Infineon SPW47N60C3

Отличный выбор! SPW47N60C3 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET-транзистор от Infineon Technologies. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Краткое описание

Infineon SPW47N60C3 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Он предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания (SMPS), особенно там, где критичны низкие динамические потери и высокая надежность. Ключевая особенность — оптимизация для работы в жестком режиме переключения (hard switching) на частотах до нескольких десятков кГц (например, в корректорах коэффициента мощности - PFC, LLC-резонансных преобразователях).

Основное преимущество технологии CoolMOS C3: Исключительно низкое значение Rds(on) * Qg (произведение сопротивления в открытом состоянии на заряд затвора). Это прямой показатель эффективности: при малых потерях проводимости транзистор также обладает хорошими динамическими характеристиками.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET, Superjunction (CoolMOS) | | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус с тремя выводами. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Ток стока (Id) при 25°C | 47 А | Постоянный ток в открытом состоянии. | | Ток стока (Id) при 100°C | 30 А | С учетом перегрева. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.065 Ом (65 мОм) | При Vgs=10 В, Id=24 А. Очень низкое значение для такого напряжения. | | Заряд затвора (Qg) | 120 нКл (тип.) | При Vgs=10 В. Важный параметр для расчета драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Минимальное напряжение для начала открытия. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs)| ±30 В | Запрещается превышать! Обычно управление +12В / -5В или +15В / 0В. | | Энергия восстановления (Ear) | Очень низкая | Характерно для CoolMOS, снижает потери при переключении. | | Диод сток-исток (Internal Diode) | Есть | Интегрированный быстрый обратный диод (body diode). | | Температура хранения/перехода | -55 ... +150 °C | Максимальная температура p-n перехода +150°C. | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.45 К/Вт | Сопротивление "переход-корпус". Показывает, насколько хорошо корпус отводит тепло от кристалла. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно производители используют единую маркировку, но возможны небольшие вариации. Основной парт-номер:

• SPW47N60C3 (полное название)

На корпусе транзистора чаще всего наносится сокращенная маркировка:

• 47N60C3
• W47N60C3

Совместимые модели / Прямые аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: Vds=650В, Id ~47А, Rds(on) ~0.065 Ом, корпус TO-247.

1. От Infineon (самые близкие аналоги):

• IPP47N60C3 — практически тот же транзистор, часто используется как полный аналог. Отличается в основном допусками и внутренними тестами.
• SPW47N60C3FKSA1 — вариант в ленте (tape & reel) для автоматического монтажа.
• Более новые поколения (лучшие динамические характеристики, но могут отличаться по цоколевке):
  • SPW47N60CFD (CoolMOS CFD7) — для частот до 500 кГц.
  • IPA60R360C7 (CoolMOS G7) — аналог по току/напряжению, но с другим типом корпуса (TO-220 FullPAK).

2. От других производителей (функциональные аналоги):

• STMicroelectronics: STW47N60DM2 (MDmesh™ DM2), STW48N60DM2.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCH47N60F (SuperFET® II), FCP47N60.
• Vishay (Siliconix): SUP47N60-28.
• Power Integration (в составе их микросхем): Не являются прямыми аналогами, но часто используются в схожих применениях.

Важное замечание по замене: Несмотря на схожесть электрических параметров, всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) конкретного аналога, особенно по:

• Распиновке (pinout) корпуса TO-247 (расположение Gate, Drain, Source).
• Вольт-амперной характеристике (C-V) внутреннего диода.
• Зависимости Rds(on) от температуры.
• Рекомендациям по монтажу и рабочей температуре.

Типичные области применения

• Корректоры коэффициента мощности (PFC): в блоках питания для ПК, серверов, промышленного оборудования.
• Импульсные источники питания (SMPS): особенно топологии типа полумост (half-bridge), полный мост (full-bridge), LLC-резонансные преобразователи.
• Инверторы и драйверы двигателей: для мощных нагрузок.
• Сварочное оборудование.
• UPS (источники бесперебойного питания).

Вывод

SPW47N60C3 — это классический, проверенный временем мощный MOSFET, который остается отличным выбором для построения надежных и эффективных силовых преобразователей на напряжения 400В (с запасом по 650В). Его главные козыри — низкое сопротивление в открытом состоянии и хороший баланс статических и динамических потерь благодаря технологии CoolMOS C3.