Infineon IRFB4229PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRFB4229PBF.

Описание

Infineon IRFB4229PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, мощных DC-DC преобразователях, моторных приводах, инверторах и системах управления нагрузкой, где критически важны высокое напряжение, низкое сопротивление открытого канала и надежность.

Ключевые особенности:

• Высокое рабочее напряжение: Позволяет использовать в сетевых (offline) преобразователях и цепях с напряжением 400-600 В.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET® и низким зарядам затвора.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (EAS): Повышает надежность в индуктивных цепях.
• Планарная технология: Обеспечивает стабильность параметров и устойчивость к паразитным включениям.

Корпус: TO-220AB (сквозное отверстие), самый популярный для мощных применений.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-220AB | | | Ключевые электрические характеристики | | | | Vds | 250 В | Максимальное напряжение «сток-исток» | | Id | 130 А | Максимальный постоянный ток стока (при Tc=25°C) | | Id (имп.) | 520 А | Максимальный импульсный ток стока | | Rds(on) | 3.7 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При Vgs=10 В, Id=65 А | | | 2.8 мОм (тип.) | При Vgs=10 В, Id=65 А | | Vgs(th) | 2 - 4 В | Пороговое напряжение затвора | | Qg (общий заряд затвора) | 170 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, Vds=200 В | | Qgd (заряд переключения) | 50 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения | | Время включения (td(on)+tr) | 38 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)+tf) | 110 нс (тип.) | | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Предельные температуры | | | | Tj max | 175 °C | Максимальная температура p-n перехода | | Tstg | от -55 до +175 °C | Диапазон температур хранения |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые аналоги

При поиске замены важно учитывать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, Qgd), корпус и расположение выводов.

Прямые аналоги и эквиваленты от других производителей:

• STMicroelectronics: STW75N25, STP75N25 (менее мощные, но в том же классе).
• ON Semiconductor (Fairchild): FDP75N25, FDB75N25.
• Vishay (Siliconix): SUP75N25-25 (очень близкий аналог).
• IXYS: IXFH75N25 (высоконадежные аналоги).
• Toshiba: TK75N25W (менее распространен).

Совместимые модели в других корпусах (от Infineon):

• IRFB4229PBF — базовый корпус TO-220.
• IRFB4229PbF — то же самое, обозначение «PbF» указывает на бессвинцовое исполнение (RoHS). На практике это тот же самый компонент для современных производств.
• IRFS4229PBF — аналог в корпусе TO-262 (также известен как D²PAK или TO-263AB), предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Идентичные электрические параметры.

Что важно при замене:

1. Напряжение (Vds): Можно брать аналог с таким же или большим напряжением.
2. Ток (Id): Аналогичный или больший.
3. Сопротивление (Rds(on)): Аналогичное или меньшее.
4. Корпус и монтаж: TO-220, TO-262, D²PAK — разные варианты монтажа.
5. Характеристики переключения (Qg, Qgd): Для высокочастотных схем критически важно подбирать компонент с близкими значениями, иначе могут возникнуть проблемы с драйвером затвора (недозаряд/перезаряд, перегрев драйвера).

Вывод: Infineon IRFB4229PBF — это проверенный, надежный и мощный MOSFET, который является отраслевым стандартом для многих применений среднего и высокого уровня мощности. При замене на аналог всегда сверяйтесь с даташитом конкретного производителя, особенно в высокочастотных или критичных по надежности схемах.