Freescale MRF6V2300NBR5

Отличный выбор транзистора! Freescale MRF6V2300NBR5 — это мощный RF LDMOS транзистор, разработанный для усилителей мощности в базовых станциях сотовой связи и промышленных приложениях.

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание

MRF6V2300NBR5 — это N-канальный транзистор, созданный по технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне часть NXP Semiconductors). Он предназначен для работы в частотном диапазоне 2300-2400 МГц, что покрывает стандарты LTE в полосе 2.3-2.4 ГГц, включая TDD-диапазоны (Band 40, Band 41).

Ключевые особенности:

• Высокая выходная мощность: Пиковая мощность 300 Вт (в импульсном режиме) и 125 Вт в режиме CW (непрерывной генерации).
• Высокий коэффициент усиления: Более 17 дБ на целевой частоте, что позволяет строить эффективные каскады усиления.
• Высокая эффективность: Типичный КПД >45%, что критически важно для снижения тепловыделения и энергопотребления базовых станций.
• Внутренняя согласующая цепь: Транзистор имеет встроенную согласующую цепь для упрощения проектирования выходного каскада.
• Прочный дизайн: Устойчив к несоответствию нагрузки (высокий КСВН), что повышает надежность в реальных условиях эксплуатации.
• Корпус: Выполнен в популярном и технологичном корпусе Air Cavity CERAMIC, обеспечивающем хороший теплоотвод и низкие паразитные параметры.

Основные применения:

• Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций LTE (TDD).
• Промышленные RF-усилители (ISM-диапазон 2.4 ГГц).
• Оборудование для радиосвязи.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Диапазон частот | 2300 - 2400 МГц | Рабочий диапазон | | Класс работы | AB | Типичный для линейных усилителей | | Выходная мощность (Pout) | 300 Вт (пиковая), 125 Вт (CW) | При Vd = 50 В, Pin = 22 дБм, частота 2.3-2.4 ГГц | | Коэффициент усиления (Gain) | ≥ 17 дБ | При Pout = 125 Вт, 2.35 ГГц | | КПД (Drain Efficiency) | > 45% | При Pout = 125 Вт, 2.35 ГГц | | Напряжение стока (Vd) | 50 В | Типичное рабочее напряжение | | Напряжение затвора (Vg) | Около 3.6 - 4.0 В | Типичное для LDMOS, требует точной настройки | | Линейность (ACPR) | Отличные параметры | Критично для цифровых стандартов связи (LTE) | | Термосопротивление (RthJC) | ~ 0.25 °C/Вт | Характеризует способность отводить тепло | | Сопротивление нагрузки (Ropt) | ~ 2.5 Ом | Оптимальное сопротивление для согласования | | Корпус | Air Cavity CERAMIC (2-lead, Flange) | |

Парт-номера и варианты упаковки

Официальное полное название и варианты могут включать:

• MRF6V2300NBR5 — это основной и полный номер детали (Part Number).
• Часто обозначается просто как MRF6V2300N.
• Поставщики могут указывать его в форматах: MRF6V2300NBR5, MRF6V2300NBR5-001, MRF6V2300N BR5.

Важно: Суффикс BR5 или NBR5 указывает на конкретную ревизию или вариант исполнения. При замене или заказе всегда используйте полный номер.

Совместимые и аналогичные модели (Прямые аналоги и альтернативы)

При поиске замены или аналога важно учитывать не только мощность, но и частотный диапазон, рабочее напряжение, коэффициент усиления и корпус.

1. Прямые аналоги от NXP (Freescale) в том же семействе:

• MRF6V2300NR5 / MRF6V2300NBR5 — это одна и та же модель.
• MRF6V2300NR3 / MRF6V2300NBR3 — предыдущая или альтернативная ревизия (Rev.3). Требуется проверка даташита на полную совместимость.
• MRF6VP2300NR5 — модель из более нового семейства "VP", может иметь улучшенные параметры линейности или эффективности.

2. Аналоги для близких частотных диапазонов от NXP:

• MRF6V20100NR3 / MRF6V20100N — 100 Вт, 2010-2025 МГц (для DCS, Band 3 LTE).
• MRF6V2150NR3 / MRF6V2150N — 150 Вт, 2110-2170 МГц (для WCDMA, Band 1 LTE).
• MRF6V2450NR3 / MRF6V2450N — 130 Вт, 2450 МГц (для WiMAX, ISM 2.45 ГГц).

3. Аналоги от других производителей (Требуют тщательной проверки схемы согласования!):

• Ampleon (ранее RF Power division NXP):
  • BLF6G22-130 — 130 Вт, 2.1-2.7 ГГц. Очень популярный и современный аналог от "наследника" подразделения.
  • BLF6G20-130 — 130 Вт, 1.8-2.2 ГГц.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGH31240F — 120 Вт, DC - 2.5 ГГц. Технология GaN на SiC, более высокая эффективность и ширина полосы, но другая схема питания и смещения.
• MACOM:
  • MHT-2103N — 100 Вт, 2.1-2.7 ГГц (LDMOS).
  • MHT-1003N — 100 Вт, DC - 2.5 ГГц (GaN).
• STMicroelectronics:
  • STAP85025 — 250 Вт, 2300-2400 МГц. Прямой конкурент в том же диапазоне.

Важное примечание по замене

Замена транзистора, даже на указанный "аналог", не является прямой.

• Обязательно требуется:
  1. Изучить даташиты обеих моделей.
  2. Проверить схему смещения (напряжения, токи, последовательность включения для LDMOS).
  3. Проверить и, скорее всего, пересчитать/подстроить входные и выходные согласующие цепи.
  4. Учесть разницу в монтажных размерах и тепловых характеристиках.

MRF6V2300NBR5 остается надежным и проверенным решением для построения мощных усилителей в диапазоне 2.3-2.4 ГГц. При проектировании нового оборудования чаще рассматривают более современные аналоги от Ampleon или GaN-транзисторы.