Freescale MW6S010N

Freescale MW6S010N
Артикул: 406774

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Freescale MW6S010N

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для транзистора Freescale (NXP) MW6S010N.

Описание и применение

MW6S010N — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchMOS 6 поколения. Ключевые особенности:

  • Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень низкое значение (всего 1.0 мОм при Vgs=10 В) минимизирует потери мощности в открытом состоянии, что приводит к высокой энергоэффективности и меньшему нагреву.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и внутренней емкости, транзистор способен работать на высоких частотах, что критично для импульсных преобразователей.
  • Высокий непрерывный ток стока: До 100 А, что делает его пригодным для управления мощными нагрузками.
  • Надежность и защита: Встроенный стабилитрон между затвором и истоком для защиты от статического электриства (ESD) и перенапряжений на затворе.
  • Корпус: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-263 (D²PAK), обеспечивающем хороший отвод тепла через контакт стока (который электрически соединен с задней металлической пластиной).

Основные области применения:

  • Силовые каскады импульсных источников питания (SMPS), особенно в цепях синхронного выпрямления и низковольтных преобразователях.
  • DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие, мостовые схемы).
  • Управление мощными нагрузками: моторы, соленоиды, системы освещения.
  • Оборудование для телекоммуникаций и серверов.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode (обогащения) | | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 60 В | | | Непрерывный ток стока (Id) | 100 А | Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.0 мОм (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 50 А | | | 1.5 мОм (макс.) | Vgs = 4.5 В, Id = 25 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.5 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | ~130 нКл (тип.) | Vgs = 10 В, Id = 50 А | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | | | Мощность рассеяния (Pd) | 250 Вт | Tc = 25°C | | Диод сток-исток (встроенный) | Прямой ток (Is) = 100 А, Падение напряжения (Vsd) = 1.3 В (тип.) | |


Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель (Freescale, позже NXP) мог использовать различные префиксы и упаковки. Основные парт-номера:

  • MW6S010N — основной номер детали.
  • MW6S010NT1 — часто указывает на поставку в Tape & Reel (на катушке для автоматического монтажа). По сути, это тот же транзистор.

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске замены важно учитывать не только электрические параметры, но и расположение выводов (pinout) и корпус.

1. Прямые аналоги от NXP (преемник Freescale):

  • PSMN6R0-100YS — более современный аналог из серии TrenchMOS 9, имеет еще лучшие характеристики (Rds(on) = 0.6 мОм). Является рекомендуемой заменой для новых разработок. Корпус D²PAK.
  • PSMN5R5-100YS — аналог на 55В, но с еще более низким Rds(on) (0.55 мОм). Подходит, если рабочее напряжение в системе ниже.

2. Аналоги от других производителей (с похожими параметрами 60В / ~1 мОм / 100А в D²PAK):

  • Infineon: IPP060N06N (OptiMOS, Rds(on)=1.0 мОм), IPP110N06N (более новый, 0.95 мОм).
  • Vishay/Siliconix: SUD100N06-09 (Rds(on)=0.9 мОм).
  • STMicroelectronics: STP100N6F7 (Rds(on)=0.85 мОм).
  • ON Semiconductor: NTMFS100N06 (Rds(on)=1.0 мОм).

3. Важные замечания по совместимости:

  • Взаимозаменяемость: Большинство перечисленных аналогов являются функционально совместимыми (pin-to-pin) и могут быть установлены на ту же посадочную площадку платы.
  • Всегда сверяйте даташит: Перед заменой обязательно проверьте:
    • Распиновку (Pinout) корпуса D²PAK.
    • Характеристики при ваших рабочих условиях (особенно Rds(on) при нужном вам напряжении Vgs, например, 4.5В или 10В).
    • Зависимости от температуры.
    • Динамические характеристики (Qg, Ciss), если устройство работает на высокой частоте.

Вывод: MW6S010N — это мощный и эффективный MOSFET своего поколения. Для новых проектов рекомендуется рассматривать его современные аналоги, такие как NXP PSMN6R0-100YS или аналогичные решения от Infineon/ST, которые предлагают лучшие показатели при сопоставимой цене.

Товары из этой же категории