Infineon IPW65R280E6

Infineon IPW65R280E6
Артикул: 564098

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPW65R280E6

Отличный выбор! IPW65R280E6 — это высокоэффективный и надежный силовой MOSFET от Infineon, пользующийся большой популярностью в силовой электронике. Вот подробное описание и вся ключевая информация.

Описание

Infineon IPW65R280E6 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (седьмое поколение). Эта линейка является флагманской в портфолио Infineon для жестких коммутационных режимов (hard switching) и известна своим оптимальным балансом ключевых параметров.

Ключевая философия серии E6: Минимизация произведения Rds(on) * Qg (сопротивление в открытом состоянии на заряд затвора). Это напрямую ведет к:

  • Снижению коммутационных потерь (благодаря низкому Qg).
  • Снижению потерь проводимости (благодаря низкому Rds(on)).
  • Повышению общей эффективности преобразователя, особенно в рабочих частотах от 50 кГц и выше.
  • Упрощению драйвера затвора и снижению нагрузки на него.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS): корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и мостовые топологии.
  • Инверторы и приводы двигателей.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП).
  • Промышленное силовое оборудование.
  • Сварочное оборудование.

Корпус: TO-247. Классический и широко распространенный корпус с отличными тепловыми характеристиками.


Технические характеристики (кратко)

  • Тип транзистора: N-Channel MOSFET
  • Технология: CoolMOS™ E6
  • Корпус: TO-247
  • Сток-исток напряжение (Vds): 650 В
  • Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 28 А
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
    • Макс. при Vgs=10 В: 0.280 Ом
    • Тип. при Vgs=10 В: 0.250 Ом
  • Заряд затвора (Qg) типовой: 42 нКл (при Vgs=10 В) — очень низкий показатель для такого Rds(on) и напряжения.
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.5 - 5.0 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 Вт (на изолированном радиаторе)

Полный список парт-номеров (алиасов)

Производитель часто выпускает одну и ту же кристаллическую плату (чип) в разных корпусах или с разными префиксами для разных дистрибьюторских каналов. Для IPW65R280E6 основные парт-номера:

  • SPW65R280E6 — Аналог в корпусе TO-247-3 (стандартный трехвыводной). Это наиболее распространенный и прямой аналог.
  • IPW65R280E6XKSA1 — Полный Ordering Code (код для заказа), который может указываться в спецификациях и на сайтах дистрибьюторов.

Важно: SPW65R280E6 и IPW65R280E6 — это одна и та же деталь с точки зрения электрических параметров и кристалла. Буквы "I" и "S" в префиксе часто обозначают вариант корпуса/упаковки, но в данном случае оба — TO-247.


Совместимые / Аналогичные модели (для замены)

При поиске аналога или замены необходимо сравнивать ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg и корпус. Ниже приведены модели от Infineon и конкурентов, которые находятся в одном классе и часто рассматриваются как альтернативы.

От Infineon (другие поколения CoolMOS):

  • IPW65R280E7 / SPW65R280E7 — Прямой наследник из следующего поколения CoolMOS™ E7. Имеет схожие характеристики, но с еще более улучшенным балансом потерь. Часто является рекомендуемой заменой с улучшенными параметрами.
  • IPP65R280E6 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (для меньшей мощности/размера).
  • Из предыдущих поколений (менее эффективные):
    • IPP65R250C6 (CoolMOS C6)
    • SPP20N65C3 (CoolMOS C3) — значительно устаревшая, но может встречаться в старых разработках.

От других производителей (прямые конкуренты):

  • STMicroelectronics:
    • STW65N280E6 — Прямой аналог в корпусе TO-247.
    • STP65N280E6 — В корпусе TO-220.
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FCP65N280 — Аналог из серии SuperFET® III.
  • Vishay / Siliconix:
    • SUP65N28-30-E3 — Из серии высоковольтных MOSFET.
  • Power Integration (в составе топологии): Для совсем других решений, где MOSFET встроен в чип.

Важные замечания при замене:

  1. Всегда сверяйте даташиты. Даже у прямых аналогов могут быть отличия в динамических характеристиках (Coss, Qrr), пороговом напряжении Vgs(th) и максимальных эксплуатационных температурах.
  2. Пайка. Убедитесь, что корпус и расположение выводов идентичны.
  3. Цепь затвора. При переходе на модель с другим зарядом (Qg) может потребоваться проверка работы драйвера на предмет перегрева и времени переключения.

Вывод: IPW65R280E6 — это современный, высокоэффективный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для мощных и эффективных преобразователей. Его прямым и полным аналогом является SPW65R280E6, а логичным апгрейдом — модель из серии E7.

Товары из этой же категории