Infineon BSM25GB120DN2

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon BSM25GB120DN2.

Общее описание

BSM25GB120DN2 — это дискретный двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT) в компактном корпусе DIP-IPM (Dual Independent Package), предназначенный для построения силовых полумостовых инверторных схем. Он сочетает в себе высокоэффективный IGBT третьего поколения (TrenchStop 3) и быстрый антипараллельный диод в одном изолированном корпусе.

Ключевые особенности:

• Назначение: Преобразование постоянного тока в переменный (инвертор). Идеально подходит для управления электродвигателями в бытовой и промышленной технике (например, приводы вентиляторов, насосов, компрессоров, ЧП).
• Конфигурация: Два независимых IGBT с обратными диодами. Позволяет собрать один полумост (Half-Bridge) или использовать ключи в разных фазах.
• Технология: IGBT с технологией TrenchStop 3, что обеспечивает низкое падение напряжения в насыщении (Vce(sat)) и, как следствие, меньшие потери на проводимость и перегрев.
• Изоляция: Корпус обеспечивает электрическую изоляцию (до 2500 В) между кристаллами и монтажным радиатором, что упрощает конструкцию системы охлаждения.
• Упрощение монтажа: В модуль уже встроены быстрые антипараллельные диоды, что избавляет от необходимости их внешней установки.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | 2 x NPT IGBT + 2 x диод | Два независимых ключа | | Коллектор-Эмиттер напряжение | Vces = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый IGBT | | Непрерывный ток коллектора | Ic (25°C) = 25 А | При температуре корпуса 25°C | | Непрерывный ток коллектора | Ic (80°C) = 15 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный параметр) | | Ток коллектора (импульсный) | Icm = 50 А | | | Напряжение насыщения | Vce(sat) = 2.15 В (тип.) @ Ic=25A | Низкое значение благодаря технологии TrenchStop 3 | | Падение на диоде | Vf = 2.0 В (тип.) @ If=25A | | | Мощность рассеяния | Ptot = 125 Вт | Суммарная на модуль | | Температура перехода | Tj max = +150 °C | | | Температура хранения | Tstg = от -40 до +125 °C | | | Изоляционное напряжение | Visol = 2500 В (эфф.) | Между кристаллами и основанием | | Входная емкость | Cies = 1800 пФ | Влияет на требования к драйверу | | Заряд затвора | Qg = 110 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера | | Вес | ~10 г | |

Корпус: DIP-IPM (мини-корпус), 4 контакта (коллектор и эмиттер каждого ключа выведены отдельно). Монтажное отверстие для крепления к радиатору.

Парт-номера и прямые аналоги

Прямые аналоги — это модули с идентичной распиновкой, электрическими и механическими характеристиками, позволяющие выполнить замену без изменения печатной платы и схемы управления.

Прямые аналоги (Drop-in Replacement):

• Fuji Electric: 2MBi25VN-120-50 — практически полный аналог по характеристикам и корпусу.
• Mitsubishi Electric: CM25DY-12H — очень близкий аналог, один из самых распространенных на рынке.
• Semikron: SKM25GB120V — аналогичный модуль от другого ведущего производителя.

Функциональные аналоги и совместимые модели:

Эти модули имеют схожие параметры (1200В, ~25А) и конфигурацию (полумост), но могут отличаться корпусом, распиновкой или динамическими характеристиками. Требуется проверка посадочного места и схемы управления.

• Infineon: BSM25GD120DN2 (аналогичный, но в другом корпусе).
• ON Semiconductor: FGA25N120ANTD (в корпусе TO-3PF, требует другого монтажа).
• STMicroelectronics: STGW25H120DF3 (одиночный IGBT, для замены нужны два и отдельные диоды — не модуль).
• IXYS: MII25-12A2 (серия IXXH).

Важные замечания по применению и замене

1. Проверка распиновки (Pinout): При замене на аналог обязательно сверяйте распиновку корпуса. Прямые аналоги (Fuji, Mitsubishi) ее сохраняют.
2. Драйвер затвора: Модуль требует правильного драйвера. Необходимо обеспечить:
   • Оптимальное напряжение затвора (обычно +15В для открытия, -5...-15В для надежного закрытия).
   • Достаточный пиковый ток драйвера для быстрого переключения (зависит от Qg и частоты ШИМ).
   • Правильную развязку (изоляцию) если ключи находятся в разных плечах моста.
3. Охлаждение: Из-за компактного корпуса модуль требует качественного теплоотвода. Обязательно использовать термопасту и радиатор с соответствующей тепловым сопротивлением.
4. Защита: Рекомендуется реализовать защиту от перегрузки по току, короткого замыкания и перегрева. В современных аналогах (например, в полноценных IPM-модулях) такая защита часто встроена, но в BSM25GB120DN2 ее нет.

Вывод: BSM25GB120DN2 — надежный и популярный модуль для построения силовых инверторов на токи до 15-20А. При замене наиболее безопасным вариантом являются прямые аналоги от Fuji или Mitsubishi. При проектировании новой схемы всегда стоит рассмотреть более современные аналоги или полноценные IPM-модули со встроенной защитой.