Infineon BCR108SH6327

Отличный выбор! BCR108SH6327 — это популярный и надежный NPN-биполярный транзистор (BJT) в миниатюрном корпусе SOT-23, разработанный компанией Infineon для ключевых и усилительных приложений с малым током и напряжением.

Описание и основные особенности

BCR108SH6327 — это цифровой транзистор (Digital Transistor) или, как его еще называют, транзистор со встроенными резисторами (Bias Resistor Transistor, BRТ). Это означает, что в одном корпусе SOT-23 интегрированы не только сам NPN-транзистор, но и резисторы на базе и между базой и эмиттером.

Ключевые преимущества такого решения:

1. Экономия места на печатной плате: Не требуется внешних дискретных резисторов для базовой цепи.
2. Упрощение монтажа и проектирования: Уменьшается количество компонентов.
3. Повышенная стойкость к помехам: Встроенный резистор между базой и эмиттером (R2) обеспечивает лучшую защиту от наводок и ложных срабатываний.
4. Улучшенная повторяемость параметров: Резисторы интегрированы в кристалл, что обеспечивает стабильные характеристики.

Основное назначение:

• Ключевой режим: Управление реле, светодиодами, небольшими двигателями, соленоидами с уровнями тока до 100 мА непосредственно с выходов микроконтроллеров (GPIO), логических схем (3.3В / 5В).
• Усилительный режим: Усиление слабых сигналов в аудиотрактах и схемах обработки данных.
• Инверторы и буферы: Построение простых логических элементов.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При Ta = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | Единица | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | NPN с резисторами | — | — | | Корпус | — | SOT-23 | — | — | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | 50 | I_C = 10 мA | В | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | 50 | I_C = 10 мкA | В | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | 5 | I_E = 10 мкA | В | | Постоянный ток коллектора | I_C | 100 | — | мА | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | 200 | — | мА | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 250 | — | мВт | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 40 - 250 | V_CE=5В, I_C=2мA | — | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) | 0.3 (тип.) | I_C=10мA, I_B=0.5мA | В | | Встроенные резисторы | R1 (базовый) | 10 | ±30% | кОм | | | R2 (база-эмиттер) | 10 | ±30% | кОм | | Рабочая температура перехода | T_j | -55 ... +150 | — | °C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Индекс "SH6327" в названии BCR108SH6327 часто относится к варианту упаковки (tape & reel). Базовое семейство — BCR108. У Infineon есть несколько вариантов в этой серии с разными допустимыми отклонениями резисторов.

Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon:

• BCR108S (основная модель в корпусе SOT-23)
• BCR108E6327 — аналог в корпусе SOT-23, может иметь незначительные отличия в документации.
• BCR108WH6327 — аналог в корпусе SOT-323 (еще более миниатюрный).

Совместимые / функциональные аналоги от других производителей:

• DTC114EKA / DTC114EUA (ROHM) — прямая и самая популярная замена. Имеет те же резисторы R1=10кОм, R2=10кОм. Корпус SOT-23.
• DTC114YE / DTC114YUA (ROHM) — вариант с резисторами R1=10кОм, R2=10кОм.
• KST108 (ON Semiconductor / Fairchild) — функциональный аналог.
• FJN3302R (ON Semiconductor) — аналог с резисторами 10к/10к.
• MMBT2222A + внешние резисторы 10 кОм — классическое дискретное решение с аналогичной функциональностью, но большим коэффициентом усиления.

Важные аналоги от других производителей с другими номиналами резисторов: (Внимание! При замене проверяйте номиналы R1/R2, так как они влияют на необходимый ток управления с МК)

• DTC113ZKA (ROHM) — R1=4.7 кОм, R2=10 кОм.
• DTC143ZKA (ROHM) — PNP-транзистор с резисторами 10к/10к (аналог по структуре, но другой тип проводимости).
• UN2111 / UN2112 / UN2113 (Toshiba) — популярная серия, где последняя цифра указывает номинал резисторов (например, UN2113 имеет R1=10к, R2=10к).

Типовая схема включения (для ключевого режима)

    +Vcc (Нагрузка)
       |
      [ ] Нагрузка (LED, реле и т.д.)
       |
    Коллектор (C)
       |
    BCR108SH6327
       |
    Эмиттер (E) ---> GND
       |
    База (B) ---[R_доп.]---> Управляющий сигнал (GPIO МК)

Примечание: Несмотря на встроенный базовый резистор (R1=10кОм), часто для гарантированного насыщения транзистора и ограничения тока с выхода МК рекомендуется добавлять небольшой дополнительный резистор (R_доп.) номиналом 1-5 кОм последовательно с базой. Это особенно важно, если выход МК может выдавать ток больше 5-10 мА.

Вывод: BCR108SH6327 — это универсальный, компактный и удобный цифровой транзистор, идеально подходящий для интерфейсных задач между микроконтроллером и нагрузкой. Его прямым и наиболее доступным аналогом является DTC114EKA от ROHM.