Infineon BSD223PH6327XTSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon BSD223PH6327XTSA1.

Описание и применение

Infineon BSD223PH6327XTSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой OptiMOS™ 5 25V технологии от Infineon. Это низковольтный MOSFET, предназначенный для высокоэффективного переключения в компактных корпусах.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) приводит к минимальным потерям на проводение и нагреву.
• Высокая плотность мощности: Технология OptiMOS 5 позволяет создавать компактные решения с высокой производительностью, что критично для современных портативных устройств.
• Быстрое переключение: Подходит для приложений с высокой частотой переключения (например, импульсные источники питания).
• Низкие пороговые напряжения: Позволяет эффективно работать в низковольтовых системах.
• Супер-струнный корпус (SuperSO8): Корпус предлагает лучшие тепловые и электрические характеристики по сравнению со стандартным SO-8 при тех же габаритных размерах, а также имеет более низкое паразитное сопротивление и индуктивность.

Типичные области применения:

• Системы управления питанием (PMIC) в материнских платах, серверах, FPGA.
• Схемы синхронного выпрямления в импульсных источниках питания (SMPS).
• Модули питания для процессоров и графических ускорителей (VRM, VRM).
• DC-DC преобразователи (особенно понижающие топологии).
• Управление двигателями и нагрузкой в портативной электронике.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | OptiMOS™ 5 25V | | Сток-Исток напряжение (VDS) | 25 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID) | 15.6 А | При Tc = 25°C | | Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 4.8 мОм | Max. при VGS = 10 В, ID = 9.5 А | | | 6.2 мОм | Max. при VGS = 4.5 В, ID = 9.5 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 1.35 - 2.35 В | Тип. 1.85 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора (Qg) | 10.5 нКл | Тип. при VGS = 10 В, ID = 9.5 А | | Корпус | PG-TDSON-8 | (SuperSO8), размер: 5x6 мм |

Парт-номер (Part Number) и варианты упаковки

Полное название компонента указывает на его типовую упаковку для автоматического монтажа:

• BSD223PH6327XTSA1 — стандартное обозначение для заказа. Суффикс указывает на поставку в ленте (Tape & Reel).
• Корпус: PG-TDSON-8 (также часто называемый SuperSO8, LFPAK8 или PowerSO8).

Совместимые модели (Прямые аналоги и альтернативы)

Прямых 100% аналогов с идентичным порядковым номером не существует, однако существует множество функционально и конструктивно совместимых аналогов (second source / cross-reference) от других производителей, а также альтернативные модели от самого Infineon. При выборе аналога необходимо сверять распиновку (pin-to-pin) и ключевые параметры: VDS, ID, RDS(on), корпус и цоколевку.

Аналоги от Infineon:

• IPD030N04S4-02R (OptiMOS™ 5, 25 В, 9.7 мОм) — в корпусе SuperSO8.
• IPT015N04S4-16R (OptiMOS™ 5, 25 В, 1.6 мОм) — более мощный, в корпусе SuperSO8.
• Другие MOSFET из линейки OptiMOS™ 5 25V в корпусе PG-TDSON-8 с подходящими токами и сопротивлением.

Функционально совместимые аналоги от других производителей:

• ON Semiconductor (now onsemi):
  • NTMFS4C022N (25 В, 15.8 А, 5.1 мОм) — очень близкий аналог в корпусе SO-8FL.
• Vishay / Siliconix:
  • SiS415DNT (25 В, 16 А, 4.8 мОм) — практически полный аналог в корпусе PowerPAK® SO-8.
• STMicroelectronics:
  • STL160N4LLF5 (25 В, 16 А, 5.0 мОм) — в корпусе PowerFLAT™ 5x6 (очень похож на SuperSO8).
• Nexperia:
  • PSMN4R2-25YLD (25 В, 16 А, 4.2 мОм) — в корпусе LFPAK56 (совместим по размерам и цоколевке с SuperSO8).

Важное примечание по совместимости: Перед заменой всегда необходимо:

1. Скачать и сравнить datasheet обоих компонентов.
2. Убедиться в полном соответствии цоколевки (pinout).
3. Проверить ключевые параметры, особенно RDS(on) при нужном вам напряжении затвора (VGS = 4.5В или 10В).
4. Учесть различия в динамических параметрах (Qg, Ciss) если ваша схема работает на высоких частотах.