Infineon BSM200GA120DN2SE3256

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для модуля IGBT Infineon BSM200GA120DN2SE3256.

Общее описание

BSM200GA120DN2SE3256 — это двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT module) в классическом изолированном корпусе, разработанный для мощных инверторных приложений. Он является частью серии DN2, известной своей высокой надежностью, низким уровнем потерь и прочной конструкцией.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Преобразование энергии в мощных трехфазных системах.
• Типичные применения: Промышленные приводы переменного тока (частотные преобразователи), источники бесперебойного питания (ИБП), сварочное оборудование, тяговые преобразователи, возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных панелей).
• Конфигурация: Модуль содержит два независимых IGBT-ключа с антипараллельными диодами (2-in-1). Это позволяет собрать одну фазную ветвь (полумост) инвертора. Для трехфазного инвертора потребуется три таких модуля.
• Технология: Используется передовая технология IGBT Trenchstop 4, которая обеспечивает оптимальный баланс между низким напряжением насыщения (Vce(sat)) и малыми коммутационными потерями.
• Изоляция: Корпус обеспечивает электрическую изоляцию (2500 В~ / 1 мин) между силовыми выводами и основанием радиатора, что упрощает монтаж и улучшает тепловые характеристики.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение (Vces) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 200 А | При температуре корпуса 25°C. | | Номинальный ток коллектора (Ic @ 80°C) | 200 А | Характеризует высокую температурную стабильность. | | Ток коллектора (импульсный) Icp | 400 А | Максимальный кратковременный ток. | | Напряжение насыщения (Vce(sat) тип.) | ~1.75 В | При Ic=200A, Vge=15В. Определяет потери в проводящем состоянии. | | Падение напряжения на диоде (Vf тип.) | ~1.9 В | При If=200A. | | Общие коммутационные потери (Ets typ.) | ~20 мДж | Сумма потерь на включение и выключение при номинальных условиях. | | Температура перехода (Tvj max) | +150 °C | Максимальная допустимая температура кристалла. | | Температура хранения (Tstg) | от -40 до +125 °C | | | Изоляционное напряжение (Visol) | 2500 В (эфф.) | Между выводами и монтажной базой (AC, 1 мин). | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | ~0.12 К/Вт | На один ключ (IGBT+диод). | | Масса | ~150 г | |

Важные электрические характеристики:

• Рекомендуемое напряжение на затворе (Vge): +15В для включения, 0/-15В для надежного выключения.
• Пороговое напряжение затвора (Vge(th)): Около 5.5В.
• Внутренние индуктивности: Низкие, что способствует снижению перенапряжений при коммутации.

Парт-номера и Совместимые модели

Модули IGBT часто имеют эквиваленты от других производителей или разные версии внутри линейки одного производителя. Совместимость определяется механическими размерами, электрическими параметрами и расположением выводов (pin-to-pin совместимость).

1. Прямые аналоги и модификации от Infineon:

• BSM200GA120DN2 — базовая часть номера. Модификации в конце (SE3256) часто указывают на версию упаковки, лоток или незначительные производственные ревизии. Модули с номерами BSM200GA120DN2** (с разными суффиксами) обычно взаимозаменяемы.
• BSM200GB120DN2 — модель с более быстрым (soft) диодом. Подходит для приложений, где критичны потери восстановления диода (например, при работе с высокой частотой переключения).
• BSM200GD120DN2 — модель с более мощным (robust) диодом. Обладает повышенной стойкостью к перенапряжениям и перегрузкам по току, часто используется в тяжелых промышленных условиях.

2. Пин-ту-пин совместимые аналоги от других производителей:

Следующие модули имеют идентичную или очень близкую распиновку и механические габариты, что позволяет проводить прямую замену на плате после проверки электрических режимов (особенно по напряжению затвора).

• Fuji Electric:
  • 2MB1200U2H-200 (серия U2H)
  • 2MB1200U2H-200-50
• Mitsubishi Electric:
  • CM200DU-12NFH (классический аналог, но технология устарела)
  • CM200DY-12NFH (с быстрым диодом)
• Semikron:
  • SKM200GB12T4 (серия T4)
  • SKM200GB12E4 (серия E4)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FZ200R12KE3 (серия KE3)

3. Функциональные аналоги (требуется проверка распиновки и размеров!):

Модули с такими же параметрами 1200В / 200А, но в других корпусах:

• Infineon: FF200R12KE3 (в корпусе EconoDUAL 3)
• Mitsubishi: CM200DY-12NF (в корпусе NF)
• Semikron: SKM200GB12V (в различных корпусах)

ВАЖНЫЕ ПРИМЕЧАНИЯ ПРИ ЗАМЕНЕ:

1. Всегда сверяйте даташиты! Перед заменой необходимо проверить:
   • Распиновку (pinout) — самое критичное.
   • Механические размеры и положение монтажных отверстий.
   • Рекомендуемые параметры драйвера затвора (Vge, Rgon, Rgoff).
   • Динамические характеристики (особенно если замена связана с ремонтом и нужно сохранить работу на прежних частотах).
2. Серия DN2 от Infineon является современной и эффективной. Замена на старые аналоги (например, CM200DU-12NF) может привести к повышенным тепловыделением и потребовать доработки системы охлаждения.
3. Версия диода (GB/GD) — выбирается в зависимости от требований приложения: GB для частотных приводов общего назначения, GD для тяжелых условий.

Вывод: Infineon BSM200GA120DN2SE3256 — это высоконадежный, современный IGBT-модуль для мощных инверторов на 1200В. Он имеет множество прямых и функциональных аналогов от ведущих производителей, что делает его популярным и легко заменяемым решением на рынке силовой электроники.