Infineon iHW15N120E1XKSA1

Infineon iHW15N120E1XKSA1
Артикул: 563780

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon iHW15N120E1XKSA1

Отличный выбор! Infineon iHW15N120E1XKSA1 — это высоковольтный IGBT-транзистор, разработанный специально для индукционного нагрева и других высокочастотных резонансных приложений. Он сочетает в себе преимущества IGBT и диода в одном корпусе.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Описание и ключевые особенности

iHW15N120E1XKSA1 — это N-канальный IGBT с ультрабыстрым мягким восстановлением антипараллельным диодом в корпусе TO-247. Он принадлежит к специальной линейке IHW (Induction Heating, Hard Switching), оптимизированной для работы в жестких условиях переключения, характерных для схем индукционного нагрева (мостовые, полумостовые инверторы).

Основные преимущества:

  • Оптимизация для индукционного нагрева: Конструкция чипа и технология производства направлены на минимизацию коммутационных потерь при высокой частоте переключения (обычно 15-40 кГц).
  • Интегрированный диод: Наличие антипараллельного диода с мягким восстановлением (Soft Recovery) критически важно для режимов обратного восстановления в мостовых схемах, что повышает надежность всей системы.
  • Низкое насыщенное напряжение (Vce(sat)): Обеспечивает низкие проводимые потери в открытом состоянии.
  • Расширенная область безопасной работы (RBSOA): Устойчив к одновременному воздействию высокого напряжения и тока во время выключения, что характерно для жесткого переключения.
  • Высокая стойкость к короткому замыканию (SCSOA): До 10 мкс, что обеспечивает защиту в аварийных ситуациях.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | VCES | 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Постоянный ток коллектора | IC (25°C) | 30 А | При температуре корпуса 25°C. | | Постоянный ток коллектора | IC (100°C) | 15 А | При температуре корпуса 100°C. Номинальный рабочий ток. | | Ток коллектора импульсный | ICM | 60 А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | VCE(sat) | 2.1 В (тип.) | При IC=15A, VGE=15V. Показывает проводимые потери. | | Энергия выключения | Eoff | 0.65 мДж (тип.) | Ключевой параметр для коммутационных потерь. При IC=15A, VCC=600V. | | Сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.65 °C/Вт | Термическое сопротивление от кристалла к корпусу. Чем меньше, тем лучше охлаждение. | | Температура перехода | Tj | -40 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Заряд затвора | Qg | 75 нКл (тип.) | При VGE=15V. Влияет на требования к драйверу затвора. | | Параметры встроенного диода: | | | | | Прямой ток диода | IF | 15 А | Номинальный ток диода. | | Обратное время восстановления | trr | 65 нс (тип.) | Мягкое восстановление снижает выбросы напряжения. | | Заряд восстановления | Qrr | 0.45 мкКл (тип.) | При IF=15A, di/dt=1000 A/мкс. |

Важное примечание: Все данные приведены для справки. Для проектирования необходимо использовать официальный даташит (Datasheet).

Совместимые и аналогичные модели (Парт-номера / Cross-reference)

При поиске замены или аналога важно учитывать не только основные параметры (1200В / 15А), но и специализацию для индукционного нагрева (быстрый диод, Eoff).

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

  • IKW15N120T2 (более старая, но очень популярная и проверенная модель из серии TrenchStop 2. Часто используется как аналог).
  • IKW15N120H3 (более современная серия H3 с улучшенными характеристиками).
  • IHW15N120R3 (очень близкий аналог из той же серии IHW, возможно с незначительными отличиями в Eoff или Vce(sat)).
  • IHW20N120R3 (аналог на 20А, в корпусе TO-247. Мощнее, но с аналогичными характеристиками).
  • IHW15N120E1 (та же модель, но без суффикса "XKSA1", который часто указывает на тип упаковки/лотка).

2. Аналоги от других производителей (Внимание! Требуется проверка по даташиту):

  • STMicroelectronics: STGW15N120KD (IGBT с быстрым диодом, популярный аналог для ВЧ-приложений).
  • Fuji Electric: 15N120 (нужно уточнять серию, например, с диодом).
  • ON Semiconductor: NGTB15N120FL2WG (серия Field Stop IGBT с мягким диодом).
  • IXYS (Littelfuse): IXGH15N120B или IXGH15N120BD1 (с диодом).

Ключевые области применения

  • Платы индукционных варочных поверхностей (наиболее частое применение).
  • Промышленные установки индукционного нагрева (для ковки, пайки, плавки).
  • Высокочастотные инверторы и источники питания.
  • Устройства плавного пуска двигателей.

Рекомендация: При замене всегда сверяйтесь с даташитами, особенно разделы, касающиеся динамических характеристик (Eoff, Qrr) и диаграмм безопасной работы (SOA). Параметры драйвера затвора (сопротивление, напряжение) также должны соответствовать рекомендациям для новой модели.

Товары из этой же категории