Freescale MRFE6S9160HS

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого транзистора Freescale (ныне NXP) MRFE6S9160HS.

Описание

MRFE6S9160HS — это кремниевый N-канальный MOSFET транзистор с вертикальной структурой (LDMOS), разработанный специально для работы в мощных усилителях радиочастотного (РЧ) диапазона.

Ключевые особенности и применение:

• Технология LDMOS: Обеспечивает высокую линейность, устойчивость к рассогласованию нагрузки и надежность, что делает его идеальным для профессиональных и промышленных применений.
• Высокая выходная мощность: Предназначен для работы в выходных каскадах усилителей, генерирующих значительную мощность в непрерывном режиме (CW).
• Широкий частотный диапазон: Оптимизирован для работы в диапазоне частот от 1.5 МГц до 600 МГц, что покрывает множество популярных диапазонов, включая КВ (короткие волны), CB (гражданский диапазон), любительские радиочастоты и промышленные частоты (например, для индукционного нагрева).
• Корпус: Выполнен в прочном и эффективном корпусе NI-780-4 (также известном как "Thick Film Ceramic, Flange Package"), который обеспечивает отличный отвод тепла и удобство монтажа на радиатор.
• Основные сферы применения:
  • Выходные каскады мощных линейных усилителей для любительской радиосвязи (HF / 1.8-30 МГц).
  • Усилители для гражданского диапазона (CB radio, 27 МГц).
  • Промышленные генераторы (ВЧ-нагрев, плазма, индукционные печи).
  • Вещательные усилители (СВ и КВ диапазоны).
  • Системы мобильной связи (усилители для базовых станций, хотя для вышечастотных диапазонов сейчас чаще используют более новые модели).

Этот транзистор стал своего рода "рабочей лошадкой" в мире мощной ВЧ-техники благодаря своей проверенной надежности и высоким характеристикам.

Технические характеристики (кратко)

• Структура: N-канальный LDMOS MOSFET
• Корпус: NI-780-4 (Керамический, с фланцем)
• Рабочая частота: 1.5 - 600 МГц
• Выходная мощность (Pout):
  • 300 Вт при работе на частоте 30 МГц (типовое значение)
  • 160 Вт при работе на частоте 200 МГц (типовое значение)
• Напряжение питания (Vd): 50 В (номинальное)
• Коэффициент усиления по мощности (Gp):
  • 20 дБ на 30 МГц (тип.)
  • 14 дБ на 200 МГц (тип.)
• КПД (Efficiency):
  • 70% на 30 МГц (тип.)
  • 60% на 200 МГц (тип.)
• Линейность (IMD3): -35 дБн (тип., при 30 МГц, 300 Вт PEP)
• Напряжение отсечки (Vdss): 65 В
• Ток стока (Id) [постоянный]: 25 А (при Tc=25°C)
• Термическое сопротивление (RthJC): 0.5 °C/Вт

ВАЖНО: Полные и точные характеристики, включая предельные эксплуатационные параметры и зависимости от режимов работы, следует смотреть в официальном даташите (datasheet) от NXP.

Парт-номера и аналоги (совместимые модели)

Этот транзистор имеет несколько парт-номеров и аналогов, которые можно рассматривать как прямую замену или близкие по характеристикам модели.

1. Прямые парт-номера и аналоги от NXP (Freescale)

Это транзисторы с максимально близкими или идентичными характеристиками, часто из одной производственной серии.

• MRFE6S9160HR5 — Еще один популярный вариант в том же корпусе. Отличия часто могут заключаться в версии прошивки или незначительных ревизиях. На практике считается полным аналогом для большинства применений.
• MRFE6S9170H / MRFE6S9170HR5 — Транзистор из той же серии, но оптимизированный для работы на более высоких частотах. Может иметь немного другие характеристики по усилению и мощности в вашем конкретном диапазоне.
• MRFE6S9045N / MRFE6S9045NR5 — Модель на 45В, но с похожими мощностными возможностями. Требует пересчета схемы смещения и питания.

2. Аналоги от других производителей (функционально совместимые)

Прямых "клоно-в-клон" от других крупных производителей (Microsemi, STMicroelectronics, Infineon) для этой конкретной модели не существует, так как это запатентованная технология LDMOS от Freescale/NXP. Однако для ремонта или разработки новой схемы можно подобрать функционально совместимые аналоги, которые решают ту же задачу: мощный ВЧ-транзистор LDMOS в диапазоне 1.5-600 МГц.

При поиске аналога обращайте внимание на:

• Рабочее напряжение (50В)
• Выходную мощность (~300 Вт на НЧ)
• Корпус (NI-780-4 или совместимый по креплению и цоколевке)
• Рабочий частотный диапазон

Примеры моделей, которые находятся в одном классе мощности и могут рассматриваться как аналоги (перед заменой ОБЯЗАТЕЛЬНО сверяйтесь с даташитом и схемой!):

• Microsemi / Ampleon:
  • BLF178XR — Очень популярный и мощный аналог, часто используется в тех же применениях.
  • BLF174XR
  • BLF888A / BLF888B
• STMicroelectronics:
  • PD57018S-E (хотя эта серия часто ориентирована на УВЧ-диапазоны)

Важное замечание по замене

Несмотря на схожие характеристики, разные транзисторы могут иметь отличия в:

• Схеме смещения (смещение затвора): Требуется разное напряжение для открытия (Vgs(th)).
• Внутренней емкости: Что может повлиять на согласующие цепи.
• Распиновке (цоколевке): Всегда проверяйте pinout перед установкой.

Поэтому при замене MRFE6S9160HS на другой транзистор настоятельно рекомендуется консультироваться с технической документацией и, при необходимости, вносить коррективы в схему смещения и согласования.