Infineon FF150R12KS4

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели модуля IGBT Infineon FF150R12KS4.

Описание

Infineon FF150R12KS4 — это высоковольтный, высокотоковый IGBT-модуль в классическом промышленном корпусе (34-пин, стандарт "полумодуль"). Это один из самых популярных и проверенных временем модулей в своем классе, являющийся отраслевым стандартом для мощных преобразователей энергии.

Ключевые особенности и применение:

• Технология: Использует проверенную технологию IGBT 3-го поколения (Trench/Fieldstop), которая обеспечивает оптимальный баланс между низкими потерями на проводимость и коммутацией.
• Конструкция: Модуль содержит два одинаковых IGBT-ключа с обратными диодами (топологи "полумост" или "два транзистора с общим эмиттером"). Это позволяет строить на одном модуле однофазный мост, а на трех модулях — трехфазный инвертор.
• Основные области применения:
  • Промышленные частотные преобразователи (ПЧ) для управления асинхронными двигателями.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП) высокой мощности.
  • Сварочное оборудование.
  • Системы рекуперации энергии.
  • Исполнительные механизмы и сервоприводы.

Преимущества:

• Высокая надежность и долгий срок службы благодаря технологии пайки без припоя (PressFIT) силовых выводов и мощной керамической изоляционной пластине (DCB-подложка).
• Высокая перегрузочная способность по току.
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры.
• Широкое распространение и доступность на рынке, в том числе вторичном.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Класс напряжения (Vces) | 1200 В | Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | | Номинальный ток (Ic @ 80°C) | 150 А | Постоянный ток при температуре корпуса 80°C | | Максимальный ток (Ic max) | 300 А | Пиковый кратковременный ток | | Конфигурация чипов | 2 x IGBT + 2 x Диод | Два независимых ключа (полумодуль) | | Падение напряжения (Vce sat) | ~2.35 В (тип.) | При Ic=150A, Vge=15В | | Энергия включения/выключения (Eon/Eoff) | ~45 мДж / 30 мДж (тип.) | Зависит от условий работы | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c))* | 0.12 К/Вт (на ключ) | Переход-корпус | | Максимальная температура перехода (Tvj max) | +150 °C | Для IGBT и диода | | Напряжение изоляции (Visol) | 2500 В (эфф.) | Между чипами и базовой пластиной | | Встроенный термистор | Да, NTC | Для контроля температуры | | Вес | ~ 200 г | | | Монтаж | Винтовое соединение (M6) | Силовые выводы и базовая пластина |

Парт-номера и Совместимые модели

Этот модуль имеет несколько вариантов обозначений и множество аналогов от других производителей, так как его электрические и механические параметры являются отраслевым стандартом.

1. Прямые парт-номера Infineon (аналогичные по характеристикам):

• FF150R12KT4 — Более новая версия с улучшенными диодами (EmCon4), меньшими обратными восстановленными потерями. Часто рекомендуется как прямая замена для новых разработок.
• FF150R12KE3 — Предыдущее поколение (IGBT E3). Может иметь чуть большие потери.
• FF150R12RT4 — Модуль в корпусе с повышенным креплением (61mm), улучшенные характеристики по току/напряжению.

2. Совместимые модели от других производителей (прямые или близкие аналоги):

• SEMIKRON:
  • SKM 150GB12T4 (очень близкий аналог, часто взаимозаменяем)
  • SKM 150GB12V1
• Fuji Electric:
  • 2MBI150N-120 (серия "N", популярный аналог)
  • 2MBI150U2B-120
• Mitsubishi Electric:
  • CM150DY-12H (классический аналог)
  • CM150DY-12S
• Hitachi / Mitsubishi (серия HVIGBT):
  • MBN150S12A2
• IXYS (Littelfuse):
  • MII150-12A3
• Dynex / Semelab:
  • DG150N120

3. Важные замечания по совместимости:

1. Механическая: Все перечисленные аналоги имеют идентичную или очень близкую механическую конструкцию: расположение и шаг отверстий для крепления, высота и расположение силовых и управляющих выводов. Это позволяет устанавливать их на одну и ту же охлаждающую поверхность (радиатор) и плату управления.
2. Электрическая: Номинальные значения напряжения (1200В) и тока (150А) совпадают. Однако параметры могут отличаться: напряжение насыщения (Vce sat), динамические характеристики (Eon/Eoff), параметры встроенного диода. Это может потребовать корректировки драйвера (сопротивление в затворе Rg) для оптимизации потерь и предотвращения перенапряжений.
3. Термистор: Обязательно проверяйте сопротивление и характеристику (B-константу) встроенного NTC-термистора. Они могут различаться у разных производителей, что потребует изменения в схеме контроля температуры.
4. Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами обоих модулей, особенно разделы, касающиеся максимальных рабочих условий, характеристик диода и монтажных моментов.

Вывод: Infineon FF150R12KS4 — это надежный, "рабочая лошадка" для мощных инверторов. Его популярность обеспечивает широкий выбор как оригинальных модулей, так и функциональных аналогов от других ведущих производителей, что важно для ремонта и модернизации оборудования.