Infineon TTB6C165N16

Infineon TTB6C165N16
Артикул: 565294

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon TTB6C165N16

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора Infineon TTB6C165N16.

Общее описание

TTB6C165N16 — это N-канальный IGBT-транзистор (с диодом) в корпусе TO-263-7 (D²PAK), разработанный для применения в инверторах и мостовых схемах. Он является частью серии TRENCHSTOP™ 6, которая характеризуется высокой плотностью мощности, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перенапряжениям.

Ключевая особенность — встроенный антипараллельный диод с мягким восстановлением (Emitter Controlled Diode), что делает его идеальным для частотно-регулируемых приводов (ЧРП), источников бесперебойного питания (ИБП), сварочного оборудования и солнечных инверторов.


Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип прибора | N-канальный IGBT с обратным диодом | — | | Корпус | TO-263-7 (D²PAK) | Планарный, для поверхностного монтажа (SMD) | | Коллектор-Эмиттер напряжение (VCES) | 1650 В | Класс напряжения для сетей 690В | | Номинальный ток коллектора (IC @ 100°C) | 6 А | При температуре корпуса 100°C | | Ток коллектора (IC @ 25°C) | 12 А | Пиковый ток при 25°C | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.05 В (тип.) @ IC=6A | Низкие потери в открытом состоянии | | Энергия переключения (Eon + Eoff) | ~1.3 мДж (тип.) @ 6A | Низкие динамические потери | | Падение на диоде (VF) | 1.7 В (тип.) @ IF=6A | Параметры встроенного обратного диода | | Макс. температура перехода (Tvj) | 175 °C | — | | Тепловое сопротивление переход-корпус (RthJC) | 1.25 К/Вт | — | | Класс изоляции | 2500 ВRMS (мин.) | Изолирующая прокладка под корпусом |

Ключевые преимущества серии TRENCHSTOP™ 6:

  • Оптимизация потерь: Идеальный баланс между низким VCE(sat) (потери проводимости) и низкой энергией переключения (динамические потери).
  • Высокая надежность: Широкий диапазон рабочих температур, устойчивость к коротким замыканиям (SCSOA).
  • Упрощение конструкции: Встроенный диод устраняет необходимость во внешних компонентах.
  • Планарный корпус: Упрощает монтаж и улучшает теплоотвод на печатную плату.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот компонент может встречаться под разными маркировками в зависимости от упаковки и логистики:

  • SP001616157 — это внутренний код Infineon для заказа.
  • На корпусе прибора нанесена маркировка: TTB6C165N16.

Совместимые модели и аналоги

При поиске замены или аналога необходимо учитывать напряжение (1650В), ток (6А), наличие встроенного диода и корпус (TO-263-7).

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии):

  • TTB6C165N16OF — тот же прибор, но в формате упаковки для автоматического монтажа (на ленте Tape & Reel).
  • Модели с близкими параметрами в том же корпусе и классе напряжения:
    • TTB6C165N10 — 1650В, 10А. (Более мощный аналог)
    • TTB6C165N8 — 1650В, .
    • TTB6C165N4 — 1650В, . (Менее мощный аналог)

2. Функциональные аналоги от других производителей (сравнивать по даташитам!):

  • Fuji Electric:
    • 6MBI6VSA165-50 — IGBT-модуль (6 в 1), но на близкие ток/напряжение.
  • Semikron:
    • SKM6C165N16 — очень близкий аналог в похожем корпусе.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FGH60N65SMD — 650В, 60А (для сетей 380В). Внимание! Напряжение ниже. Для замены в схемах на 1650В не подходит.
  • STMicroelectronics:
    • Серия STGxPxxS65 (SMD-пакеты) обычно рассчитана на 650В.

Важное предупреждение: Большинство SMD-IGBT других брендов (IR, ST, ON) в корпусе TO-263 рассчитаны на напряжение 600-650В и предназначены для сетей 220/380В. TTB6C165N16 (1650В) — это компонент для промышленного оборудования, работающего с трехфазными сетями 690В. Прямых корпусных аналогов на 1650В у других крупных брендов может не быть.


Рекомендации по применению и замене

  1. При замене всегда сверяйтесь с даташитом (Datasheet). Критически важны: класс напряжения, номинальный ток, параметры встроенного диода и динамические характеристики.
  2. Для сетей 690В AC требуется минимальное напряжение IGBT 1200В, а стандартом являются 1650В (как у данной модели) для обеспечения надежного запаса по перенапряжениям.
  3. Обеспечьте качественный теплоотвод через печатную плату (используйте полигоны) и/или радиатор, так как корпус D²PAK рассеивает тепло в основном через заднюю контактную площадку.
  4. При пайке соблюдайте профиль, рекомендованный для планарных корпусов с большой тепловой массой.

Вывод: Infineon TTB6C165N16 — это специализированный, надежный и эффективный IGBT-транзистор для мощных промышленных инверторов. Его основными конкурентами являются аналогичные модели в корпусах модулей, а не в SMD-исполнении.

Товары из этой же категории