Infineon DD175N30K

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon DD175N30K.

Общее описание

Infineon DD175N30K — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии OptiMOS™-5. Он принадлежит к семейству высокоэффективных компонентов, разработанных для приложений, где критически важны низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокие показатели переключения.

Ключевая особенность этой модели — использование корпуса TO-247, который обеспечивает отличный отвод тепла благодаря трем выводам и возможности крепления к радиатору. Это делает транзистор идеальным для мощных и сильноточных применений.

Основные сферы применения:

• Силовые блоки питания (SMPS), особенно в топологиях синхронного выпрямления и первичной коммутации.
• Мостовые схемы (H-мосты) для управления двигателями (промышленные приводы, электромобили).
• Инверторы и преобразователи напряжения (солнечные инверторы, сварочное оборудование).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Системы управления батареями (BMS) для разрядных цепей.

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | | | Технология | OptiMOS™-5 | Пятое поколение, оптимизировано для КПД. | | Корпус | TO-247 | С тремя выводами. | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS = 300 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Непрерывный ток стока | I_D = 175 А | При температуре корпуса 25°C. | | Импульсный ток стока | I_DM = 700 А | Максимальный кратковременный пиковый ток. | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) = 1.8 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При V_GS=10 В, I_D=88 А. Чем меньше, тем ниже потери на проводимость. | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) = 2.3 - 4.5 В | Тип. 3.5 В. Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Заряд затвора | Q_g = 220 нКл (тип.) | При V_GS=10 В. Влияет на сложность и потери в драйвере управления. | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot = 520 Вт | При температуре корпуса 25°C (с идеальным радиатором). | | Температура перехода | T_j = -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Класс ESD-защиты | > 2 кВ (HBM) | По модели человеческого тела. |

Part Numbers (Парт-номера и аналоги)

1. Прямые парт-номера Infineon: Обычно один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах. Ближайший аналог в другом популярном корпусе:

• IPLU300N30K5 — аналог в корпусе TO-220. Имеет те же ключевые характеристики (300В, 1.8 мОм), но рассчитан на меньший непрерывный ток (120 А) из-за меньшего корпуса.

2. Совместимые / Аналогичные модели от других производителей: При поиске замены важно сравнивать V_DSS, R_DS(on), I_D, Q_g и корпус. Прямых 100% аналогов может не быть, но следующие модели находятся в том же классе:

• STMicroelectronics:

  • STW75N30DM2 (300В, 1.9 мОм, 75А, TO-247) — Мощность и RDS(on) близки, но ток ниже.
  • STW88N30K5 (300В, 1.8 мОм, 88А, TO-247) — Более близкий аналог по параметрам.

• ON Semiconductor / Fairchild:

  • FCH75N30 (300В, 2.0 мОм, 75А, TO-247)
  • FCH100N30 (300В, 1.8 мОм, 100А, TO-247)

• Vishay / Siliconix:

  • SUP75N30-30 (300В, 2.0 мОм, 75А, TO-247)

• IXYS:

  • IXFH170N30 (300В, 2.0 мОм, 170А, TO-247) — Очень близкий аналог по току и напряжению.

3. Внутренние аналоги в семействе OptiMOS™-5 300В: Можно подобрать модель с другими компромиссами между RDS(on) и зарядом затвора:

• DD190N30K5 — Чуть ниже сопротивление RDS(on) (1.6 мОм), но выше заряд затвора.
• DD140N30K5 — Чуть выше сопротивление RDS(on) (2.2 мОм), но ниже заряд затвора.

Важные замечания по применению и замене

1. Не является логическим уровнем: Стандартное напряжение управления затвором (V_GS) для полного открытия — 10 В. Хотя транзистор может начинать открываться при ~3.5 В, для достижения заявленного низкого RDS(on) необходимо 10В.
2. Тепловой режим: Указанная мощность 520 Вт достижима только с массивным радиатором и идеальными условиями. На практике необходимо рассчитывать тепловой режим, исходя из реальных потерь и температуры окружающей среды.
3. Замена: При замене на аналог обязательно сверяйтесь с даташитами, особенно графиками зависимости RDS(on) от тока и температуры, а также характеристиками внутреннего диода (если он используется в схеме). Также обратите внимание на разводку выводов (pinout) корпуса, которая может отличаться у разных производителей.
4. Драйвер затвора: Из-за значительного заряда затвора (Q_g) необходим достаточно мощный драйвер, способный быстро заряжать и разряжать емкость затвора для минимизации потерь на переключение.

Рекомендация: Для критичных по надежности и производительности проектов всегда используйте официальный даташит (datasheet) от Infineon на конкретную модель DD175N30K.