Infineon 1000

Infineon 1000 – Описание и технические характеристики

Infineon 1000 – это серия силовых полупроводниковых компонентов (IGBT, MOSFET, диоды, драйверы и др.) от компании Infineon Technologies, предназначенных для высоковольтных и высокоточных применений в промышленной, автомобильной и энергетической отраслях.

Основные технические характеристики (обобщённые, так как Infineon 1000 может относиться к разным линейкам):

• Тип компонента: IGBT / MOSFET / Силовой модуль
• Напряжение: до 1000 В (может варьироваться в зависимости от модели)
• Ток: от 10 А до 200 А и выше (зависит от исполнения)
• Корпус: TO-220, TO-247, D²PAK, модули (Easy, EconoPACK и др.)
• Ключевые особенности:
  • Низкие потери проводимости и переключения
  • Высокая температурная стабильность
  • Встроенные защитные функции (TVS-диоды, температурная защита)
  • Оптимизированы для инверторов, частотных преобразователей, сварочных аппаратов

Примеры парт-номеров (Part Numbers)

(Конкретные модели зависят от типа компонента, например):

• IGBT-транзисторы:
  • IKW100N65EH5 (650 В, 100 А)
  • IKW75N60T (600 В, 75 А)
• MOSFET-транзисторы:
  • IPW90R1K0C3 (1000 В, 90 А)
  • IPP60R199CP (600 В, 60 А)
• Силовые модули:
  • FS1000R12IE4 (1200 В, 1000 А, IGBT-модуль)
  • FF1000R17IE4 (1700 В, 1000 А)

Совместимые модели и аналоги

В зависимости от типа компонента, возможна замена на аналоги от других производителей:

• ON Semiconductor: FGH60N100SMD
• STMicroelectronics: STGW40H65DFB
• Mitsubishi Electric: CM100DY-24NF
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50

Если вам нужны точные данные по конкретному компоненту из серии Infineon 1000, уточните полный парт-номер или тип устройства (IGBT, MOSFET, модуль).