Infineon BSM10GP120_B9

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Infineon BSM10GP120_B9.

Общее описание

BSM10GP120_B9 — это дискретный IGBT-транзистор (N-канальный) в популярном промышленном корпусе TO-247, разработанный компанией Infineon Technologies. Он принадлежит к серии GP (Generation 5), которая является компромиссом между высокой эффективностью и надежностью. Этот транзистор оптимизирован для работы на средних частотах (обычно до 20-30 кГц) и предназначен для применения в силовой электронике, где требуется высокое напряжение и умеренная частота переключения.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер: Позволяет работать в схемах с напряжением до 1200В.
• Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)): Обеспечивает низкие потери проводимости, что повышает общий КПД системы.
• Позитивный температурный коэффициент Vce(sat): Облегчает параллельное соединение нескольких IGBT для увеличения тока.
• Встроенный быстрый обратный диод: Интегрированный диод с мягким восстановлением (Emitter Controlled 4 - EC4) защищает транзистор от перенапряжений при коммутации индуктивных нагрузок.
• Корпус TO-247: Обеспечивает хороший отвод тепла и удобство монтажа.

Основные области применения

• Промышленные приводы (инверторы, частотные преобразователи): Управление асинхронными и синхронными двигателями.
• Сварочное оборудование (инверторные сварочные аппараты).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Импульсные блоки питания большой мощности (SMPS).
• Системы плавного пуска электродвигателей.
• Индукционные нагреватели.

Технические характеристики (Electrical Characteristics, Ta = 25°C)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжения | | | | | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES | 1200 | В | | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GES | ±20 | В | Макс. | | Токи | | | | | | Постоянный ток коллектора (при 100°C) | I_C @100°C | 10 | А | | | Пиковый ток коллектора (макс.) | I_CM | 20 | А | | | Ток встроенного диода (макс.) | I_F | 10 | А | | | Потери и температура | | | | | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 83 | Вт | На теплоотводе | | Температура перехода (макс.) | T_vj | 150 | °C | | | Параметры переключения | | | | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 2.35 (тип.) | В | I_C=10A, V_GE=15V | | Падение на встроенном диоде | V_F | 1.9 (тип.) | В | I_F=10A | | Время включения | t_on | 30 (тип.) | нс | | | Время выключения | t_off | 240 (тип.) | нс | | | Заряд затвора (общий) | Q_g | 43 (тип.) | нКл | | | Тепловые характеристики | | | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC | 1.5 | К/Вт | | | Тепловое сопротивление переход-среда | R_thJA | 40 | К/Вт | Без радиатора |

Парт-номера и Совместимые модели

1. Прямые аналоги (Cross-Reference) от других производителей:

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (1200В, ~10А, TO-247) и часто могут использоваться как прямая замена, но требуется проверка даташитов по пинам и характеристикам переключения.

• STMicroelectronics: STGW10NC120HD (с диодом), STGP10NC120HD
• Fuji Electric: 2MBI100N-120 (в модуле), аналоги в TO-247 часто имеют другую маркировку.
• ON Semiconductor (Fairchild): FGP10N120ANTDU (серия "F" с диодом)
• Toshiba: GT10Q122 (серия Q)
• IXYS (Littelfuse): IXGH10N120B (серия B - быстрые)

2. Совместимые/Аналогичные модели в линейке Infineon:

• В той же серии GP (Gen 5):
  • BSM15GP120_B9 (15А, 1200В, TO-247) – более мощный аналог.
  • BSM20GP120_B9 (20А, 1200В, TO-247) – более мощный аналог.
  • BSM10GP120 (без суффикса "_B9") – более ранняя ревизия, может иметь незначительные отличия в характеристиках. "_B9" обычно указывает на улучшенную версию.
• В других сериях Infineon (требуется пересчет схемы):
  • Серия IKW (TO-247): IKW10N120T (серия TrenchStop 3, более современная и эффективная, но дороже).
  • Серия IGP (TO-247 Plus): IGP10N120T2 (аналог в улучшенном корпусе).
  • Серия GP в другом корпусе: BSM10GP120GD (в корпусе D²PAK/TO-263) для поверхностного монтажа.

3. Важные замечания по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитами! Перед заменой необходимо проверить:
   • Распиновку (pinout) корпуса.
   • Характеристики встроенного диода (V_F, t_rr).
   • Емкость затвора и рекомендуемые параметры драйвера (R_g, V_GE).
   • Зависимости ключевых параметров от температуры.
2. Суффикс "_B9": У Infineon он часто означает модификацию с улучшенными характеристиками или упаковкой. Прямой аналог без суффикса обычно подходит, но обратная совместимость не гарантирована.
3. Проверка на официальных ресурсах: Для поиска аналогов используйте электронные базы данных (например, Octopart, LCSC, DatasheetCatalog) или инструменты cross-reference самих производителей.

Вывод: BSM10GP120_B9 — это надежный, проверенный временем IGBT для среднечастотных силовых применений. При замене приоритет следует отдавать более новым аналогам из серии GP или, при возможности модернизации, более современным сериям, таким как IKW или IGP от Infineon.