Infineon TZ400N26KOF

Отличный выбор! Infineon TZ400N26KOF — это мощный и надежный силовой транзистор в корпусе TO-247, относящийся к линейке CoolMOS™ P7. Он оптимизирован для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Описание

TZ400N26KOF — это N-канальный MOSFET на напряжение 650 В, разработанный с использованием передовой суперпереходной (superjunction) технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Ключевые особенности, которые делают его популярным в индустрии:

• Высокая эффективность: Технология P7 обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и выдающиеся динамические характеристики (низкие заряды Qg, Qgd, Qoss), что минимизирует коммутационные потери. Это критически важно для повышения КПД и снижения тепловыделения.
• Оптимизация для режима переключения (SMPS): Специально спроектирован для работы в жестком режиме переключения (hard switching) в топологиях типа:
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC)
  • Прямоходовые (Forward), двухтактные (Push-Pull), мостовые (Half/Full-Bridge) преобразователи
  • Резонансные преобразователи (LLC) — благодаря низким потерям на проводимость и переключение.
• Высокая надежность: Обладает высокой устойчивостью к лавинным пробоям (Avalanche Ruggedness) и отличным SOA (область безопасной работы).
• Корпус TO-247: Стандартный и удобный для монтажа корпус, обеспечивающий хороший отвод тепла через изолирующую прокладку или при прямом контакте с радиатором.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, ПК, промышленного оборудования.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Системы промышленной автоматизации.
• Зарядные устройства для электромобилей.
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение / Характеристика | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-247 | | | Структура | С изолированным стоком | Позволяет монтировать на общий радиатор без изоляционных прокладок (при условии изолированного фланца). | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.040 Ом (40 мОм) | Тип. при VGS = 10 В, ID = 20 А. Ключевой параметр для потерь на проводимость. | | Максимальный постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 46 А | При температуре корпуса 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 180 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~135 нКл (тип.) | Низкий заряд снижает требования к драйверу и коммутационные потери. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон для MOSFET. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±30 В | | | Рассеиваемая мощность (PD) | 415 Вт | При температуре корпуса 25°C. На практике ограничивается возможностями системы охлаждения. | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах или с разными префиксами. Для TZ400N26KOF основными парт-номерами и прямыми аналогами являются:

Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, другой корпус/маркировка):

• IPP65R040C7 / IPP65R040C7XKSA1 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированным фланцем). Имеет схожие электрические параметры, но меньшую рассеиваемую мощность из-за корпуса.
• SPW47N60C3 — транзистор из предыдущего поколения CoolMOS™ C3. Может рассматриваться как аналог, но с худшими динамическими характеристиками (выше Qg, выше RDS(on) ~ 0.065 Ом). Требует проверки на совместимость в конкретной схеме.

Функционально совместимые модели (от других производителей):

Важно: При замене необходимо проводить тщательный сравнительный анализ даташитов, особенно по динамическим характеристикам (Qg, Qgd), емкостям и SOA.

• STMicroelectronics:
  • STW48N60DM2 (MDmesh™ DM2, 0.065 Ом)
  • STW47N60M2 (MDmesh™ M2, 0.065 Ом) — более старое поколение.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP47N60 (SuperFET® II, 0.069 Ом)
  • FCH47N60F (SuperFET® III, более современный, 0.062 Ом)
• Toshiba:
  • TK47N60W (DTMOSIV, 0.065 Ом)
• Vishay / Siliconix:
  • SUP47N06-60 (n-channel 600V, 0.060 Ом)

Ключевые параметры для поиска аналога:

1. Напряжение VDSS: 600-650 В.
2. Ток ID: от 40 А.
3. Сопротивление RDS(on): ~ 0.040 - 0.065 Ом.
4. Корпус: TO-247 (или TO-220 для менее мощных решений).
5. Технология: Superjunction (CoolMOS, MDmesh, SuperFET и т.д.).

Рекомендация: Для гарантированной замены в критичных применениях лучше всего использовать прямые аналоги от Infineon (IPP65R040C7) или проводить углубленные инженерные расчеты и тесты при выборе аналога от другого производителя.