Infineon BFR193E6327

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BFR193E6327, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание

Infineon BFR193E6327 — это маломощный высокочастотный NPN-биполярный транзистор (BJT), изготовленный по передовой кремниево-германиевой (SiGe) технологии. Благодаря этому он сочетает в себе высокое быстродействие и хорошие частотные характеристики с относительно низким энергопотреблением.

Основное назначение: Этот транзистор предназначен для работы в высокочастотных схемах. Его типичные области применения включают:

• Усиление слабых сигналов (малошумящие усилители, LNA)
• Высокочастотные генераторы (OSC) и смесители (Mixer)
• Буферные каскады усиления
• Усилители промежуточной частоты (ПЧ)
• Приложения VHF / UHF диапазонов (например, беспроводные системы связи, радиомодемы)

Корпус: Выпускается в миниатюрном корпусе SOT-323 (SC-70), что делает его идеальным для компактных и портативных устройств.

Технические характеристики (кратко)

• Тип транзистора: NPN, SiGe
• Корпус: SOT-323
• Напряжение Коллектор-Эмиттер (V_CEO): 12 В
• Напряжение Коллектор-База (V_CBO): 15 В
• Ток коллектора (I_C макс.): 50 мА
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 250 мВт
• Граничная частота усиления (f_T): 8 ГГц (типовое значение) — ключевой параметр, указывающий на высокочастотные возможности.
• Коэффициент шума (NF): ~ 1.4 дБ (тип. при 900 МГц, I_C=5 мА) — отличный параметр для малошумящих усилителей.
• Коэффициент усиления по току (h_FE / β): 40 - 120 (при V_CE=5 В, I_C=5 мА)

Полные технические характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение пробоя Коллектор-Эмиттер | V_(BR)CEO | 12 В мин. | I_C = 10 мА, I_B = 0 | | Напряжение пробоя Коллектор-База | V_(BR)CBO | 15 В мин. | I_C = 10 мкА, I_E = 0 | | Напряжение пробоя Эмиттер-База | V_(BR)EBO | 3 В мин. | I_E = 100 мкА, I_C = 0 | | Максимальный ток коллектора | I_C | 50 мА | — | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 250 мВт | T_amb ≤ 25°C | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 40 - 120 | V_CE = 5 В, I_C = 5 мА | | Граничная частота усиления | f_T | 8 ГГц (тип.) | V_CE = 2 В, I_C = 5 мА | | Емкость Коллектор-База | C_ob | 0.28 пФ (тип.) | V_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц | | Коэффициент шума | NF | 1.4 дБ (тип.) | f = 900 МГц, V_CE=2 В, I_C=5 мА |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Парт-номер производителя (Manufacturer Part Number - MPN)

• BFR193E6327 — это полное официальное наименование компонента от Infineon.
  • BFR193 — базовая модель.
  • E6327 — часто является кодом корпуса, упаковки или производственной серии. В данном случае указывает на корпус SOT-323 и поставку в ленте (tape and reel).

Прямые аналоги и совместимые модели

Прямыми аналогами считаются транзисторы с максимально близкими характеристиками (f_T, ток, напряжение, корпус) и схожей цоколевкой.

Популярные прямые аналоги и замены:

• Infineon: BFR193WH6327XTSA1 (часто тот же компонент, но в другой системе обозначений поставщика)
• NXP (Philips): BFQ19 (очень близкий и популярный аналог)
• ON Semiconductor: BFR193W (прямой аналог в том же корпусе)
• STMicroelectronics: BFR193 (просто BFR193, выпускается разными производителями)
• Rohm: 2SC5663T2Q
• Micro Commercial Co (MCC): BFR193-TAP

Важные замечания по аналогам:

1. Проверяйте даташит! Перед заменой всегда сверяйтесь с техническим описанием (datasheet) конкретного аналога. Особое внимание уделяйте распиновке (pinout) корпуса SOT-323, так как у некоторых аналогов расположение базы, коллектора и эмиттера может отличаться.
2. SiGe vs Si: BFR193 является SiGe-транзистором. Замена на обычный кремниевый (Si) транзистор с похожими заявленными характеристиками (например, BFR92A) может не обеспечить идентичных параметров по шуму и высокочастотному поведению в критичных схемах.

Итог

Infineon BFR193E6327 — это проверенный, надежный и высокопроизводительный RF-транзистор, отлично подходящий для построения высокочастотных каскадов в современной портативной и стационарной радиоэлектронной аппаратуре. Его ключевые преимущества — высокая граничная частота (8 ГГц) и низкий коэффициент шума.