Infineon IPB009N03LG

Infineon IPB009N03LG
Артикул: 563928

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPB009N03LG

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для Infineon IPB009N03LG.

Описание

Infineon IPB009N03LG — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™ 3. Это низковольтовый (30V) компонент, разработанный для обеспечения исключительно низкого сопротивления в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективности переключения.

Ключевые особенности и применение:

  • Основное назначение: Применяется в схемах, где критически важны минимальные потери мощности и высокая энергоэффективность. Идеален для управления мощной нагрузкой в качестве электронного ключа.
  • Ключевые преимущества:
    • Сверхнизкое RDS(on): 0.95 мОм (максимум) при 10 В на затворе. Это означает очень малые потери на нагрев в открытом состоянии.
    • Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям затвора, что снижает динамические потери.
    • Высокая надежность: Технология OptiMOS известна высокой стойкостью к лавинным нагрузкам (UIS).
  • Типичные области применения:
    • Системы управления питанием на материнских платах (CPU/GPU VRM - Voltage Regulator Module).
    • DC-DC преобразователи (синхронное выпрямение и верхние/нижние ключи).
    • Управление двигателями в маломощных приводах.
    • Активная нагрузка и цепи защиты в источниках питания.
    • Системы управления батареями (BMS).

Корпус: Выполнен в популярном корпусе TO-263 (D²Pak), который предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и имеет удобную металлическую площадку для эффективного отвода тепла на радиатор.


Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | OptiMOS™ 3 | | | Корпус | TO-263 (D²Pak), 7-выводной | Пин 1, 5, 6, 7 - Drain | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 30 В | | | Непрерывный ток стока (ID) | 100 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.95 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 50 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.8 - 3.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~ 65 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 250 Вт | При Tc = 25°C |


Парт-номера и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько обозначений в зависимости от упаковки и маркировки. Также существуют прямые функциональные аналоги от других производителей.

1. Парт-номера Infineon для той же микросхемы:

  • IPB009N03L G — полное коммерческое наименование (TO-263).
  • IPB009N03L GXKSA1 — возможно, полный код заказа, включающий упаковку (например, на катушке).
  • На корпусе обычно нанесена маркировка: 009N03L или IPB009N03L.

2. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: При поиске аналога важно сравнивать ключевые параметры: VDSS (30В), ID (100А), RDS(on) (~1 мОм), корпус (TO-263/D²Pak) и заряд затвора (Qg).

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SiR100DP | Очень популярный и распространенный аналог с близкими параметрами (0.95 мОм, 100А, 30В). Часто используется как прямая замена. | | ON Semiconductor | NTMFS100N03 | Аналог из линейки TrenchMOS, параметры схожи. | | STMicroelectronics | STL100N3LLH6 | Модель из серии STripFET™, хорошая альтернатива. | | Nexperia | PSMN1R0-30YLD | Высококачественный аналог с аналогичными характеристиками. | | Alpha & Omega Semiconductor | AON6290 | Еще один возможный вариант для замены. |


Важные замечания по замене и совместимости

  1. Не является полным аналогом 100%: Даже при схожих электрических параметрах могут отличаться динамические характеристики (емкости, время задержки), что может быть критично в высокочастотных схемах (например, в VRM). Всегда необходим анализ даташитов.
  2. Распиновка (Pinout): Крайне важно проверять распиновку корпуса. У 7-пинового D²Pak могут быть вариации в подключении Drain (сток) и Source (исток). У IPB009N03LG Drain — это выводы 1,5,6,7 и металлическая площадка.
  3. Тепловой режим: Эффективность замены сильно зависит от возможности отвода тепла. Более высокое RDS(on) даже на доли миллиома приведет к большему нагреву.
  4. Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами (datasheet) обоих компонентов, особенно разделы Electrical Characteristics и Typical Performance Characteristics.

Вывод: Infineon IPB009N03LG — это высокоэффективный силовой ключ для низковольтных приложений, где на первом месте стоит энергоэффективность. Его наиболее распространенным и проверенным прямым аналогом является Vishay SiR100DP.

Товары из этой же категории