Infineon T150R12KE3G_B4

Отличный выбор! Infineon T150R12KE3G_B4 — это высоковольтный IGBT-модуль третьего поколения, один из флагманов в линейке Infineon для мощных промышленных приводов и преобразователей. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание и область применения

T150R12KE3G_B4 — это двухуровневый IGBT-модуль (half-bridge) с номинальным напряжением 1200 В и номинальным током 150 А. Он построен на базе проверенной и надежной технологии IGBT3 (TrenchStop 3), которая обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями проводимости и коммутации.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Технология TrenchStop 3 обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce_sat) и плавное выключение (Soft Switching), что снижает общие потери в системе.
• Высокая надежность: Корпус с низкой индуктивностью, паяные соединения без свинца, керамическая изоляция (DCB-керамика), рассчитанная на высокие температуры. Модуль обладает высокой устойчивостью к перегрузкам по току и коротким замыканиям.
• Встроенные компоненты: Модуль содержит встроенный NTC-термистор для контроля температуры и антипараллельные диоды (Emitter Controlled Diode - ECD) для обратного тока.
• Простота монтажа: Винтовые клеммы для силовых и управляющих контактов.

Основные области применения:

• Промышленные частотные преобразователи (AC Drives)
• Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности
• Системы возобновляемой энергии (инверторы для солнечных и ветряных установок)
• Промышленные источники сварочного тока
• Управление электродвигателями (например, в насосах, вентиляторах, компрессорах)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация модуля | Двухуровневый (Half-Bridge, 2 в 1) | 2 IGBT + 2 диода в одном корпусе | | Номинальное напряжение (Vces) | 1200 В | Напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (Ic @ 80°C) | 150 А | При температуре корпуса 80°C | | Максимальный импульсный ток (Icp) | 300 А | Кратковременная перегрузка | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | ~ 1.85 В (тип.) | При Ic=150A, Vge=15В. Низкое значение снижает потери проводимости. | | Напряжение отпирания затвора (Vge) | ±20 В (макс.) / ±15 В (реком.) | Стандартное управление: +15В/-15В или +15В/0В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 1100 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера | | Энергия выключения (Eoff) | ~ 12 мДж (тип.) | Низкое значение снижает коммутационные потери | | Встроенный температурный датчик | NTC-термистор | R25°C = 10 кОм, B25/100 = 3435 K | | Температура хранения (Tstg) | от -40°C до +125°C | | | Макс. рабочая температура перехода (Tvjop) | +150°C (макс.) / +125°C (реком.) | | | Класс изоляции | 2500 В (эфф.) | Основная изоляция (корпус-радиатор) | | Индуктивность силовой цепи | < 15 нГн | Низкое значение для снижения перенапряжений при коммутации | | Масса | ~ 200 г | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимость

Этот модуль имеет несколько стандартных парт-номеров, которые могут встречаться у разных поставщиков. T150R12KE3G_B4 — это полный и основной номер.

Основные парт-номера:

• T150R12KE3G_B4 (полный номер, включает ревизию)
• T150R12KE3G (базовый номер без указания ревизии)
• Иногда может указываться как 150R12KE3G (без первой "T")

Совместимые / Аналогичные модели (Прямые и Функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога критически важно проверять не только электрические параметры, но и механический корпус, расположение выводов и тип клемм.

1. Прямые аналоги от Infineon (в том же корпусе EconoDUAL™ 3):

• T150R12KE3 — предыдущая ревизия или версия без суффикса "G". Часто взаимозаменяем, но лучше проверить даташит.
• F150R12KE3G — аналог в корпусе EconoDUAL™ 2. Не является прямым аналогом по механике! Имеет другие габариты и крепление. Совместим только по электрическим параметрам при переразводке платы.
• Серия F4-150R12KE3 (семейство IGBT4). Более современная технология (ниже потери), но также в корпусе EconoDUAL™ 2. Требует проверки совместимости драйверов.

2. Функциональные аналоги от других производителей (требуют тщательной проверки):

• Semikron: SKM150GB12T4 (IGBT4) в корпусе Semitrans. Механически несовместим, требуется переделка.
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120 (IGBT U4). Механически несовместим.
• Mitsubishi Electric: CM150TU-12T или CM150DY-12T. Разные корпуса, требуется перепроверка.
• ON Semiconductor: Аналоги в линейке, приобретенной у Fairchild.

3. Ключевые совместимые модули для ремонта (наиболее вероятная замена): Наиболее безопасным и прямым аналогом для ремонта без изменения конструкции является модуль в точно таком же корпусе EconoDUAL™ 3. Ищите модули с маркировкой, указывающей на этот корпус. Модули в корпусе EconoDUAL™ 2 (например, F150R12KE3) имеют другую форму и не являются механически совместимыми.

Важные замечания для замены:

1. Ревизия ("_B4"): Суффикс может указывать на незначительные улучшения в производстве. Как правило, более поздние ревизии совместимы с более ранними, но обратная совместимость не гарантирована.
2. Драйверы: При замене на модуль другого поколения (например, с IGBT3 на IGBT4) обязательно проверьте требования к драйверу (величина и скорость управляющих импульсов, рекомендации по резисторам в затворе).
3. Теплоотвод: Убедитесь, что плоскость радиатора и момент затяжки винтов соответствуют спецификации.

Рекомендация: Для замены в ремонте всегда в первую очередь рассматривайте точный оригинальный номер T150R12KE3G_B4 или его базовую версию T150R12KE3G. При его отсутствии ищите модуль с пометкой EconoDUAL™ 3 и идентичными электрическими параметрами. Перед установкой аналога от другого производителя необходимо детально изучить оба даташита.