Freescale MRF8S19260H

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного транзистора LDMOS от Freescale (ныне NXP).

Freescale (NXP) MRF8S19260H - Описание

MRF8S19260H — это высокомощный транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor), предназначенный для использования в выходных каскадах усилителей мощности в профессиональных радиосистемах. Он является ключевым компонентом в финальном каскаде усиления сигнала.

Основное назначение:

• Базовые станции сотовой связи: Усиление сигналов в диапазонах 1800, 1900, 2100, 2300, 2600 МГц (включая стандарты GSM, EDGE, WCDMA, LTE).
• Профессиональные радиосистемы: Системы наземной мобильной радиосвязи (Land Mobile Radio), системы TETRA.
• Прочее оборудование: Повторители (репитеры), пикосоты, микросоты, другое телекоммуникационное оборудование.

Ключевые особенности:

• Высокая выходная мощность: Позволяет строить компактные и эффективные усилители.
• Высокий коэффициент усиления: Уменьшает количество каскадов усиления, что упрощает конструкцию и снижает стоимость.
• Широкая полоса пропускания: Покрывает несколько частотных диапазонов одним компонентом.
• Технология Doherty: Транзистор оптимизирован для использования в современных архитектурах усилителей Doherty, что критически важно для эффективного усиления сигналов с высокой пик-факторной мощностью (как в WCDMA и LTE).
• Внутренняя согласованность: Частично согласован внутри корпуса для упрощения проектирования выходной цепи.
• Прочный дизайн: Устойчив к условиям несоответствия нагрузки (высокий КСВ), что важно для надежности в полевых условиях.

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-канальный, LDMOS, Enhancement Mode.
• Корпус: Air-Cavity Ceramic, 8-выводной (Flange + 7 leads). Позволяет эффективно отводить тепло и обеспечивает хорошие ВЧ-параметры.
• Диапазон частот: 1800 – 2700 МГц (оптимизирован для 1.8 – 2.7 ГГц).
• Выходная мощность (Pout, типичная):
  • 60 Вт (47.8 дБм) в режиме пиковой мощности (для сигналов LTE, WCDMA).
  • >12 Вт в режиме средней мощности (зависит от сигнала и архитектуры усилителя).
• Напряжение питания (Vdd): 28 В (номинальное, типичный рабочий диапазон ~26-32В).
• Коэффициент усиления (Gps, типичный): 17.5 дБ (на частоте 2.14 ГГц).
• КПД (Efficiency, типичный):
  • Пиковый КПД (Drain Efficiency) > 55%.
  • КПД при средней мощности (для современных сигналов) > 45% (в конфигурации Doherty).
• Линейность (для цифровых сигналов):
  • ACLR (Adjacent Channel Leakage Ratio): < -50 дБн (типично для архитектуры Doherty, зависит от настройки).
• Ток покоя (Idq): ~ 120 мА (типично, настраивается для оптимальной линейности).

Парт-номера (Part Numbers) и Варианты

Обычно компонент имеет несколько маркировок:

• Полный номер: MRF8S19260HSR3
  • MRF8S19260H — базовая модель.
  • S — может указывать на корпус/исполнение.
  • R3 — часто обозначает тип упаковки (на катушке для автоматического монтажа, Tape & Reel).
• Маркировка на корпусе: Обычно более короткая, например, 8S19260H.

Важно: При заказе всегда указывайте полный парт-номер, включая суффиксы упаковки (например, SR3, SR4), так как они определяют способ поставки (катушка/лоток).

Совместимые и Аналогичные Модели

При поиске аналога или замены необходимо учитывать частотный диапазон, выходную мощность, напряжение питания и корпус. MRF8S19260H является частью большого семейства LDMOS-транзисторов от Freescale/NXP.

1. Прямые аналоги и модели в том же семействе (NXP):

• MRF8S19200H / MRF8S19200HSR3 — Модель на 40 Вт. Ближайший аналог с меньшей мощностью. Подходит для менее требовательных применений.
• MRF8S19140H / MRF8S19140HSR3 — Модель на 40 Вт с немного другими характеристиками согласования.
• MRF8S20140H / MRF8S20140HSR3 — Модель на 40 Вт, но оптимизированная для более высоких частот (2.0 – 2.7 ГГц).
• MRF7S21140H — Модель на 40 Вт из предыдущего поколения (серия MRF7S), может иметь отличия в характеристиках и цене.
• MRF8S19265H — Более новая модель на 65 Вт, логическое развитие серии с повышенной мощностью.

2. Аналоги от других производителей (Внимание! Требуется тщательная проверка даташитов и pin-to-pin совместимости):

• Ampleon (выделилась из NXP):
  • BLF8G22LS-60PV / BLF8G22LS-60 — Мощный LDMOS транзистор на 60 Вт, частотный диапазон 2.0-2.7 ГГц. Один из основных конкурентов.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F / CGH31240FR7 — Транзистор на основе GaN HEMT (нитрид галлия). Имеет значительно более высокую плотность мощности и КПД, но другую физику работы и может требовать переработки схемы. Не является прямой заменой, но используется в современных разработках.
• Qorvo (ранее TriQuint, RFMD):
  • TGA2578-CP — Транзистор на GaN. Как и у Wolfspeed, это компонент следующего поколения с иными характеристиками.
• STMicroelectronics:
  • PD57070S-E — Мощный LDMOS транзистор. Требует проверки параметров и распиновки.

Важное примечание по замене:

Несмотря на схожие мощность и частоту, прямой pin-to-pin совместимости между производителями часто нет. Замена транзистора от другого вендора почти всегда требует:

1. Перепроверки принципиальной схемы (согласующие цепи, цепи смещения).
2. Анализа печатной платы (разводка, тепловой режим).
3. Тщательного тестирования на соответствие всем требованиям стандарта (линейность, стабильность, КСВ).

Рекомендация: Для замены в существующем оборудовании лучше всего искать оригинальный компонент (MRF8S19260H) или его прямые аналоги от NXP/Ampleon. Для новых разработок стоит также рассмотреть более современные технологии, такие как GaN.