Infineon IRFB23N20DPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFB23N20DPBF.

Описание и применение

Infineon IRFB23N20DPBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии Infineon OptiMOS 5. Это устройство предназначено для высокоэффективных и компактных решений в силовой электронике.

Ключевые преимущества и особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение в 20 мОм при 10 В (Vgs) обеспечивает минимальные потери мощности на проводимость и высокий КПД системы.
• Высокая стабильность и надежность: Технология OptiMOS 5 известна высокой стойкостью к лавинным нагрузкам и отличной способностью к коммутации.
• Высокий коммутационный ток: Способен выдерживать импульсный ток до 230 А, что делает его подходящим для нагрузок с высокими пусковыми токами.
• Низкий заряд затвора (Qg): Облегчает управление и позволяет использовать более простые и дешевые драйверы затвора, снижая динамические потери.
• Планарная технология: Обеспечивает повторяемость параметров и высокую надежность.
• Корпус TO-220: Классический и удобный для монтажа корпус, позволяющий эффективно отводить тепло через радиатор.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые схемы (H-мосты для моторов)
• Управление электродвигателями (например, в станках, электромобилях, подъемниках)
• Низковольтные приводы
• Системы силовой преобразовательной техники

Технические характеристики (даташит)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | N-канальный MOSFET | | | Технология | OptiMOS 5 | | | Корпус | TO-220 | | | Полярность | Enhancement Mode | |

| Предельные электрические характеристики | | | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" (Vds) | 200 В | | | Ток стока (Id) | 23 А | при Tc = 25°C | | Ток стока (Id) | 16 А | при Tc = 100°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 92 А | | | Мощность рассеивания (Pd) | 190 Вт | при Tc = 25°C | | Сопротивление "Сток-Исток" (Rds(on)) | | | | | 20 мОм | Vgs = 10 В, Id = 11.5 А | | | 25 мОм | Vgs = 4.5 В, Id = 11.5 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.7 - 3.6 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 68 нКл | Vgs = 10 В | | Время включения (td(on) + tr) | 27 нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | 43 нс | | | Диод "Сток-Исток" | Есть (интегрированный обратный диод) | | | Прямое напряжение диода (Vsd) | 1.3 В | If = 23 А, Vgs = 0 В |

| Тепловые характеристики | | | | :--- | :--- | :--- | | Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC) | 0.66 °C/Вт | | | Максимальная температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Температура хранения | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера и совместимые модели (Аналоги)

При поиске аналога или замены важно проверять не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические характеристики (Qg, емкости), а также цоколевку.

Прямые аналоги и парт-номера

Это тот же самый транзистор от Infineon, но в разных корпусах или с разной маркировкой:

• IRFB23N20DPBF-ND (популярный номер для заказа у дистрибьюторов, например, Digi-Key)
• IRFB23N20DPBF (основной парт-номер производителя)

Ближайшие аналоги по характеристикам (замена возможна, но рекомендуется сверяться с даташитом)

От Infineon:

• IRFB22N20DPBF: 200 В, 22 А, Rds(on) = 22.5 мОм. Очень близкий аналог, чуть более высокое сопротивление.
• IRFB20N20DPBF: 200 В, 20 А, Rds(on) = 27 мОм. Менее мощный, но подходит для нагрузок с меньшим током.

От других производителей:

• STMicroelectronics:

  • STP22NM20N: 200 В, 22 А, Rds(on) = 19.5 мОм. Очень близкий и популярный аналог.
  • STP20NM20N: 200 В, 20 А, Rds(on) = 24 мОм.

• Vishay / Siliconix:

  • SQJ2220EP-T1_GE3: 200 В, 22 А, Rds(on) = 19.5 мОм (в корпусе PowerPAK SO-8L).
  • SUD20N20-50: 200 В, 20 А, Rds(on) = 50 мОм (менее эффективный, но может работать в некоторых схемах).

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FDP22N20: 200 В, 22 А, Rds(on) = 21 мОм. Классический и хорошо известный аналог.
  • FQP20N20: 200 В, 20 А, Rds(on) = 24 мОм (в корпусе TO-220).

• International Rectifier (часть of Infineon):

  • IRF200P222: 200 В, 22 А, Rds(on) = 19.5 мОм. Прямой конкурент из предыдущих линеек.

Важное замечание: Перед заменой всегда сверяйтесь с технической документацией (даташитом) на конкретную модель, особенно обращайте внимание на:

1. Цоколевку (распиновку) корпуса.
2. Характеристики внутреннего диода (если он используется в вашей схеме).
3. Зависимость Rds(on) от напряжения затвора (Vgs) — если у вас в схеме низкое управляющее напряжение (например, 4.5В), транзистор может не открыться полностью.
4. Переходные характеристики (время включения/выключения, заряд затвора), если работа идет на высоких частотах.