радиатор.

Этот транзистор является своего рода "отраслевым стандартом" для мощных ВЧ-усилителей в своем частотном диапазоне.

Технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые характеристики при напряжении питания 50 В и температуре 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2.0 - 600 МГц | Рабочий диапазон | | Выходная мощность (Pout) | 100 Вт | 30 МГц, типовое значение | | Коэффициент усиления по мощности (Gps) | 28 дБ | 30 МГц, Pout = 100 Вт | | КПД (Efficiency) | 65 % | 30 МГц, Pout = 100 Вт | | Линейность (IP3) | 58 дБм | Типовое значение | | Напряжение питания (Vd) | 50 В | Номинальное | | Напряжение отсечки (Vdss) | 130 В | Максимальное | | Ток стока (Id) | 2.5 А | Постоянный ток | | Ток покоя (Iq) | 100 мА | Типовое значение | | Устойчивость к КСВН (VSWR) | 65:1 | На всех фазах | Выдающаяся характеристика | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.5 °C/Вт | От перехода к корпусу | | Сопротивление канала (Rds(on)) | 0.3 Ом | Типовое значение | | Емкость входа (Ciss) | 130 пФ | Типовое значение | | Класс усиления | AB | | | Схема включения | Общий исток | Требуется внешняя цепь смещения |

Парт-номера и совместимые модели

Поскольку оригинальный MRF6S21100N от Freescale/NXP является очень популярной моделью, другие производители выпускают прямые или функционально совместимые аналоги.

1. Прямые аналоги (Drop-in Replacement)

Эти транзисторы имеют одинаковый корпус, цоколевку и очень близкие электрические характеристики, что позволяет производить замену без изменения схемы или печатной платы.

• NXP MRF6S21100N — Оригинальная модель от NXP (ранее Freescale). Рекомендуется к использованию, если доступна.
• STMicroelectronics SD2932 — Очень популярный и широко распространенный прямой аналог.
• Ampleon BLF177, BLF178 — Модели от другого ведущего производителя ВЧ-мощных транзисторов (Ampleon был выделен из NXP).
• MACOM MRF6S21100N — MACOM также продает эту модель под своим номером.
• Polyfet RFP100N — Еще один производитель, выпускающий совместимые модели.

2. Функционально совместимые модели (Functional Replacements)

Эти транзисторы имеют схожие характеристики по мощности и частоте, но могут незначительно отличаться по цоколевке, корпусу или требуемому смещению. Перед заменой необходима проверка datasheet и, возможно, подстройка схемы.

• MRF6S21100H — Модель от NXP в корпусе с нижним выводом истока для лучшего ВЧ-заземления.
• BLF245, BLF246 — Модели от Ampleon для схожего диапазона мощностей и частот.
• PTVA101K02EVV2 — Модель от Infineon (также мощный LDMOS).
• Модели от RFHIC и Integra Technologies — Эти компании также производят мощные LDMOS транзисторы для схожих применений.

Важное примечание: При замене всегда сверяйтесь с актуальными даташитами от производителя. Хотя аналоги являются прямыми заменами, могут быть незначительные различия в требуемом напряжении смещения (Vg) или в паразитных параметрах, которые могут повлиять на работу в конкретной высокодобротной схеме.