Infineon IHW30N160R5XKSA1

Infineon IHW30N160R5XKSA1
Артикул: 563794

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IHW30N160R5XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для транзистора Infineon IHW30N160R5XKSA1.

Описание

Infineon IHW30N160R5XKSA1 — это мощный IGBT-транзистор с кремниевым диодом обратного хода (антипараллельным диодом) в корпусе TO-247. Он принадлежит к пятой поколению технологии TrenchStop™ от Infineon, которая обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (VCE(sat)) и высокой стойкость к короткому замыканию.

Этот компонент разработан для работы на высоких частотах переключения, что делает его идеальным решением для энергоэффективных и компактных преобразователей мощности.

Ключевые особенности и преимущества:

  • Высокое напряжение: 1600 В, что позволяет использовать в схемах с напряжением до 1100 В.
  • Технология TrenchStop™ 5: Обеспечивает низкие коммутационные потери и низкое напряжение насыщения.
  • Высокая стойкость к короткому замыканию: 5 мкс, что повышает надежность системы в аварийных режимах.
  • Встроенный диод обратного хода (Emitter Controlled Diode - ECD): Позволяет току течь в обратном направлении, что необходимо для индуктивных нагрузок (например, в мостовых схемах инверторов).
  • Позитивный температурный коэффициент VCE: Облегчает параллельное соединение нескольких транзисторов для увеличения общей мощности.
  • Корпус TO-247: Стандартный и удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками.

Основные области применения:

  • Сварочное оборудование
  • Индукционный нагрев
  • Силовые источники питания (SMPS)
  • Промышленные приводы двигателей
  • Системы накопления энергии (ESS) и солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCES | 1600 | В | | Максимальный постоянный ток коллектора (при Tc=80°C) | IC @ 80°C | 43 | А | | Максимальный импульсный ток коллектора | ICM | 86 | А | | Напряжение коллектор-эмиттер ( saturation ) | VCE(sat) | 2.15 (тип.) | В | | Напряжение насыщения диода | VEC | 2.6 (тип.) | В | | Входная емкость | Cies | 3660 | пФ | | Энергия включения | Eon | 7.5 | мДж | | Энергия выключения | Eoff | 2.8 | мДж | | Стойкость к короткому замыканию | tsc | 5 | мкс | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.35 | К/Вт | | Максимальная температура перехода | Tvj | +175 | °C |


Парт-номер (Part Number) и Поставщики

Указанный номер IHW30N160R5XKSA1 является полным порядковым номером производителя (MPN - Manufacturer Part Number) от Infineon.

Иногда у дистрибьюторов или в системах проектирования (CAD) он может фигурировать в slightly different форматах, но это один и тот же компонент:

  • IHW30N160R5 — это базовая часть номера, обозначающая семейство.
  • XKSA1 — это суффикс, который может указывать на вариант поставки (например, на ленте и в катушке для автоматизированной сборки), версию или партию.

При поиске и заказе рекомендуется использовать полный номер: IHW30N160R5XKSA1.


Совместимые модели (Аналоги)

При поиске аналога необходимо учитывать ключевые параметры: напряжение 1600В, ток ~40-60А, наличие встроенного обратного диода и корпус TO-247.

Прямые и близкие аналоги от других производителей:

  • ON Semiconductor (Fairchild):

    • FGH40N160SMD — IGBT 1600В, 40А, с диодом, TO-247. Очень близкий аналог по параметрам.
    • FGH60N160SMD — IGBT 1600В, 60А, с диодом, TO-247 (более высокий ток).
  • STMicroelectronics:

    • STGW40H160DF — IGBT 1600В, 40А, с диодом, TO-247. Также очень хороший аналог.
  • Microsemi (Microchip):

    • APT50GF160J — IGBT 1600В, 50А, с диодом, TO-247.
  • IXYS (Littelfuse):

    • IXGH48N160C3H1 — IGBT 1600В, 48А, с диодом, TO-247.

Важные замечания по замене:

  1. Не является прямым drop-in replacement: Несмотря на схожесть характеристик, всегда необходимо сверяться с даташитами обоих компонентов. Могут отличаться характеристики драйвера (величина и полярность напряжения затвора VGE), динамические параметры (скорость переключения, потери Eon/Eoff), а также внутренняя разводка выводов.
  2. Перед заменой обязательно:
    • Внимательно изучить datasheet на аналог.
    • Сравнить цоколевку (pinout).
    • Проверить, подходит ли схема управления затвором (драйвер) по току и напряжению.
    • Убедиться, что тепловой режим и условия охлаждения остаются в допустимых пределах для нового компонента.

Для получения самой актуальной информации всегда обращайтесь к официальному даташиту (datasheet) на компонент на сайте Infineon.

Товары из этой же категории