Infineon HYB39D32323TQ-5

тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon HYB39D32323TQ-5
Infineon HYB39D32323TQ-5 – Описание и технические характеристики
Описание
Infineon HYB39D32323TQ-5 – это синхронная динамическая оперативная память (SDRAM) с высокой производительностью, предназначенная для использования в различных электронных устройствах, включая компьютеры, сетевые устройства, телекоммуникационное оборудование и промышленные системы.
Эта микросхема памяти имеет организацию 4M × 32 (128 Мбит) и работает на частоте 166 МГц (CL3), обеспечивая быстрый доступ к данным.
Ключевые технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип памяти | SDRAM (Synchronous DRAM) |
| Объем | 128 Мбит (4M × 32) |
| Напряжение питания | 3,3 В ± 0,3 В |
| Тактовая частота | 166 МГц |
| Время доступа (tAC) | 5,4 нс |
| CAS Latency (CL) | 3 |
| Корпус | TSOP-II (86-контактный) |
| Температурный диапазон | Коммерческий (0°C до +70°C) |
| Организация банков | 4 банка |
| Интерфейс | Полностью синхронный |
Парт-номера и совместимые модели
В зависимости от производителя и маркировки, аналогичными или совместимыми микросхемами могут быть:
- Samsung
- K4S641632D-TC75
- K4S641632F-TC75
- Micron
- MT48LC4M32B2-75 (4M × 32, 166 МГц)
- Hynix
- HY57V283220T-7
- Nanya
- NT5SV32M4CT-7K
- Elpida
- EDD32323TA-5
Применение
- Материнские платы ПК и серверов
- Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы
- Промышленные контроллеры
- Телекоммуникационное оборудование
Эта память совместима с системами, поддерживающими стандартные 3,3 В SDRAM-модули с 32-битной шиной данных.