Infineon SPW12N50C3

Infineon SPW12N50C3
Артикул: 564890

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon SPW12N50C3

Отличный выбор! Infineon SPW12N50C3 — это мощный и надежный MOSFET-транзистор, пользующийся популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание, характеристики и информация о совместимости.


Описание и применение

SPW12N50C3 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Эта линейка известна своим оптимальным балансом между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg), что обеспечивает высокую энергоэффективность.

Ключевые преимущества и особенности:

  • Технология CoolMOS C3: Обеспечивает низкие коммутационные потери и высокую перегрузочную способность, что критично для импульсных преобразователей.
  • Высокое напряжение сток-исток: 500 В позволяет использовать его в сетевых (линейных) источниках питания (220/230 В).
  • Низкое сопротивление RDS(on): 0.45 Ом при 10В на затворе снижает потери на проводимость и нагрев.
  • Быстрая коммутация: Благодаря умеренному заряду затвора и внутренней емкости.
  • Планарная (Planar) технология: Надежная и проверенная временем, в отличие от более новых Superjunction (SJ) моделей серии C7/C8.
  • Встроенный демпферный диод: Обеспечивает защиту от выбросов обратного напряжения.

Типичные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) средней и большой мощности (PFC-каскады, прямоходовые и мостовые преобразователи).
  • Источники бесперебойного питания (ИБП/UPS).
  • Балласты для газоразрядных ламп.
  • Управление двигателями и индуктивными нагрузками.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | MOSFET | | Технология | CoolMOS™ C3 (Planar) | | | Корпус | TO-247 | Стандартный мощный корпус | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 500 В | Максимальное рабочее напряжение | | Максимальный непрерывный ток стока (ID) | 12 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление канала (RDS(on)) | 0.45 Ом | Типовое, при VGS = 10 В, ID = 6 А | | Заряд затвора (Qg) | 36 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 180 Вт | При Tc = 25°C (с радиатором) | | Время включения (td(on) + tr) | 18 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 50 нс (тип.) | | | Диод "сток-исток" | Встроенный быстрый восстановления | ISD = 12 A, trr ~ 180 нс |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

  • SPW11N50C3 (11A, 0.55 Ом) — менее мощный.
  • SPW13N50C3 (13A, 0.39 Ом) — более мощный.
  • SPW20N50C3 (20A, 0.19 Ом) — значительно более мощный.
  • IPP12N50C3 — версия в корпусе TO-220 (менее мощная из-за другого теплового сопротивления корпуса).

Совместимые и аналогичные модели от других производителей (Внимание! Требуется проверка по datasheet!):

При замене необходимо сверять не только основные параметры (VDSS, ID, RDS(on)), но и динамические (Qg, емкости), а также цоколевку.

  • STMicroelectronics:
    • STP12N50K5 (K5 - аналог технологии CoolMOS) - 500В, 11.5А, 0.45 Ом.
    • STW12N50K5 (в TO-247).
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP12N50 / FCP12N50F — серия Fairchild Power MOSFET.
    • NCE12N50 (от NCE Power) — популярный прямой аналог.
  • Vishay / Siliconix:
    • SUP12N50-60 (серия "60" - аналог).
  • IR (International Rectifier):
    • IRFP12N50A (более старая модель, может отличаться динамикой).

Важное примечание по аналогам: Хотя электрические параметры могут совпадать, динамические характеристики (заряд затвора Qg, емкости Ciss, Coss, Crss) и внутренняя структура могут отличаться. Это может повлиять на КПД, тепловыделение и стабильность работы в высокочастотных схемах. Всегда рекомендуется изучать даташит и, в идеале, проводить тесты в реальной схеме.


Рекомендации по использованию и замене

  1. Проверка параметров: При замене на аналог убедитесь, что ключевые параметры VDSS, ID, RDS(on) и Qg сопоставимы или лучше.
  2. Цоколевка: Большинство MOSFET в корпусах TO-247/TO-220 имеют стандартную цоколевку (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но лучше перепроверить.
  3. Драйвер: Убедитесь, что драйвер затвора вашей схемы способен обеспечить достаточный пиковый ток для заряда/разряда затвора выбранного транзистора (зависит от Qg и требуемой частоты переключения).
  4. Охлаждение: TO-247 требует обязательного использования радиатора. Надежно прикрепите транзистор к радиатору через изолирующую прокладку (при необходимости) с использованием теплопроводной пасты.

Вывод: Infineon SPW12N50C3 — это классический, надежный и хорошо себя зарекомендовавший силовой ключ для построения сетевых преобразователей мощностью до 500-700 Вт. Наличие большого количества аналогов делает его удобным для ремонта и проектирования.

Товары из этой же категории