Infineon IPW60R190P6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IPW60R190P6.

Описание

Infineon IPW60R190P6 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P6. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основное назначение: Применение в схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и резонансных преобразователях (LLC) в блоках питания для:

• Серверов и телекоммуникационного оборудования
• Промышленных ПК и игровых консолей
• Высококачественных аудио-усилителей класса D
• Зарядных устройств для электромобилей (EV charging)
• Источников бесперебойного питания (ИБП)

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ P6:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и выдающиеся динамические характеристики (низкие заряды Qg, Qgd) минимизируют коммутационные потери.
• Суперструнная структура (Superjunction): Позволяет достичь оптимального баланса между низким сопротивлением и высокой скоростью переключения.
• Высокая надежность: Расширенный диапазон безопасной работы (SOA), отличная стойкость к лавинным процессам и стабильность параметров.
• Оптимизация для ZVS (коммутация при нулевом напряжении): Идеально подходит для топологий LLC, где критически важны низкие потери на обратное восстановление.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | — | Технология Superjunction (CoolMOS) | | Структура корпуса | Транзистор с изолированным стоком | — | Позволяет монтировать на общий радиатор без изоляционных прокладок | | Корпус | TO-247 | — | 3 вывода | | Напряжение "сток-исток" | 600 | В (Вольт) | VDS | | Сопротивление в открытом состоянии | 0.190 | Ом (Ω) | RDS(on) макс. при VGS=10В, TJ=25°C | | Максимальный непрерывный ток стока | 23 | А (Ампер) | ID при TC=25°C | | Максимальный импульсный ток стока | 92 | А (Ампер) | IDM | | Заряд затвора (общий) | 52 | нКл (наноКулон) | Qg типовое | | Заряд затвора-сток (заряд Миллера) | 14 | нКл | Qgd типовое, критичен для скорости переключения | | Пороговое напряжение затвора | 3.0 - 5.0 | В | VGS(th) типовое 4.0В | | Максимальная рассеиваемая мощность | 300 | Вт (Ватт) | PD при TC=25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• IPP60R190P6 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус с металлической площадкой). Имеет чуть меньшую максимальную рассеиваемую мощность из-за корпуса.
• SPW60R190P6 — Аналог в корпусе TO-3PF (аналогичен TO-247, часто взаимозаменяем).
• IPP60R190P6XKSA1 — Полный порядковый номер для заказа в ленте/катушке.

2. Совместимые модели / Кросс-ссылки от других производителей (Аналоги):

• STMicroelectronics: STW60N190K5 (аналог из серии MDmesh™ K5, корпус TO-247).
• ON Semiconductor: FCP60N190 (аналог из серии SuperFET II, корпус TO-220) — требует проверки по динамическим параметрам.
• Toshiba: TK60N190W (аналог из серии DTMOS IV, корпус TO-3PF).
• Vishay (Siliconix): SUP60N190 (аналог из серии E-series, корпус TO-247).

3. Важные замечания по замене и совместимости:

• Перед заменой всегда необходимо сверять datasheet! Особенно критичны:
  • Динамические характеристики (Qg, Qgd, Qrr): Они напрямую влияют на работу драйвера и общие потери. Если заряды сильно отличаются, может потребоваться донастройка схемы управления.
  • Внутренняя индуктивность и емкости (Ciss, Coss, Crss).
  • Корпус и монтаж: TO-247, TO-3PF, TO-220 FullPAK имеют разные размеры и требования к теплоотводу.
• IPW60R190P6 является частью "семейства" P6 с RDS(on) ~0.190 Ом. В этом же семействе есть модели с другим сопротивлением (например, IPW60RxxxP6, где xxx — значение RDS(on) в миллиомах).

Вывод

Infineon IPW60R190P6 — это высококачественный, высокоэффективный MOSFET для требовательных применений в силовой электронике. Его ключевые достоинства — низкое сопротивление и оптимизация для высокочастотных резонансных схем. При замене на аналог от другого производителя обязателен тщательный анализ не только статических (VDS, RDS(on)), но и динамических параметров, чтобы гарантировать стабильность и эффективность работы конечного устройства.