Infineon IPP037N08N3

Конечно, вот подробное описание мощного MOSFET-транзистора Infineon IPP037N08N3, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon IPP037N08N3 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS 3. Этот транзистор предназначен для применения в силовых цепях, где требуются высокий КПД, низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрое переключение.

Ключевые особенности и преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 3.7 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокий непрерывный ток: Способен выдерживать до 75 А при температуре корпуса 25°C, что делает его подходящим для высокотоковых применений.
• Низкое напряжение затвора (Logic Level): Полностью открывается уже при напряжении затвор-исток (Vgs) от 4.5 В до 10 В, что позволяет управлять им напрямую от большинства микроконтроллеров и логических схем без использования драйверов высокого напряжения.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям затвора, транзистор может работать на высоких частотах, что важно для импульсных источников питания и ШИМ-контроллеров.
• Превосходное качество и надежность: Продукция Infineon известна высокой стойкостью к лавинным пробоям и качественной сборкой.
• Корпус TO-220: Классический и широко распространенный корпус, удобный для монтажа как на печатную плату, так и на внешний радиатор для эффективного отвода тепла.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Силовые инверторы и преобразователи напряжения
• Управление двигателями (например, в электромобилях, станках с ЧПУ)
• Схемы синхронного выпрямления
• Системы управления батареями (BMS)
• Высокотоковые ключи и статические реле

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Logic Level) | - | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 80 В | - | | Непрерывный ток стока (Id) | 75 А | при T_c = 25°C | | Сопротивление Rds(on) | 3.7 мОм | Vgs = 10 В | | | 5.0 мОм | Vgs = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | - | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 60 нКл | Vgs = 10 В | | Мощность (Pd) | 300 Вт | при T_c = 25°C | | Корпус | TO-220 | - | | Упаковка | Транзистор одиночный (не парный) | - |

Парт-номера и совместимые модели

Парт-номера — это альтернативные обозначения того же самого компонента, которые могут использоваться в различных каталогах или системах заказа. Обычно для IPP037N08N3 это выглядит так:

• SP037N08N3 (часто используется как парт-номер для заказа)
• IPP037N08N3XKSA1 (полный номер для заказа, включающий информацию об упаковке и пр.)

Прямые аналоги и совместимые замены

При поиске аналога важно учитывать не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и характеристики переключения, корпус, а также расположение выводов.

Прямые аналоги от Infineon (в корпусе TO-220):

• IPP032N08N3 (80 В, 100А, 3.2 мОм) — немного лучше по току и сопротивлению.
• IPP040N08N3 (80 В, 70А, 4.0 мОм) — очень близкий аналог, чуть более высокое сопротивление.
• IPP030N08N3 (80 В, 100А, 3.0 мОм) — более мощная версия.

Совместимые аналоги от других производителей:

• International Rectifier (ныне часть Infineon):

  • IRFB3077 (75 В, 210А, 3.3 мОм) — очень популярный и мощный аналог.
  • IRFB3206 (60 В, 180А, 2.0 мОм) Внимание: напряжение ниже!

• Vishay (Siliconix):

  • SUD75N08-10 (80 В, 75А, 10.0 мОм) — значительно хуже по Rds(on).
  • SQ3418EA (100 В, 50А, 6.9 мОм) — аналог по напряжению, но с меньшим током.

• STMicroelectronics:

  • STP75N08 (80 В, 80А, 9.0 мОм) — значительно хуже по Rds(on).
  • STH130N8F7 (80 В, 130А, 1.3 мОм) — более современный и мощный аналог (технология FDmesh).

• ON Semiconductor (Fairchild):

  • FDP088N08B (80 В, 100А, 8.8 мОм) — значительно хуже по Rds(on).

Важное замечание: Хотя многие из перечисленных транзисторов имеют схожие или даже лучшие вольт-амперные характеристики, они могут отличаться по динамическим параметрам (емкостям, заряду затвора). При замене в существующей схеме, особенно высокочастотной, всегда рекомендуется проверять работу на реальном устройстве или проводить моделирование. Наиболее безопасной и прямой заменой являются другие транзисторы из семейства Infineon OptiMOS 3 с похожими параметрами.