Infineon T1509N18TOF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для силового транзистора Infineon T1509N18TOF.

Общее описание

Infineon T1509N18TOF — это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, разработанный для требовательных приложений силовой электроники. Он является частью линейки OptiMOS™ 5, которая известна своим исключительно низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой эффективностью переключения.

Ключевая особенность этой модели — низкое пороговое напряжение (VGS(th)), что делает её особенно подходящей для работы в схемах с низковольтным управлением (например, от 5В или 10В микроконтроллеров), хотя для полного открытия и минимизации потерь рекомендуется стандартное напряжение 10В.

Основные области применения:

• Высокоэффективные импульсные источники питания (SMPS)
• Синхронное выпряление (особенно вторичная сторона)
• DC-DC преобразователи (включая понижающие и повышающие топологии)
• Моторные приводы и управление двигателями
• Инверторы и схемы управления мощностью

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Примечание / Условие | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | TO-247 | Пластиковый, с тремя выводами | | Структура | OptiMOS™ 5 | Технология 180В | | Напряжение "сток-исток" (VDS) | 180 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток стока (ID) | 96 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (ID) | 60 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 9.0 мОм (макс.) | Ключевой параметр! VGS = 10 В, ID = 48 А | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 12.5 мОм (макс.) | VGS = 5 В, ID = 30 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 В (тип.) | Low Threshold! VDS = VGS, ID = 1 мА | | Заряд затвора (Qg) | 75 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | 15 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 44 нс (тип.) | | | Макс. температура перехода (Tj) | 175 °C | | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры указаны в даташите |

Парт-номера и аналоги от Infineon (Cross-Reference)

Модель T1509N18TOF является частью семейства. Вот другие парт-номера, которые могут отличаться уровнем тестирования, упаковкой (катушка/россыпь) или незначительными деталями, но электрически и функционально идентичны:

• SPP15N18TOF — часто используется как аналог, тот же чип в том же корпусе.
• T1509N18TOFXPSA1 — расширенный парт-номер, указывающий на конкретную упаковку или лот.
• IPB150N18S5-02 — это внутренний код Infineon для кристалла/техпроцесса, но в другом корпусе (TO-263-7). Внимание: Это не прямой аналог по корпусу, но основан на той же технологии.

Важно: Всегда сверяйтесь с последним даташитом, так как номенклатура может обновляться.

Совместимые и конкурирующие модели (Alternatives)

При поиске замены или аналога от других производителей или в рамках ассортимента Infineon следует ориентироваться на ключевые параметры: VDS = 150-200В, ID > 60А, RDS(on) ~ 9-12 мОм, корпус TO-247.

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STH150N10F7-AG (100В, но с очень низким RDS(on)=1.7мОм, для приложений до 100В).
• ON Semiconductor (Fairchild): FCH150N18S5 (очень близкий прямой аналог по параметрам).
• Vishay Siliconix: SIH150N18E (аналогичные характеристики).
• IXYS (Littelfuse): IXTH96N18T (мощный аналог).

Близкие по характеристикам модели от Infineon (другие линейки или корпуса):

• OptiMOS™ 5, корпус TO-220: IPT150N18S5-02 (меньший корпус, меньший максимальный ток).
• OptiMOS™ 6 (более новая технология): IAUT150N18S5N018 (может иметь лучшие динамические характеристики при схожих статических параметрах).
• Для более высокого напряжения (если есть запас): IPP150N20S5-02 (200В) или аналоги.

Критические замечания по применению

1. Управление затвором: Несмотря на низкий порог (2В), для достижения заявленного низкого RDS(on) настоятельно рекомендуется использовать напряжение драйвера затвора 10-12В.
2. Теплоотвод: При токах в десятки ампер рассеиваемая мощность значительна. Обязательно использование радиатора соответствующего размера. Корпус TO-247 предназначен для монтажа на радиатор.
3. Паразитная индуктивность: При работе на высоких частотах переключения необходимо минимизировать индуктивность силовых и затворных петлей для предотвращения выбросов напряжения и ложных включений.
4. Защита от статики (ESD): Как и все MOSFET, компонент чувствителен к электростатическому разряду. Соблюдайте меры предосторожности.

Рекомендация: Для окончательного выбора аналога и проектирования схемы всегда обращайтесь к официальному даташиту (Datasheet) на конкретную модель.