Infineon IRF5210PBF
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IRF5210PBF
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного P-канального MOSFET Infineon IRF5210PBF.
Описание и назначение
IRF5210PBF — это классический мощный P-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Это ключевой элемент для управления (коммутации) нагрузками с отрицательным напряжением или в схемах, где требуется P-канальный транзистор (например, в схемах верхнего плеча (high-side switch) или в мостовых схемах (H-мост)).
Основные области применения:
- Управление питанием (Power Switching): В импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях (например, в топологии P-ch как верхний ключ).
- Управление двигателями: В H-мостах для реверса двигателей постоянного тока.
- Силовые реле и соленоиды: Коммутация индуктивных нагрузок.
- Статические ключи: В системах, где требуется отключать целые секции схемы от питания (load switch).
Ключевые преимущества:
- Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 0.1 Ом при напряжении затвор-исток -10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
- Высокий непрерывный ток стока (Id): До -10 А, что позволяет управлять серьезными нагрузками.
- Высокое напряжение сток-исток (Vdss): -100 В, обеспечивает запас прочности в большинстве низковольтных и средневольтных цепей.
- Проверенная надежность и стандартный корпус: Выполнен в классическом корпусе TO-220AB, удобном для монтажа на радиатор.
Основные технические характеристики (ТТХ)
Приведены абсолютные максимальные и типичные параметры при T=25°C, если не указано иное.
| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | -100 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Непрерывный ток стока | ID | -10 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала | RDS(on) | 0.100 Ом (макс.) | При VGS = -10 В, ID = -5 А | | | | 0.060 Ом (тип.) | При VGS = -10 В, ID = -10 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | от -2.0 В до -4.0 В | Стандартный разброс для P-ch MOSFET | | Емкость входная / выходная | Ciss / Coss | 580 пФ / 180 пФ (тип.) | Влияет на скорость переключения | | Макс. мощность рассеяния | PD | 43 Вт | При Tc = 25°C (с радиатором!) | | Температура перехода | TJ | от -55 до +175 °C | | | Корпус | | TO-220AB | Изолированный монтажный фланец |
Важное примечание: Поскольку это P-канальный транзистор, напряжения и токи в таблицах датчика обычно указываются как отрицательные. На практике это означает, что для его открытия на затвор относительно истока необходимо подать напряжение ниже (отрицательнее), чем пороговое VGS(th) (обычно от -5 В до -15 В для полного открытия). Сток является выходом для отрицательного тока.
Прямые аналоги и совместимые замены
При поиске замены важно совпадение ключевых параметров: полярность (P-ch), напряжение Vdss, ток Id и сопротивление Rds(on). Корпус также должен подходить для монтажа.
1. Прямые парт-номера и аналоги от других производителей (Second Source):
Эти транзисторы имеют идентичные или практически идентичные характеристики и цоколевку.
- International Rectifier (IR): IRF5210 (оригинальный номер от компании-разработчика, сейчас входит в Infineon).
- Vishay Siliconix: IRF5210 (производился по лицензии).
- Fairchild (ON Semiconductor): FQP47P10 (обратите внимание: Vdss = -100В, Id = -14A, Rds(on) ~0.07 Ом. Более высокий ток, но электрически совместим во многих схемах).
2. Близкие по характеристикам и функционально совместимые модели (от Infineon и других):
Можно использовать как замену, если ключевые параметры (Vdss, Id) не хуже, а Rds(on) сопоставимо или лучше. Всегда проверяйте даташит.
- Infineon IRF4905: Vdss = -55В, Id = -74А, Rds(on) = 0.02 Ом. Для цепей с напряжением до 55В, но с гораздо большим током.
- Infineon IRF9Z34N: Vdss = -55В, Id = -19А, Rds(on) = 0.1 Ом. Более современный аналог в корпусе TO-220.
- STMicroelectronics STP10PF06: Vdss = -60В, Id = -10А, Rds(on) = 0.18 Ом.
- ON Semiconductor NTMD6P02: Vdss = -20В, Id = -16А, Rds(on) = 0.012 Ом. Внимание! Только для низковольтных схем (до 20В).
- Vishay SUP75P06-08: Vdss = -60В, Id = -75А, Rds(on) = 0.008 Ом. Мощный аналог для цепей до 60В.
Рекомендации по замене:
- Для прямой замены (drop-in replacement) лучше всего искать IRF5210 или IRF5210PBF от Infineon или Vishay.
- При выборе аналога убедитесь, что напряжение Vdss аналога не ниже, чем в вашей схеме.
- Ток Id аналога должен быть не меньше. Больше — можно.
- Rds(on) желательно иметь такое же или ниже, чтобы не увеличивать потери.
- Всегда проверяйте распиновку (pinout) и зависимости параметров от температуры в даташите.
Итог: Infineon IRF5210PBF — это надежный, проверенный временем "рабочая лошадка" среди P-канальных MOSFET, идеально подходящий для множества задач силовой коммутации в диапазоне до 100В и 10А. Имеет широкий спектр прямых и косвенных аналогов на рынке.