Infineon SPD26N06S2L-35

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon SPD26N06S2L-35, включая его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Общее описание

SPD26N06S2L-35 — это N-канальный MOSFET-транзистор в популярном корпусе TO-252 (DPAK), оптимизированный для коммутации низкого напряжения (до 60 В). Он является частью серии OptiMOS™ 35 от Infineon, которая известна исключительно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса. Это делает транзистор идеальным для приложений, где критически важны высокий КПД и минимальные потери мощности.

Ключевое преимущество: Очень низкое RDS(on) (всего 26 мОм при VGS=10 В) позволяет транзистору работать с большими токами, оставаясь холодным, что уменьшает потребность в массивных радиаторах.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Logic Level) | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 60 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Непрерывный ток стока (ID) | 26 А | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 26 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 13 А | | | 35 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В, ID = 13 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 3.0 В | Тип. 2.4 В (Logic-Level, управляется от 3.3В/5В) | | Максимальное напряжение затвор-исток (VGSS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~24 нКл (тип.) | При VGS=10 В, влияет на скорость переключения | | Мощность рассеяния (PD) | ~50 Вт | Зависит от условий охлаждения | | Диод сток-исток (Body Diode) | Есть | Прямое напряжение VSD ≈ 1.3 В |

Типичные области применения

Транзистор предназначен для эффективной коммутации средних и больших токов в низковольтных цепях:

• Силовые преобразователи: DC-DC понижающие (Buck), повышающие (Boost) стабилизаторы.
• Управление двигателями: В драйверах моторов постоянного тока, сервоприводов, вентиляторов (например, в компьютерных БП, системах охлаждения).
• Силовые ключи: В автомобильной электронике (управление светом, нагревателями, соленоидами), в системах управления аккумуляторами (BMS).
• Схемы синхронного выпрямления в импульсных блоках питания.

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Прямые аналоги — это модели с максимально близкими характеристиками (корпус, напряжение, ток, RDS(on)), которые могут быть использованы для замены без пересчета схемы.

1. От Infineon (той же серии OptiMOS 35):

• IPP026N06N3 G — аналог в корпусе TO-220, с очень близкими параметрами.
• IPP030N06N3 G — 30А, 5.7 мОм (более мощный, но часто взаимозаменяем в запасе по току).
• Другие транзисторы из линейки OptiMOS™ 35, 60V в корпусе DPAK (например, с другим током: SPD20N06S2L-35, SPD30N06S2L-35).

2. От других производителей (прямые или очень близкие аналоги):

• STMicroelectronics: STP26N06L — классический аналог, но с более высоким RDS(on) (~35 мОм).
• Vishay (Siliconix): SUD26N06-35L — практически полный аналог.
• ON Semiconductor: NTD26N06L-35G — прямой конкурентный аналог.
• Fairchild/ON Semi: FDD26AN06LA0 — аналогичные параметры.
• IRF (International Rectifier): IRFZ24N (60V, 17A, 60 мОм) — более старый и слабый аналог, но часто используется в схемах с запасом.

Совместимые модели для замены (Важные замечания)

При замене необходимо проверять ключевые параметры на соответствие вашей схеме:

1. По напряжению (VDSS): Можно заменять на транзистор с равным или более высоким напряжением (например, на 75В или 100В, если они подходят по другим параметрам).
2. По току (ID): Замена на транзистор с равным или большим номинальным током безопасна.
3. По RDS(on): Желательно, чтобы сопротивление было таким же или ниже. Более высокое RDS(on) приведет к большему нагреву.
4. По управлению (VGS(th), Qg): Если схема управляется от микроконтроллера (3.3В/5В), новый транзистор также должен быть Logic-Level (с низким порогом VGS(th)). Больший заряд затвора (Qg) может потребовать усиления драйвера.

Примеры совместимых моделей для замены с проверкой:

• Если нужна максимальная эффективность (меньший нагрев): Ищите аналоги с более низким RDS(on) при том же токе и напряжении (например, из серий OptiMOS™ 40, 60, 80 от Infineon, но они часто в корпусах PG-TDSON-8).
• Если нужна прямая "дроп-ин" замена: SUD26N06-35L (Vishay) или NTD26N06L-35G (ON Semi).
• Если требуется больший запас по току: SPD30N06S2L-35 (Infineon, 30А) или IRF3205 (55V, 110A, 8 мОм в TO-220) — но это уже другой корпус и характеристики переключения.

Вывод

Infineon SPD26N06S2L-35 — это высококачественный, эффективный и надежный MOSFET для низковольтных силовых приложений. Его главные козыри — очень низкое сопротивление в открытом состоянии и возможность прямого управления от логических уровней микроконтроллеров. При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно обращая внимание на RDS(on) при вашем напряжении управления (4.5В или 10В) и заряд затвора (Qg), если работаете на высоких частотах.