Freescale MRF6VP3450H
тел. +7(499)347-04-82
Описание Freescale MRF6VP3450H
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale MRF6VP3450H.
Описание
Freescale MRF6VP3450H — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs), предназначенный для использования в усилителях мощности в диапазоне частот от 2.0 до 2.2 ГГц. Этот транзистор изначально разрабатывался для применения в фиксированных беспроводных системах доступа (Fixed Wireless Access), но также может использоваться в другом высокочастотном оборудовании, требующем высокой линейной мощности.
Ключевые особенности:
- Высокая линейная мощность: Способен обеспечивать значительную выходную мощность в линейном режиме, что критически важно для современных схем модуляции (например, OFDM), используемых в беспроводной связи.
- Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает хорошее усиление сигнала, что позволяет уменьшить количество каскадов в усилителе.
- Эффективность: Обладает хорошей энергоэффективностью, что помогает снизить энергопотребление и тепловыделение системы.
- Внутренняя согласованность: Устройство частично согласовано внутри корпуса для упрощения проектирования выходной цепи.
Этот транзистор выпускался в керамино-металлическом корпусе с фланцем, предназначенном для монтажа на радиатор и обеспечения надежного отвода тепла.
Технические характеристики (Technicals Characteristics)
| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2.0 - 2.2 ГГц | Рабочий диапазон | | Выходная мощность (Pout) | 45 Вт (46.5 дБм) | Тип., при 2.14 ГГц, P3dB | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.5 дБ | Тип., при 2.14 ГГц, P3dB | | КПД (Drain Efficiency) | 35% | Тип., при 2.14 ГГц, P3dB | | Напряжение питания (Vdd) | +28 В | Стандартное напряжение стока | | Линейность (ACPR) | -35 дБc | Тип., для канала 5 МГц (требуется уточнение для конкретного стандарта) | | Класс усиления | Класс AB | Типичный режим работы для линейных усилителей | | Технология | GaAs pHEMT | Псевдоморфный высокоподвижный электронный транзистор | | Сопротивление канала | 0.7 Ом | Тип. | | Ток стока (Idq) | 1800 мА | Тип. ток смещения | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 0.6 °C/Вт | От перехода к корпусу | | Макс. температура перехода | +200 °C | | | Полярность | N-канал | | | Согласование | Внутренняя предварительная согласованность | Для входной и выходной цепей | | Корпус | Керамико-металлический, с фланцем | |
Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели
Важно понимать, что компания Freescale Semiconductor была приобретена NXP Semiconductors в 2015 году. Поэтому основным парт-номером для заказа сейчас является номер от NXP.
Основной парт-номер:
- MRF6VP3450HR5 - Это полный парт-номер, под которым устройство, скорее всего, будет указано в каталогах дистрибьюторов. Суффикс может обозначать тип упаковки (например, на ленте и в катушке).
Функционально совместимые и аналогичные модели (прямые аналоги):
Полного прямого аналога с идентичными характеристиками может не существовать, но следующие модели от NXP и других производителей являются очень близкими по характеристикам и предназначены для решения схожих задач в том же частотном диапазоне и диапазоне мощности.
От NXP (преемник Freescale):
- MRF6VP3450H - Тот же самый транзистор, продолжает выпускаться под брендом NXP.
- MRF6VP2600H - Модель с несколько меньшей выходной мощностью (~40 Вт), но очень близкая по остальным параметрам.
- MRF7S38075E - Более новая модель, возможно, с улучшенными характеристиками линейности и КПД.
От других производителей (Wolfspeed, Qorvo, Ampleon):
- CGH31240F (Wolfspeed / ранее Cree) - Усилитель на основе GaN HEMT технологии. GaN-транзисторы предлагают более высокий КПД и широкую полосу пропускания. Является популярной современной альтернативой.
- TGA2214-CP (Qorvo) - Монолитный усилитель мощности (MMIC) на GaN, также для диапазона 2-2.2 ГГц.
- AFT27S010NT1 (NXP / RF Power) - LDMOS транзистор, может использоваться в схожих приложениях, но имеет другую технологию (кремний вместо GaAs).
- PPA252005 (Ampleon) - Усилитель мощности для базовых станций, покрывающий нужный диапазон частот.
Примечание по совместимости: Перед заменой на любую из указанных моделей необходимо провести тщательный анализ:
- Схемы смещения: GaAs pHEMT транзисторы (как MRF6VP3450H) требуют отрицательного напряжения на затворе, в то время как LDMOS и некоторые другие технологии — нет.
- Согласующие цепи: Входные и выходные matching-сети платы должны быть пересчитаны и оптимизированы под импеданс нового транзистора.
- Рабочая точка (Bias): Ток смещения и точка по постоянному току могут отличаться.
- Разводка печатной платы: Корпуса и расположение выводов часто не являются взаимозаменяемыми.
Вывод: MRF6VP3450H — это проверенная временем модель для построения мощных линейных усилителей в диапазоне 2.1 ГГц. При поиске замены или для новых проектов стоит в первую очередь обращаться к актуальным каталогам NXP и рассматривать современные аналоги на технологии GaN, которые часто предлагают лучшие эксплуатационные характеристики.