Freescale MRF6VP11KH

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale/NXP MRF6VP11KH.

Описание и назначение

MRF6VP11KH — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs), разработанный для использования в выходных каскадах усилителей мощности в диапазоне сверхвысоких частот (СВЧ).

• Ключевое назначение: Усилители мощности в базовых станциях сотовой связи стандартов GSM, EDGE, TD-SCDMA, W-CDMA, LTE, а также в других системах связи и радиовещания.
• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale/NXP. Эта технология обеспечивает высокую линейность, усиление и надежность, что критично для современных модуляций с высокой пик-факторной мощностью (например, в 3G и 4G).
• Особенности: Транзистор предназначен для работы в режиме AB класса с высоким КПД. Он поставляется в корпусе Air-Cavity, который обеспечивает эффективный отвод тепла и низкие паразитные параметры на СВЧ-частотах.
• Типичное применение: Выходной каскад (финальная ступень) передатчиков базовых станций, работающих в частотном диапазоне 2110 – 2170 МГц (основной диапазон для 3G/4G).

Технические характеристики (кратко)

• Диапазон частот (Frequency Range): 2110 – 2170 МГц (оптимизирован для этого диапазона).
• Выходная мощность (Output Power, Pout):
  • 180 Вт (пиковая) при работе с сигналом W-CDMA.
  • ~55 Вт (средняя) в типичном режиме работы с высокой линейностью.
• Коэффициент усиления (Gain): 17 дБ (типовое значение) на частоте 2140 МГц.
• КПД (Efficiency):
  • Коллекторный КПД (Drain Efficiency): > 45% (типовое).
  • КПД по мощности (Power Added Efficiency, PAE): > 40% (типовое).
• Линейность (Intermodulation Distortion, IMD3): -33 дБc (типовое значение при определенных условиях тестирования), что указывает на высокую линейность.
• Рабочее напряжение (Drain Voltage, Vdd): 28 В / 32 В (номинальное / максимальное).
• Напряжение отсечки (Gate Voltage): Около 3.5 В (требует точной настройки смещения).
• Ток стока (Drain Current, Idq): 1600 мА (типовое значение тока покоя для режима AB класса).
• Тепловое сопротивление (Thermal Resistance, Rth): 0.3 °C/Вт (типовое, junction-to-case), что свидетельствует о хорошей способности к теплоотводу.
• Класс надежности (Reliability): Высокий. Предназначен для коммерческого и промышленного применения в телекоммуникациях.
• Корпус (Package): Air-Cavity Ceramic Metal Flange Package с золотыми выводами.

Парт-номера и варианты маркировки

Официальное полное название от производителя (NXP/Freescale) — MRF6VP11KHR5. Это номер для заказа.

• MRF6VP11KH — это базовая модель/название.
• MRF6VP11KHR5 — полный парт-номер для заказа (суффикс "R5" может указывать на конкретную ревизию или упаковку).
• На самом корпусе транзистора обычно нанесена сокращенная маркировка, например: 6VP11KH или аналогичная.

Важно: При поиске на электронных компонентных площадках (Mouser, Digi-Key, Chipdip и т.д.) или в спецификациях необходимо использовать полный номер MRF6VP11KHR5.

Совместимые и аналогичные модели

Прямых "капле-в-каплю" замен с идентичными характеристиками и корпусом может не существовать, но есть ряд транзисторов от того же производителя и конкурентов, которые являются функциональными аналогами, заменяемыми с пересчетом схемы (требуется проверка по datasheet и возможная подстройка ВЧ-тракта).

Аналоги от NXP (Freescale) в том же частотном диапазоне:

• MRF6VP2600H / MRF6VP2600HR5 — Более новая и мощная модель (до 260 Вт пиковой мощности), часто используется для модернизации или в схемах с повышенными требованиями.
• MRF7VP2600H — Модель с еще более высокими характеристиками линейности и КПД.
• MRF6V20100N / MRF6V20100NR5 — Модель на 100 Вт, может использоваться в предварительных каскадах или менее мощных усилителях.
• BLF6G20-10, BLF6G21-10 — Серия "Gen6" от NXP, более современные и эффективные транзисторы LDMOS для похожих диапазонов (1.8-2.2 ГГц).

Аналоги от других производителей (функциональные замены):

• Ampleon (выделилась из NXP): Модели серий BLF, GEN9. Например, BLF9G20LS-250 или другие транзисторы в диапазоне 2.1-2.2 ГГц.
• Wolfspeed (Cree): Транзисторы на основе Нитрида Галлия (GaN), например, серия CGHV. Они обладают более высокой эффективностью и рабочей частотой, но требуют другого подхода к проектированию. Пример: CGHV96100F2 (для более широкополосных применений).
• MACOM: Широкий ассортимент транзисторов LDMOS и GaN для инфраструктуры. Например, серия MHT.
• STMicroelectronics: Серия PD для телекоммуникаций.

Важное примечание

Замена мощного СВЧ-транзистора — сложная задача. Необходимо:

1. Внимательно сравнивать datasheet, особенно S-параметры, входное/выходное сопротивление, рекомендуемую схему согласования и смещения.
2. Проверять механическую совместимость (распиновку, крепление, высоту).
3. Часто требуется перенастройка или полный перерасчет входных и выходных согласующих цепей ВЧ-платы.

Для ремонта конкретного оборудования (например, усилителя базовой станции Alcatel-Lucent, Huawei, Ericsson) лучшим решением является поиск оригинала (MRF6VP11KHR5) или использование рекомендованного производителем оборудования аналога.