Infineon TZ740N22KOG

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового транзистора Infineon TZ740N22KOG.

Описание

Infineon TZ740N22KOG — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор в современном и технологичном корпусе TO-247 3L (3-выводной). Он принадлежит к серии CoolMOS™ P7 от Infineon, которая известна своим оптимизированным балансом между низким сопротивлением в открытом состоянии (R DS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Ключевая особенность и применение: Этот транзистор разработан для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях PFC (корректор коэффициента мощности) и резонансных преобразователях (LLC). Его основное применение — это силовые блоки потребительской и промышленной электроники:

• Компьютерные блоки питания (серверные, игровые)
• Блоки питания для телевизоров и мониторов
• Зарядные устройства высокой мощности
• Промышленные источники питания и ИБП

Преимущества серии CoolMOS™ P7:

• Высокая эффективность: Минимальные потери на проводимость и переключение.
• Высокая надежность: Улучшенная устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения.
• Оптимизированная работа в жестком режиме переключения (Hard Switching) и в резонансных схемах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ | | Корпус | TO-247-3 | 3 вывода (стандартный) | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 700 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 74 мОм (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 30 А | | Постоянный ток стока (I_D) | 30 А | При T_C = 25°C | | Импульсный ток стока (I_DM) | 120 А | Максимальный кратковременный импульс | | Суммарная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | При T_C = 25°C | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 105 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость (C_iss) | ~ 2800 пФ (тип.) | | | Температура хранения/перехода | от -55 до +150 °C | Максимальная T_j = 150°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно у одного и того же кристалла может быть несколько парт-номеров в зависимости от корпуса, маркировки или уровня тестирования. Для TZ740N22KOG прямыми аналогами являются:

• SPW47N60C3 — от Infineon, более старая серия CoolMOS™ C3, но с близкими параметрами (47 мОм, 600В). Внимание: Напряжение ниже (600В vs 700В).
• IPP60R190C7 / IPP60R180C7 — также от Infineon (серия CoolMOS™ C7), с другим балансом Rds(on) и заряда.
• STW75N80K5 — от STMicroelectronics (серия MDmesh™ K5), конкурентный аналог.
• FCPF190N65S3 — от ON Semiconductor (ныне onsemi), серия SuperFET III.

Важное замечание: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы. Перед заменой необходимо сравнивать ключевые параметры: V_DSS, R_DS(on), Q_g, динамические характеристики и учитывать разводку платы.

Совместимые модели (для замены в схемах)

При поиске замены для TZ740N22KOG следует ориентироваться на транзисторы с напряжением 600-650В и выше (предпочтительно 700В для прямой замены), током от 20А и сопротивлением Rds(on) в районе 50-100 мОм. Модели ниже подходят для многих схем, где TZ740N22KOG используется в PFC или LLC каскаде.

От Infineon (прямые аналоги или аналоги серии P7):

• IPP70R1K4P7S (650В, 9.5А, 1.4 Ом) — из той же серии P7, но другие параметры.
• IPA60R450P7S (600В, 12А, 450 мОм) — из серии P7.
• SPW47N60C3 (600В, 47А, 47 мОм) — классический и популярный аналог для мощных БП.

От других производителей (ключевые конкуренты):

• STMicroelectronics:

  • STW75N80K5 (800В, 75А, 22 мОм) — очень мощный аналог, часто используется как upgrade.
  • STW48N60M6 (600В, 48А, 62 мОм)
  • STP60NF06 (60В, 60А, 16 мОм) — НЕ ПОДХОДИТ! Указан для примера — у него совершенно другое, низкое напряжение.

• ON Semiconductor (onsemi):

  • FCPF190N65S3 (650В, 19А, 190 мОм)
  • FCPF125N65S3 (650В, 25А, 125 мОм)

• Toshiba:

  • TK65N60W (600В, 65А, 65 мОм)

Рекомендации по замене:

1. Всегда проверяйте Datasheet. Сравнивайте не только базовые параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и заряд затвора (Q_g), внутренние емкости (C_iss, C_oss, C_rss).
2. Учитывайте работу драйвера. Большой заряд затвора может потребовать более мощного драйвера.
3. Проверьте обвязку. В резонансных схемах (LLC) важна емкость C_oss, так как она влияет на резонансную частоту.
4. Корпус. Убедитесь, что физический корпус (TO-247) и расположение выводов (распиновка) совпадают.

Таким образом, Infineon TZ740N22KOG — это высоковольтный MOSFET для профессиональных силовых применений, а его наиболее распространенной и проверенной заменой в ремонтной практике часто выступает Infineon SPW47N60C3 (при условии, что рабочее напряжение в схеме не превышает 600В) или STMicroelectronics STW75N80K5 как более мощный вариант.