Infineon P9NB50FP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для полевого транзистора Infineon P9NB50FP.

Общее описание

Infineon P9NB50FP — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор с изолированным затвором), выполненный по передовой технологии CoolMOS™ FP (Fast Processing). Этот транзистор оптимизирован для работы в ключевом режиме в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback (обратноходовой преобразователь), Forward (прямоходовой) и PFC (корректор коэффициента мощности).

Ключевая особенность серии CoolMOS FP — выдающееся соотношение Rds(on) * Qg (сопротивление в открытом состоянии на заряд затвора). Это обеспечивает:

• Высокий КПД за счет низких потерь проводимости и переключения.
• Улучшенную термостабильность.
• Повышенную надежность и устойчивость к перегрузкам.
• Возможность работы на более высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).

Основная сфера применения: Блоки питания для ПК, серверов, бытовой электроники, промышленные источники питания, драйверы светодиодов.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (CoolMOS™ FP) | | | Структура | Superjunction | | | Корпус | TO-220FP (FullPAK) | Пластиковый, изолированный. Не требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор. | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 500 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить. | | Постоянный ток стока (Id) | 9 А (при Tc=25°C) | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 36 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.65 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=4.5 А. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 18 нКл (тип.) | При Vds=400 В. Влияет на потери при переключении. | | Время включения/выключения (tr/tf) | Быстрое (нс) | Конкретные значения зависят от схемы драйвера. | | Макс. температура перехода (Tj) | 150 °C | | | Класс электробезопасности | Изолированный корпус | Выдерживает высокое напряжение между кристаллом и радиатором. |

Парт-номера и аналоги (прямая совместимость)

Это транзисторы с максимально близкими или идентичными электрическими параметрами и таким же корпусом TO-220FP. Они являются прямыми аналогами для замены в большинстве схем.

1. SPP09N50C3 (Infineon) — Ближайший аналог из другой линейки Infineon.
2. STP9NB50FP (STMicroelectronics) — Функционально и электрически очень близкий аналог.
3. FQPF9N50C (Fairchild/ON Semiconductor) — Аналог в корпусе TO-220FP.
4. K9NB50FD (Fairchild/ON Semi) — Также близкий аналог.
5. IRFPE50 (International Rectifier / Infineon) — Более старый аналог, параметры могут немного отличаться.

Важное примечание: Перед заменой всегда рекомендуется:

• Сравнивать Vds, Id, Rds(on) и Qg в документации (Datasheet).
• Проверять распиновку корпуса (pinout), хотя для TO-220FP она обычно стандартная.
• Учитывать, что даже при близких параметрах, динамические характеристики (скорость переключения) могут отличаться, что в некоторых высокочастотных схемах может потребовать подстройки драйвера.

Совместимые модели (для замены с проверкой)

Эти модели имеют сопоставимые или лучшие ключевые параметры (например, большее напряжение или ток, меньшее сопротивление). Их можно рассматривать для замены, особенно если нужна повышенная надежность или они более доступны. Требуется проверка по datasheet и, возможно, незначительная доработка схемы управления.

• По напряжению и току (прямая замена "с запасом"):

  • P9NB60FP (600В, 9А) — Напряжение выше, все остальные параметры очень близки. Отличная замена для повышенной надежности.
  • 11NB50FP (500В, 11А) — Ток выше, корпус тот же.
  • SPP11N50C3 (500В, 11А) — Аналог от Infineon с большим током.

• В других корпусах (требует проверки монтажа и теплового режима):

  • SPP09N50C3 (TO-220) — Тот же кристалл, но в неизолированном корпусе TO-220. Внимание! Требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор.
  • IPA50R500CP (500В, 9.5А, TO-220 FullPAK) — Аналог от Infineon в той же серии CoolMOS.

Вывод

Infineon P9NB50FP — это надежный и эффективный MOSFET для силовой электроники средней мощности. Его основное преимущество — изолированный корпус TO-220FP, упрощающий сборку, и хороший баланс характеристик благодаря технологии CoolMOS™ FP. При поиске замены в первую очередь стоит смотреть на модели STP9NB50FP и SPP09N50C3 (последний — в другом корпусе), а для повышения надежности можно выбрать модель с большим напряжением, например, P9NB60FP.