Infineon BCP5416H6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BCP5416H6327XTSA1 — это высокоэффективный биполярный PNP-транзистор, оптимизированный для современных импульсных и линейных приложений.

Описание и назначение

BCP5416 — это кремниевый PNP-транзистор в сверхкомпактном корпусе SOT-223. Его ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Обладает очень низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (VCEsat), что минимизирует потери мощности и нагрев в ключевом режиме.
• Высокий коэффициент усиления по току (hFE): Гарантирует хорошее усиление даже при низких токах, что упрощает управление.
• Быстрое переключение: Оптимизирован для импульсных применений (DC-DC преобразователи, драйверы).
• Компактность и эффективный теплоотвод: Корпус SOT-223 имеет металлическую теплоотводящую площадку, что позволяет рассеивать мощность до 1.5 Вт при условии правильного монтажа на печатную плату.
• Основные применения: Идеально подходит для использования в качестве силового ключа в цепях управления питанием, DC-DC конвертерах, драйверах моторов, соленоидов и светодиодов, а также в линейных стабилизаторах и схемах управления.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение / Условия | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | PNP биполярный | | | Корпус | — | SOT-223 | 4-й вывод — это теплоотвод (фланец), соединенный с коллектором (C). | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -80 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить. | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | -80 В | | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | -5 В | | | Постоянный ток коллектора | I_C | -1 А | Максимальный непрерывный ток. | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM | -2 А | | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 1.5 Вт | При температуре корпуса ≤ 25°C. Падает с нагревом. | | Коэф. усиления по току | h_FE | 100 – 250 | При I_C = -100 мА, V_CE = -2 В. Высокий и стабильный. | | Напряжение насыщения К-Э | V_CE(sat) | -120 мВ (тип.) / -250 мВ (макс.) | Ключевой параметр! Очень низкое при I_C = -500 мА, I_B = -50 мА. Минимум потерь. | | Напряжение насыщения Б-Э | V_BE(sat) | -0.85 В (макс.) | При I_C = -500 мА, I_B = -50 мА. | | Частота перехода | f_T | 100 МГц (тип.) | Хорошая скорость для импульсных применений. | | Температура перехода | T_j | -55 … +150 °C | Рабочий диапазон. |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Полное название модели часто указывается с различными префиксами и суффиксами, обозначающими корпус, упаковку и т.д.

Основные варианты от Infineon:

• BCP5416H6327XTSA1 — полное название для ленты и катушки (Tape & Reel). H — спецификация по усилению, 6327 — код корпуса, XT — упаковка.
• BCP5416 — базовое название семейства.
• BCP5416H6327 — вариант для ручной пайки/прототипирования (часто в тубах).

Совместимые модели и прямые аналоги от других производителей:

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно по распиновке и характеристикам.

Почти полные аналоги (с очень близкими ТХ):

• NXP (бывш. Philips) / Amperex:
  • BCP56 — NPN-версия того же транзистора. Внимание! Это NPN, а не PNP. Часто используются в паре (комплементарная пара).
  • BCX56 — очень близкий аналог в корпусе SOT-89.
• Diodes Incorporated:
  • FMMT560TA — PNP, 80V, 1A, SOT-23 (меньший корпус, мощность 0.5W).
  • PXT560TA — PNP, 80V, 1A, SOT-89 (аналог по мощности).
• ON Semiconductor:
  • MMBT5401LT1G — PNP, 150V, 0.6A, SOT-23 (меньшая мощность).
  • FMMT560 — аналог от Diodes Inc., часто поставляемый ON Semi.

Функциональные аналоги (схожие параметры, но могут отличаться по корпусу или отдельным ТХ):

• KSP2907A — классический PNP-транзистор в корпусе TO-92.
• 2SA1360 / 2SA1535 — популярные японские PNP-транзисторы средней мощности.
• BD140 — PNP, 80V, 1.5A, корпус TO-126 (больше мощность). Хорошая замена, если позволяет место.
• TIP42C — PNP, 100V, 6A, корпус TO-220 (для более мощных применений).

Рекомендации по замене

1. Приоритет: Ищите аналоги в том же корпусе SOT-223 для сохранения габаритов и тепловых характеристик на плате.
2. Обязательно проверьте: Распиновку (pinout) — у аналогов она может отличаться!
3. Ключевые параметры для сопоставления: VCEO (≥ 80В), IC (≥ 1А), VCEsat (чем меньше, тем лучше), hFE (сопоставимый диапазон).
4. Для новых проектов: Всегда проверяйте актуальность компонента на сайтах производителей (Infineon, NXP, Diodes Inc., ON Semi) — некоторые модели могут быть сняты с производства или заменены на более новые.

Этот транзистор является отличным, проверенным решением для задач коммутации средней мощности с высокими требованиями к эффективности.