Fairchild FQU17P06 — P-канальный MOSFET

Общее описание

FQU17P06 — это P-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) производства компании Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor / onsemi). Транзистор выполнен по технологии QFET, предназначен для коммутации нагрузок в схемах с напряжением до 60 В, отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой скоростью переключения. Корпус — I-PAK / TO-251 (устанавливается вертикально на плату).

Типичное применение: импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, драйверы реле и ламп, схемы защиты по питанию, инверторы, схемы управления двигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип транзистора | P-канальный MOSFET (усилительный режим) | | Технология | QFET (планарный) | | Напряжение сток-исток V(DS) | −60 В | | Напряжение затвор-сток V(GS) max | ±25 В | | Ток стока непрерывный I(D) (T_С = 25 °C) | −15,7 А | | Ток стока импульсный I(DM) | −62 А | | Сопротивление открытого канала R(DS(on)) | 0,12 Ом @ V(GS) = −10 В, I(D) = −7,5 А | | Сопротивление открытого канала при V(GS) = −10 В, I(D) = −12 А | ≈ 0,130 Ом | | Пороговое напряжение V(GS(th)) | −2 … −4 В | | Заряд затвора Q(g) типовой | ~26 нКл @ V(GS) = −10 В | | Входная ёмкость C(iss) | ~ 750 пФ | | Рассеиваемая мощность P(D) (T_C = 25 °C) | 50 Вт | | Тепловое сопротивление R(θJC) | 2,5 °C/Вт | | R(θJA) | 110 °C/Вт | | Рабочая температура перехода | −55 … +150 °C | | Тип корпуса | TO-251 (I-PAK), 3 pin | | Тип канала | обеднённый (enhancement, normally-off) | | Маркировка выводов | G, D, S (стандартная TO-251) |

Комментарии:

• Технология "QFET" даёт низкий заряд затвора и низкое R_ds(on), что снижает потери при переключении.
• Управление P-каналом требует отрицательного V(GS) относительно истока.

Парт-/заказные номера (order code / part numbers)

Порядковые номера Fairchild → onsemi на один и тот же кристалл:

| Парт-номер | Описание / корпус | |---|---| | FQU17P06 | Базовый номер, I-PAK (TO-251) | | FQU17P06TU | Маркировка тестирования/отгрузки, TO-251 | | FQU17P06-TU | Вариант Trail/Rail упаковки | | FQU17P06_WA | OEM-упаковка (туба) | | FQU17P06-Q | Квалификация Q-версия | | HU17P06 | Аналогичный в другом корпусе (IPAK) | | FQD17P06 | Аналог в корпусе TO-252AA (DPAK), см. серию FQD | | FQI17P06 | Аналог в I²PAK (TO-262) | | IRFZ44 / IRF9540 | Возможные аналоги по параметрам (H-bridge, −60 В/−100 В) |

Суффиксы TU / -TU / -WA означают разные способы упаковки/сортировки у fab'ов Fairchild/ON. Электрически они идентичны.

Переход к ON Semiconductor сохранил базовый парт-номер FQU17P06 в их каталоге (коды MC полной интеграции).

Совместимые / эквивалентные модели

Прямые соответствия в разных корпусах:

• FQD17P06 — TO-252AA (DPAK), та же начинка
• FQI17P06 — I²PAK (TO-262)
• HU17P06 — IPAK
• FQU13P06 — более мягкий вариант (−60 В / 13 А)

Ближайшие аналоги других производителей (нужна проверка рассеяния/схемы):

• IRF9540, IRF9540N — P-канал −100 В (с запасом)
• IRF5210, IRF4905 — P-канал −60…−100 В
• STP16PF06, STP16PF10 — STMicroelectronics
• 2SJ162, 2SJ200, 2SJ205 — P-канал, разные корпуса
• MTP16P06 / MTD16P06 — полные функциональные соответствия Fairchild/ON в DPAK

Важно: между P-каналом и N-каналом (типа IRFZ44) прямой взаимозамены нет в одной и той же цепи, если схема рассчитана на управление от «отрицательного фронта» затвора или по схема «high-side» — потребуется перепроект драйвера.

Схемотехнические замечания

• Типовая схема применения: ключ в верхнем плече («high-side») H-моста, защита нагрузки от обратной полярности, схема sleep/wake, синхронный buck-boost-преобразователь − уникальная полярность.
• Для управления нужно быстро зарядить/разрядить затвор, Q_g ≈ 26 нКл, поэтому используют драйверы на 1…4 кА/импульс или транзисторы с «драйвером низкого плеча», часто через NPN/PNP-каскад.
• Снаббер корректирующий Cf и демпфирующий R обычно в сетке ш-драйверного каскада → снижает ringing на SPI-контуре.

Замечание о статусе продукта

• Изначальный производитель: Fairchild Semiconductor (до 2016 г.).
• После 2016: компания интегрирована в ON Semiconductor (onsemi); кристаллы серии с бо́льшей осторожностью относится этот; конкретный дие надо смотреть в ON каталоге.
• Если нужен новый дизайн: доступна актуальная замена серии с sup̆er кодом SU/SUP или эквивалентов в семействе IRF/MOSFET с −60 В и R_ds(on) ≈ 100 мОм + расматривается DC-biased. Клиент должен проверить рекомендации в reflow/ thermal рентгенности гарантии.

Если нужен datasheet-основа PDF-confirmed (граничные аргументы/знаки, curves SOA) — стоит указать официальный источник: onsemi.com PDF list filename 17_1.s. Расходники: q c cap data до −100-ish но ограничением, что ест важную обвязку надо отслеживать аритмичные проводники FET и gate network.