Infineon IPW90R1K0C3FKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPW90R1K0C3FKSA1.

Общее описание

IPW90R1K0C3FKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7 от Infineon. Он предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (например, LLC-резонансные преобразователи, корректоры коэффициента мощности PFC).

Ключевая особенность — исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) при высокой рабочей температуре, что обеспечивает минимальные коммутационные потери и высокий общий КПД системы. Корпус TO-247 обеспечивает хороший отвод тепла.

Основное назначение: Применение в блоках питания для ПК, серверов, промышленного оборудования, телекоммуникаций, игровых консолей и другой высоконагруженной электроники.

Расшифровка обозначения (Part Number)

• IPW: Серия Infineon Power MOSFET, изолированный вывод стока (Isolated Package).
• 90: Номинальное напряжение сток-исток 900В.
• R1K0: Сопротивление открытого канала RDS(on) ≈ 1.0 мОм (при определенных условиях).
• C3: Поколение технологии CoolMOS™ C7 (C3 — внутренний код поколения).
• F: Тип корпуса TO-247.
• KSA1: Вариант упаковки и код продукции.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 900 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.100 Ом (100 мОм) | При V_GS = 10 В, I_D = 15 А, T_j = 25°C. | | | | 0.165 Ом (165 мОм) | При V_GS = 10 В, I_D = 7.5 А, T_j = 100°C. Важно для реальной работы. | | Максимальный непрерывный ток стока | I_D | 14.5 А | При T_C = 25°C (температура корпуса). | | | | 9.0 А | При T_C = 100°C. | | Максимальный импульсный ток | I_DM | 58 А | Кратковременная перегрузка. | | Заряд затвора | Q_g | 33 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В. Низкий заряд для снижения потерь на управление. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 4.5 В | Стандартный диапазон для MOSFET. | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±30 В | | | Общая рассеиваемая мощность | P_tot | 300 Вт | При T_C = 25°C (теоретический максимум). | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон. | | Тип корпуса | | TO-247 (IPW) | С изолированным (пластиковым) креплением для теплоотвода. | | Технология | | CoolMOS™ C7 (Superjunction) | Обеспечивает лучшее соотношение R_DS(on) * Q_g. |

Парт-номера и прямые аналоги (Cross-Reference)

Этот транзистор имеет несколько прямых аналогов от других производителей с очень близкими или идентичными характеристиками, которые часто используются для замены. Также существуют внутренние парт-номера Infineon.

1. Прямые аналоги от других брендов:

• STMicroelectronics: STW90N10K5 (900В, 100 мОм, TO-247) — наиболее популярный и часто используемый аналог.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP90N10 (900В, 100 мОм, TO-247).
• Vishay (Siliconix): SUP90N10-10 (900В, 100 мОм, TO-247).

2. Совместимые/альтернативные модели от Infineon (той же серии и технологии):

• IPP90R1K0C3 (TO-220 FullPAK) — в корпусе TO-220 FullPAK (с изолированной задней стенкой).
• SPW90R1K0C3 (TO-263 / D²PAK) — в корпусе для поверхностного монтажа.
• Модели с близкими параметрами из серии C7: IPW90R120C3 (120 мОм), IPW90R450C3 (450 мОм) и т.д. (менее мощные).

3. Важные замечания по совместимости:

• Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно по распиновке (pinout) корпуса, хотя для TO-247 она чаще всего стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток).
• Обращайте внимание на динамические характеристики (емкости C_iss, C_oss, C_rss, заряд Q_g), которые могут незначительно отличаться и влиять на работу драйвера в высокочастотных схемах.
• В одной и той же модели (например, от ST или ON) могут быть разные ревизии с незначительными отличиями. В большинстве случаев ремонтной замены они взаимозаменяемы.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS): Основное применение.
  • Входные ключи в PFC-каскадах (активная коррекция коэффициента мощности).
  • Ключи в первичной части резонансных (LLC) и мостовых преобразователей.
• Инверторы и драйверы двигателей (промышленные).
• Высоковольтные преобразователи для систем освещения (LED драйверы).

Вывод

Infineon IPW90R1K0C3FKSA1 — это высококачественный, высокоэффективный MOSFET для профессиональных силовых применений. Его главные преимущества — высокое напряжение 900В и очень низкое сопротивление в открытом состоянии, что делает его отличным выбором для построения энергоэффективных и надежных источников питания. Наиболее распространенным и доступным прямым аналогом для ремонта и замены является STW90N10K5.