Infineon T718N18TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon T718N18TOF.

Описание

Infineon T718N18TOF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой OptiMOS™ 5 технологии. Он предназначен для высокоэффективных силовых приложений, где критически важны низкие потери на проводимость и переключение.

Ключевые особенности и назначение:

• Высокая эффективность: Благодаря чрезвычайно низкому сопротивлению открытого канала (RDS(on)) и улучшенным динамическим характеристикам, что минимизирует тепловыделение.
• Оптимизация для синхронного выпрямения: Идеально подходит для использования в цепях низкой стороны (low-side) в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях типа Buck (понижающий преобразователь).
• Целевые применения:
  • Серверные, телекоммуникационные и промышленные блоки питания (SMPS).
  • Синхронное выпряление в DC-DC преобразователях.
  • Цепи управления двигателями (низковольтные).
  • Высокочастотные импульсные преобразователи.

Корпус: TO-220 FullPAK (пластиковый, без металлической пластины сзади). Этот корпус обеспечивает электрическую изоляцию от радиатора, что упрощает монтаж и повышает безопасность.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | OptiMOS™ 5 | | | Корпус | TO-220 FullPAK | | | Сток-Исток напряжение (V_DSS) | 180 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока (I_D) | 72 А | При T_C = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 7.8 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 36 А | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2.7 - 3.9 В | Тип. 3.3 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 63 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 Вт | При T_C = 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными парт-номерами в зависимости от упаковки (катушка/россыпь) и логистической маркировки. Основные варианты:

• T718N18TOF — основное и полное название.
• T718N18TOFXT — вариант для автоматизированного монтажа (tape & reel, на катушке).

Совместимые модели / Прямые аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: V_DSS, I_D, R_DS(on), корпус и цоколевку.

Аналоги от других производителей (сопоставимого класса):

1. ON Semiconductor (ныне onsemi):

   • FDPF72N18T — очень близкий аналог (180В, 72А, 8.0 мОм, TO-220 FullPAK).
   • NTMFS5C670N (175В, 69А, 6.7 мОм, TO-220) — немного лучше параметры.

2. STMicroelectronics:

   • STP75N18DM6AG (180В, 75А, 7.5 мОм, TO-220 FullPAK) — практически полный аналог.
   • STW75N18DM6 (в корпусе TO-247) — для более высоких мощностей.

3. Vishay / Siliconix:

   • SQJ72EP18-7R8 (180В, 72А, 7.8 мОм, TO-220 FullPAK) — прямой конкурент в том же корпусе.
   • SQM75N18-7R8 (в корпусе TO-263 (D2PAK)).

4. Alpha & Omega Semiconductor (AOS):

   • AOTF72N18 (180В, 72А, 7.8 мОм, TO-220 FullPAK).

Внутрилинейные аналоги от Infineon (с другими параметрами в том же корпусе):

• T724N18TOF — более мощный (82А, 5.8 мОм) в том же корпусе TO-220 FullPAK.
• T730N18TOF — еще более мощный (93А, 4.8 мОм) в корпусе TO-220 FullPAK.
• IPP072N18N5 или IPP075N18N5 — аналоги из линейки OptiMOS 5 в корпусе TO-220 (с металлической пластиной).

Важные замечания при замене

1. Всегда проверяйте datasheet аналога перед заменой, особенно графики зависимости R_DS(on) от тока и температуры, а также динамические характеристики (Q_g, C_iss).
2. TO-220 FullPAK и стандартный TO-220 (с металлической площадкой) имеют одинаковую цоколевку, но разную конструкцию корпуса. FullPAK не требует изолирующей прокладки, но может иметь чуть худший тепловой контакт.
3. Для критичных по эффективности применений (например, высокочастотные преобразователи) важно сравнивать суммарные потери (conductive + switching), а не только R_DS(on).

Данный компонент является отличным решением для модернизации или ремонта мощных и высокоэффективных источников питания.