Infineon SOT-223-4-BDP947H6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon SOT-223-4-BDP947H6327XTSA1 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET в популярном корпусе, предназначенный в первую очередь для коммутации в импульсных источниках питания (DC-DC преобразователи) и цепях управления нагрузкой.

Описание

Это силовой полевой транзистор (MOSFET) с низким сопротивлением в открытом состоянии (R DS(on)) и низким зарядом затвора (Q g). Такое сочетание делает его идеальным для применений, где важны высокий КПД и быстрая коммутация. Ключевая особенность — возможность работы при логическом уровне напряжения на затворе (Logic Level Gate), что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (3.3В или 5В) без использования драйверов.

Основные сферы применения:

• Импульсные стабилизаторы напряжения (Buck, Boost, Buck-Boost конвертеры)
• Управление нагрузкой (ключи для моторов, светодиодов, реле)
• Схемы синхронного выпрямления (вторичная сторона БП)
• Системы управления питанием (POL - Point of Load) в материнских платах, сетевом оборудовании.

Технические характеристики (ключевые параметры)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
• Корпус: SOT-223-4 (4 вывода). Четвертый вывод — это отдельный вывод истока (Source), соединенный с металлической теплоотводящей площадкой (таблеткой), что улучшает отвод тепла по сравнению с SOT-223-3.
• Полярность: N-канал.
• Напряжение "сток-исток" (V DSS): -30 В (Обратите внимание: в документации часто указывается абсолютное значение, но для N-канала это +30В относительно истока).
• Ток стока (I D): -12 А (непрерывный) при температуре корпуса 25°C. При 100°C — около -7.5 А.
• Сопротивление в открытом состоянии (R DS(on)): Очень низкое.
  • Max. 4.3 мОм при V GS = 10 В
  • Max. 6.5 мОм при V GS = 4.5 В (логический уровень!)
• Пороговое напряжение затвора (V GS(th)): 1.35 - 2.35 В (тип. 1.85 В) — подтверждает работу от логических уровней.
• Заряд затвора (Q g, total): ~16 нКл (типовое) при V GS = 10 В — малое значение, облегчающее управление.
• Максимальная рассеиваемая мощность (P tot): ~2 Вт (зависит от условий охлаждения и монтажа).

Part Number (Артикулы) и Совместимые / Аналогичные модели

Модель BDP947H6327XTSA1 является частью семейства OptiMOS™ от Infineon. Последние цифры и буквы часто обозначают упаковку (Tape & Reel, количество) и производственную маркировку.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon:

• BDP947H6327 — базовая часть номера без указания упаковки.
• BDP947H — основа серии. В этой же линейке могут быть варианты с другими параметрами (например, BDP940H, BDP945H и т.д. — с разным Rds(on) или напряжением).
• Аналоги в том же корпусе и близкие по параметрам от Infineon: IPD100N03S4-03 (более старая серия, но очень близкие характеристики).

Совместимые модели / Прямые аналоги от других производителей (важно проверять распиновку и datasheet!): При поиске аналога ключевые параметры: SOT-223-4, Vds = 30В, Id = 10-12А, Logic Level, Rds(on) < 6-7 мОм @ 4.5В.

• Diodes Incorporated:
  • DMT47M2LDVQ-7 — очень близкий аналог по характеристикам и корпусу.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDMC86102 — отличный аналог, SOT-223-4, Logic Level.
  • NTMFS4C10N — мощный аналог в корпусе SO-8FL, но с другой распиновкой.
• Vishay / Siliconix:
  • SQJ469EP-T1_GE3 — аналог в корпусе PowerPAK® SO-8, но электрически совместим по управлению.
• STMicroelectronics:
  • STL120N3LLH6 — в корпусе PowerFLAT™ 5x6, но с похожими параметрами.
  • Поиск в линейке STripFET™ с фильтром по SOT-223.

Важное примечание по совместимости:

1. Всегда сверяйтесь с datasheet! Особенно распиновку (Pinout) корпуса SOT-223-4. У разных производителей назначение выводов (Gate, Drain, Source1, Source2) может отличаться.
2. Перед заменой проверяйте ключевые параметры: V DSS, I D, R DS(on) при нужном вам V GS, и Q g.
3. Указанные аналоги являются функционально и электрически близкими. Для критичных по эффективности или тепловому режиму применений необходим тщательный инженерный анализ.

Вывод: Infineon BDP947H — это современный, высокоэффективный MOSFET, отлично подходящий для компактных и энергоэффективных схем преобразователя питания с управлением от логических уровней.