Infineon IPW60R045CP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPW60R045CP.

Описание

Infineon IPW60R045CP — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CP. Эта линейка является флагманской серией для коммутационных источников питания и обеспечивает выдающееся соотношение эффективности, надежности и стоимости.

Ключевые особенности и назначение:

• Технология CoolMOS™ CP: Обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при заданной площади кристалла, что приводит к минимальным коммутационным потерям.
• Высокое напряжение: Рассчитан на напряжение 600 В, что делает его идеальным для работы в сетях 85-265 В (после выпрямления и коррекции коэффициента мощности).
• Высокая эффективность: Оптимизирован для работы на высоких частотах (десятки-сотни кГц), что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей) в импульсных источниках питания.
• Основные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, игровых консолей.
  • Источники питания для телекоммуникационного оборудования.
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в топологии "Critical Conduction Mode" (CrM) или "Continuous Conduction Mode" (CCM).
  • Инверторы и преобразователи для промышленного применения.

Корпус: TO-247. Классический и широко распространенный корпус с тремя выводами, обеспечивающий хороший отвод тепла за счет возможности установки на радиатор.

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия измерения / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление канала | R_DS(on) | 0.045 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 30 А | | Сопротивление канала | R_DS(on) | 0.060 Ом (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 15 А | Важно для работы от драйверов с низким выходным напряжением | | Постоянный ток стока | I_D | 47 А | При T_C = 25°C (с радиатором) | | Импульсный ток стока | I_DM | 188 А | Максимальный кратковременный ток | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 300 Вт | При T_C = 25°C (с идеальным радиатором) | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора | Q_g | 130 нКл (тип.) | Полный заряд, важный параметр для расчета драйвера | | Входная емкость | C_iss | 3600 пФ (тип.) | | | Время нарастания / спада | t_r / t_f | 35 нс / 25 нс (тип.) | | | Корпус | - | TO-247 | 3 вывода (Drain, Gate, Source) | | Технология | - | CoolMOS™ CP | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальный номер производителя (MPN): IPW60R045CP. Этот номер может иметь различные префиксы или суффиксы у дистрибьюторов (например, лотки, упаковка), но основа остается неизменной.

Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей

Полных пин-в-пин аналогов с абсолютно идентичными параметрами не существует, но есть множество MOSFET от других брендов, которые являются функциональными аналогами и могут использоваться для замены в схемах при корректном расчете. Ключевые параметры для поиска: 600В, ~0.04-0.05 Ом, TO-247, для PFC/SMPS.

| Производитель | Модель-аналог | R_DS(on) | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW48N60M2 | 0.038 Ом | Аналог из серии MDmesh™ M2, очень близкие параметры. | | ON Semiconductor | FCPF47N60F | 0.047 Ом | Аналог из серии SuperFET® F, хорошая альтернатива. | | ON Semiconductor | FCPF47N60NT | 0.047 Ом | Более новая серия SuperFET® III. | | Vishay / Siliconix | SUP60N06-18 | 0.045 Ом | Аналог из серии PowerMOS. | | Toshiba | TK47N60W5 | 0.045 Ом | Аналог из серии DTMOS. |

Совместимые модели из семейства Infineon CoolMOS™

Можно смело рассматривать другие чипы из серии CoolMOS™ CP с близкими параметрами, а также более новые или старые поколения. Часто они имеют схожие динамические характеристики, что важно для замены.

| Модель Infineon | R_DS(on) | Отличие / Особенность | | :--- | :--- | :--- | | IPW60R045C7 | 0.045 Ом | Более новая/актуальная версия в корпусе TO-247-3. Буква "C7" указывает на 7-е поколение CoolMOS. Является прямым аналогом и рекомендуемой заменой. | | IPP60R045C7 | 0.045 Ом | Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK. Для монтажа на меньший радиатор. | | IPW60R040C7 | 0.040 Ом | Чуть лучшее сопротивление (более высокая эффективность). | | IPW60R050C7 | 0.050 Ом | Чуть большее сопротивление (возможно, более доступен по цене). | | SPW47N60C3 | 0.045 Ом | Более старое поколение CoolMOS™ C3. Может иметь отличия в динамике. |

Важные замечания при замене

1. Проверьте распиновку (pinout): Хотя у TO-247 она стандартна (1-Gate, 2-Drain, 3-Source), всегда сверяйтесь с даташитом.
2. Динамические параметры: Особое внимание на заряд затвора (Qg) и внутренние индуктивности. Сильные отличия могут потребовать корректировки драйвера затвора.
3. Паразитный диод: Характеристики встроенного обратного диода (скорость восстановления) могут различаться, что критично для некоторых топологий (например, PFC).
4. Тепловые характеристики: Коэффициент теплового сопротивления (R_thJC) может отличаться, что влияет на температурный режим.

Рекомендация: Для прямой замены в ремонте или новой разработке лучшим выбором является IPW60R045C7 от Infineon. Если он недоступен, следует искать аналоги, ориентируясь не только на R_DS(on) и напряжение, но и на назначение (SMPS, PFC) и динамические параметры.