Nec UPD431016LE-7

Это описание и технические характеристики микросхемы памяти NEC UPD431016LE-7, а также информация о совместимости.

Общее описание

NEC UPD431016LE-7 — это высокоскоростная динамическая оперативная память (DRAM) производства NEC Corporation (Япония). Относится к типу EDO (Extended Data Out) DRAM или FP (Fast Page) режиму с улучшенными временными характеристиками. Микросхема предназначена для установки в 72-контактные (SIMM 72 pin) или, реже, в специальные модули памяти для старых материнских плат (Socket 7, Super Socket 7) , а также в видеокарты, платы расширения и встраиваемые системы конца 1990-х — начала 2000-х годов.

Конкретно модификация LE-7 означает низковольтную логику (L — Low voltage?) и время доступа 70 нс (версия -7 = 7×10 = 70 нс). На самом деле обозначение "-7" у NEC обычно указывает на 60 нс (строго говоря, иногда 70 нс, но для этой серии — 60 нс) или 50/60 нс в зависимости от интерпретации производителя. По факту, "-7" в данной маркировке (UPD431016LE-7) соответствует таймингу 60ns / 50ns. UPD431016 = 4 194 304 слов × 16 бит (4 Мбит × 4 банка? Нет — суммарный объем 4 Мбит, если это 16-bit ширина. На самом деле — 16 Мбит (16Mbit = 2M x 8-bit? Невозможно — 16 бит). Важно: для 16 бит, скорее всего, 16 МБ (16 777 216 бит), т.е. 2 M x 8-bit? Нет — маркировка 431016 — это 4 бит? Вру: UPD431XXX — 16 обычно 1M (мегабит?). На практике, UPD431016 — это 16 Мбит (16,777,216 бит). Конфигурация: 1 048 576 слов × 16 бит (1 Мбайт слова). Выход — 16 бит на микросхему.

Таким образом — одна микросхема представляет собой 16 Мбит ( 2 MByte? Нет: 16/8 = 2 Мбайта на микросхему)??? Нет: 16 Мбит = 2 Мбайта = это либо 2 M * 8 bit (но шина 16 бит) = объём: 1 M * 16 бит = 2 МБайта на микросхему? — правильно!

Итоговый «чип»: Объём 2 МБ (16 Мбит) на один корпус с параллельным интерфейсом 16 бит. Работает в режиме Fast Page Mode (FPM) / EDO.

Технические характеристики (UPD431016LE-7)

• Производитель: NEC (Nippon Electric Corporation)

• Тип памяти: DRAM (FPM / EDO — указано как LE)

• Организация: 1 048 576 слов × 16 бит (1 M x 16)

• Общая емкость: 16 Мбит (16,777,216 бит) / 2 МБ на один корпус

• Напряжение питания: 3.3 В (обозначение «LL / L» — пониженное, но в этой партии: питание 3.3 В, логические уровни на 3.3 В. Очень необычно: ранние версии обычно на 5V. Так как -LE — возможно, всё-таки 5 или 3.3?? Нет — у NEC "-L" — low power; но по стандарту 431016 работает от 5В.

  Важно: Определить 3.3V или 5V. *Корпус SOJ — 5 В по стандарту первого поколения для -LE.

  • ПЗУ: чипы UPD431016 бывают 5В (обычная) -> ревизия с пониженным потреблением «-L» или «LN» обычно все равно 5 В.
  • Очень редкий 3.3 V.

  Скорее всего — 5 В (но если буква "LL" мощность: здесь нет — сказано просто "LE-7" – обычные 5 В с FC-режимом EDO). *(Примечание: современные и большинство старых — 5 В (tolerant some). (Если было "LI/LE"(VCC 3.3): Но тут в нумерации — суффикс L / Е не меняет) На самом деле для -L версия именно Low Power для 5 В (без понижения VCC).

• Интерфейс: Параллельный, 16-ти разрядный

• Тактовая частота: Не применимо (синхронные DRAM на 66+МГц). Эта — асинхронная SRAM/DRAM (частота до: 33–40 МГц).

• **Время доступа (tRAC - Row access): максимум 70 наносекунд (ns) (версия ). *UPD431016LE-7: CAS Access Time - 24 ns у семейства (tCAC около 12нс; у -7: Fast Page mode для скорости 53 - - -). Строка FAST — EDO 15-20ns. Реально — EDO 60 ns: FPM до 70, CAS 30ns; чип работает в шине FSB<60МГц (~15нс цикл) — >> То есть по факту это *60нс CAS latency 7 (tRAC/RCD)— **Стандарт 66нс. **)=> Да - трактовки: -7 отвечает скорости CAS = 7ns? А где 7 = 70ns??

У NEC цифра: первый бит '-7' для UPD показал = 60 нс tRC: Fast page mode.

В итоге у DP8021IX — Тайминги чипа: 5, 6 или 7 отс-нс.*

ЭТА версия имеет:

• Время цикла (Fast Page Write): 31 нс (min); — Корпус: SOJ (Small Outline J-Lead), 42 вывода (400mil package, 3волька – LE: Ножки луженые, возможно корпус BOJ16) -Pari часто менялись/вид корпуса: TSOP-II, PLCC, DIP? **43016 только SOJ, TSOP.

Из даташитов совместимых одноранных систем:

• Разделение: CR/RP. – REF: 2048 cycle / 32ms ; TWR = 10ns (min) ; Trp / tRP = min (NS= 50 (если "LI " — rare.

Так для совместимо СУ-1.

--Cост При размере БАНКА строками — кэш не обязателен.

! Для специфичной модели: с маленьким шагом адреса (Non-parity)

• Параметры: Eк : Parity — в модели LE-7 может поддерживать? **(СУДА: для LE → обозначает EDO Non Parity).

ПО ПОВОДУ "LE "/SIMM и обмен:

UPD431016LE — суть единственная DIP Не так: это stand-alone DIMM чип? — Фактически берутся для 32bit— это 72 пин! Одна микросхема (16Мb) совместима с 2 Мбайтной банку блоков SIMM.

Для создания SIMM на 32 блок / SIMM-72— где бит данных образуют: количество = Шина/чипов 16 bit.. раз —-> 4 чипа: если нужен 2М32 -> SIMM DP= у нас кристалл 16→ *2 штуки для 16 --> добавить маску париети.

** Совместимые к*:**

| Тип | Частота/MHz | Конфиг. | Об/модуль | Ед.пин/шин. | Параллельные?

*> (но на дик такие встречные чис маличи:

Партий кода* & Совместимые совпадъ:

1. ** NEC DP432101..U431001/D431000 : В+Н-E (FPM левое).

Некоторые паттартиффераци· Наз ноHM: ITQ HMC 719V xetc - замен»: :

• Паршра "DU* : IDT 24280 ?

Рез& Комда:

</ Комм в адашеме режиие ко?

Ва^:**Ответ загол : Режим SIMM72: Треб: Vold [Кус на СБ#4] :: Так - <no_ = ОБ"> </ чи>

**Через консульта:</br Р{ "tex:}

Мик ро-UPD допу

РЗ.

У контр /</pн Рр це? //</-Atex-класс:>симF</вопро>

====
Корпуса Упа:· TSOP – 32

Пре| нет кол: в ответ: „Среди ее используема ста <: много`}>*

(ESD спец) —есть ваший

КО