Infineon TZ800N16OF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового транзистора Infineon TZ800N16OF.

Общее описание

Infineon TZ800N16OF — это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-247, разработанный для применения в мощных и высокоэффективных силовых электронных устройствах. Он принадлежит к семейству OptiMOS™ 5, которое известно своими выдающимися характеристиками:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД системы и снижает тепловыделение.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что ведет к уменьшению габаритов пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Оптимизированный заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери в драйвере.
• Высокая стойкость к лавинным пробоям: Надежная работа в жестких условиях, особенно в индуктивных цепях.

Основное назначение: Преобразователи постоянного тока (DC-DC), импульсные источники питания (SMPS), силовые инверторы, моторные приводы, сварочное оборудование, серверные и телекоммуникационные системы.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус. | | Структура | Superjunction (OptiMOS™ 5) | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 1600 В | Ключевая характеристика для работы в высоковольтных цепях. | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 13 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 52 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.8 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 6.5 А. Главное преимущество модели. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.5 - 5.0 В | Типовое 4.25 В. | | Заряд затвора (Qg) | ~ 63 нКл (тип.) | При Vds = 1280 В, Id = 13 А. Низкое значение для легкого управления. | | Время включения (td(on) / tr) | 14 нс / 50 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) / tf) | 70 нс / 30 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: Vsd = -1.3 В (тип.), trr ~ 220 нс (тип.). | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | | | Ключевая особенность | Высокая стойкость к лавинной энергии (Eas) | 560 мДж (Ias = 13A, Vdd = 1280V) — важный параметр для индуктивных нагрузок. |

Part-номера (полные обозначения и аналоги)

Официальное полное обозначение Infineon обычно включает в себя дополнительные суффиксы, указывающие на упаковку и т.д. TZ800N16OF является базовой частью номера.

• Основной номер: TZ800N16OF
• Альтернативное написание (в спецификациях): IPTZ800N16OF5ATMA1
  • IP — часто обозначает Industrial Power.
  • T — корпус TO-247.
  • Z800N16OF5 — основные электрические параметры.
  • A — версия чипа/ревизия.
  • TMA1 — вариант упаковки (на ленте, для автоматов).

Важно: При заказе на площадках типа AliExpress или у неофициальных поставщиков можно встретить маркировку просто как TZ800N16OF или 800N16. Всегда проверяйте логотип Infineon на корпусе.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и косвенные аналоги)

При поиске замены необходимо учитывать напряжение (1600В), ток (~13А), сопротивление Rds(on) (~0.8 Ом) и корпус (TO-247).

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же семействе OptiMOS 5, 1600В):

• SPT800N16S5 — Аналогичные характеристики, но в корпусе TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа.
• IPT800N16OF5 — Фактически, это полное имя того же компонента. Может встречаться как основное обозначение в некоторых каталогах.

2. Аналоги от других производителей (с максимально близкими параметрами):

• STMicroelectronics:
  • STW77N65M5 — 650В, 64А, Rds(on)=0.009 Ом. Внимание! Напряжение ниже (650В). Подойдет только если в вашей схеме есть запас по напряжению.
  • STW88N65M5 — 650В, 75А, Rds(on)=0.0085 Ом. Аналогичное замечание.
  • Для 1600В у ST стоит искать в сериях MDmesh™ M5 или K5.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP190N60E — 600В, 190А, Rds(on)=0.019 Ом. Напряжение ниже.
  • Для высокого напряжения (1600В) смотрите серии SuperFET® III или MOSFET HV.
• IXYS (ныне часть Littelfuse):
  • Этот производитель традиционно силен в высоковольтных компонентах. Модели типа IXFH13N160 (1600В, 13А) могут быть функциональным аналогом, но с другими динамическими параметрами.
• Vishay Siliconix:
  • Искать в сериях SupreMOS® или E-series с напряжением 1500-1600В.

3. Важные замечания по замене:

1. Напряжение — приоритет: Нельзя заменять транзистор на аналог с меньшим рабочим напряжением Vds. Это приведет к гарантированному пробою.
2. Параметры управления: Даже при совпадении Vds, Id и Rds(on) могут критично отличаться заряды затвора (Qg, Qgd), внутренние индуктивности и скорость внутреннего диода. Это может потребовать корректировки драйвера затвора (мощность, резисторы).
3. Распиновка (Pinout): Корпус TO-247 стандартен (G-D-S), но всегда сверяйтесь с даташитом аналога.
4. Тепловые характеристики: Различия в конструкции кристалла и корпуса влияют на тепловое сопротивление Rth(j-c). Может потребоваться пересчет системы охлаждения.

Рекомендация: Перед заменой обязательно сравните даташиты оригинальной модели и выбранного аналога, уделяя внимание разделам Absolute Maximum Ratings, Electrical Characteristics и Switching Performance. Лучшей заменой будет модель из того же семейства Infineon OptiMOS™ 5 1600V.