Infineon TD285N12KOF

Отличный выбор! Infineon TD285N12KOF — это мощный и надежный силовой транзистор, разработанный для требовательных применений. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

TD285N12KOF — это N-канальный MOSFET в сверхнадежном и производительном корпусе TO-247-4 (с дополнительным выводом истока для управления). Он принадлежит к линейке OptiMOS™ 5, что означает использование передовой технологии от Infineon для достижения исключительно низкого сопротивления открытого канала (R DS(on)) и превосходных показателей эффективности.

Ключевая особенность этой модели — высокое напряжение сток-исток (V DSS = 120V) и очень высокий непрерывный ток (I D = 285A при 25°C). Это делает его идеальным решением для приложений, где требуется управление большой мощностью с минимальными потерями.

Основные области применения:

• Силовая электроника и промышленные приводы: частотные преобразователи, сервоприводы.
• Источники питания: высокомощные коммутационные блоки питания (SMPS), особенно в топологиях типа "синхронный выпрямитель" и "корректор коэффициента мощности (PFC)".
• Автомобильная промышленность (тяжелые условия): управление тяговыми электродвигателями, системы рекуперативного торможения, бортовые зарядные устройства (OBC) для электромобилей.
• Сварочное оборудование: инверторные источники.
• Системы ИБП (UPS).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Корпус | TO-247-4 (с 4 выводами) | Планарный вывод истока (Kelvin) для улучшения динамических характеристик | | Напряжение "Сток-Исток" (V DSS) | 120 В | Максимальное допустимое напряжение | | Непрерывный ток стока (I D) | 285 А | При температуре корпуса T C = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 0.85 мОм (макс.) | При V GS = 10 В, I D = 140 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | 2.7 - 3.9 В | Тип. 3.3 В | | Заряд затвора (Q g (тип.)) | 234 нКл | Влияет на требования к драйверу | | Макс. рассеиваемая мощность (P tot) | 830 Вт | При T C = 25°C | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Есть | Параметры: I SD = 285A, V SD = 1.4V |

Ключевые преимущества

1. Сверхнизкое R DS(on): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
2. Высокий импульсный ток: Способен выдерживать большие перегрузки.
3. Корпус TO-247-4: Четвертый вывод (исток управления) позволяет подключать цепь драйвера непосредственно к выводу кристалла, минимизируя влияние паразитной индуктивности силовой цепи. Это значительно улучшает стабильность переключения и снижает выбросы напряжения.
4. Высокая надежность: Оптимизирован для тяжелых условий эксплуатации.
5. Оптимизированные динамические характеристики: Быстрое переключение при управляемом уровне электромагнитных помех (EMI).

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги / Кросс-референс)

При поиске аналога важно сравнивать не только основные параметры (V DSS, I D, R DS(on)), но и динамические характеристики (заряды, емкости) и корпус.

Прямые аналоги и кросс-референсы:

• От того же производителя (Infineon):

  • IPT015N12N5ATMA1 — очень близкий аналог в корпусе TO-247-3 (без Kelvin вывода). Параметры: 120V, 240A, R DS(on) = 1.5 мОм. Может быть прямым заменой, если не критичен вывод истока для управления.
  • IAUT300N12S5N015 — еще более мощный вариант из линейки AUT (Automotive), 120V, 300A, R DS(on)=1.5 мОм в корпусе TO-247-4.
  • IAUC120N12S5L015 — также автомобильный, 120V, 120A, в корпусе SuperSO8 (для другого типа монтажа).

• От других производителей (сопоставимые по классу):

  • STMicroelectronics: STW88N12K5 — 120V, 88A, R DS(on)=9.5 мОм (менее мощный).
  • ON Semiconductor: NTHL020N120SC1 — 120V, 120A, R DS(on)=2.0 мОм в корпусе TO-247-3.
  • Vishay Siliconix: SUD50N12-27 — 120V, 50A (значительно менее мощный).
  • Wolfspeed (Cree): C3M0016120K — SiC MOSFET, 120V, 112A. Это уже транзистор на карбиде кремния с принципиально лучшими динамическими характеристиками, но и более высокой стоимостью.

Важное замечание: Не существует идеального 100% аналога от другого производителя. Перед заменой обязательно необходимо:

1. Внимательно изучить даташит на заменяемую модель.
2. Сравнить ключевые параметры, особенно R DS(on), заряды затвора (Q g, Q gd, Q gs), внутренние емкости (C iss, C oss, C rss).
3. Убедиться в совместимости корпуса и распиновки.
4. Проверить рекомендуемую схему управления (драйвер) на соответствие новому компоненту.

Рекомендация: Для наиболее критичных применений лучшей заменой являются другие транзисторы из серии Infineon OptiMOS™ 5 120V в корпусе TO-247-4. Используйте официальные инструменты подбора на сайте Infineon или аналогичных ресурсах дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key).