Freescale MRF6V2150NB

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Freescale/NXP MRF6V2150NB.

Общее описание

MRF6V2150NB — это мощный полевой транзистор на основе нитрида галлия (GaN HEMT), разработанный для выходных каскадов усилителей мощности в профессиональных радиосистемах, базовых станциях и других приложениях, работающих в диапазоне частот 2300-2700 МГц (в первую очередь для сетей LTE Band 7, 38, 41, 42, 43).

Ключевые особенности:

• Технология GaN-on-SiC: Обеспечивает высокую выходную мощность, широкую полосу пропускания, высокую линейность и отличную эффективность по сравнению с традиционными транзисторами LDMOS.
• Внутренняя согласованность: Устройство предварительно согласовано для упрощения проектирования и достижения оптимальной производительности в целевом частотном диапазоне.
• Высокий КПД: Позволяет создавать более энергоэффективные и компактные передатчики с меньшим тепловыделением.
• Керамический фланцевый корпус: Обеспечивает надежный теплоотвод и механическую прочность.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale / NXP Semiconductors | Freescale была приобретена NXP в 2015 г. | | Тип прибора | GaN HEMT (ПТШ на основе нитрида галлия) | | | Класс работы | AB (типично для линейного усиления) | | | Диапазон частот | 2300 - 2700 МГц | Оптимизирован для 2500-2700 МГц | | Выходная мощность (Pout) | 150 Вт (51.8 dBm) | При пиковой мощности (Peak), типично для сигналов LTE | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.0 дБ мин. | @ 2600 МГц, Pout = 10 Вт (40 dBm) | | КПД (Drain Efficiency) | 55% мин. | @ 2600 МГц, Pout = 10 Вт (40 dBm) | | Линейность (ACLR) | -50 дБн (тип.) | Для сигнала LTE, двухканальный агрегат, Pout ~ 10-12 Вт | | Напряжение стока (Vd) | 50 В (номинал) | Типичное рабочее напряжение | | Ток покоя (Idq) | 300 мА (тип.) | | | Термосопротивление (Rth) | 0.4 °C/Вт | От перехода к фланцу | | Корпус | Керамический, фланцевый | Размер фланца и расположение выводов стандартизированы | | Согласование | Внутренне предварительно согласовано | Для 50 Ом в/вых в рабочей полосе |

Парт-номера (Part Numbers) и модификации

Основной парт-номер — MRF6V2150NB. Иногда в спецификациях или на упаковке могут встречаться уточняющие суффиксы, указывающие на упаковку или ревизию, например:

• MRF6V2150NBES — может указывать на конкретную версию/ревизию или тип поставки (лоток/трубка).
• Важно проверять полный номер на упаковке или в документации производителя.

Аналоги от NXP (прямая замена/следующее поколение):

• MRF6V2150NBR5 — Возможно, более новая ревизия или вариант упаковки на катушке (tape-and-reel, R5).
• AFT27S015NR3 — Устройство от NXP, оптимизированное для работы от 28В, но в схожем частотном диапазоне и мощности. Это не прямая замена, но альтернатива для новых разработок с более низким напряжением питания.

Совместимые и конкурирующие модели

При поиске замены или аналога важно учитывать не только мощность и частоту, но и напряжение питания (28В или 50В), корпус и схему согласования.

1. От того же производителя (NXP / Freescale):

• MRF6V20100N / MRF6V20100NB — 100 Вт версия, для диапазона 2000-2200 МГц.
• MRF6V2300N / MRF6V2300NB — 300 Вт версия, для диапазона 2300-2400 МГц. Более мощный, но может требовать другой схемотехники.
• AFT27S015NR3 (уже упомянут) — Модуль Doherty на 15Вт средней мощности, 28В, для диапазона 2.6-2.7 ГГц. Другая архитектура и уровень интеграции.

2. От других производителей (прямые аналоги GaN):

• Wolfspeed (Cree): CGHV27060F (60Вт, 50В, 2.7ГГц) или CGHV59350F (350Вт, 50В, широкополосный). Модели Wolfspeed часто имеют схожие электрические и механические параметры.
• Qorvo: T2G6001528-FS (15Вт ср., 28В, для Doherty) или T1G6005038-FS (50Вт, 38В). Qorvo предлагает много решений под 28/38В.
• Macom (Nitronex): NPTB00004A (40Вт, 50В) или MAGX-000035-130L00 (35Вт). Macom также производит GaN-on-Si транзисторы.
• Ampleon (ранее часть NXP): BLF888E (120Вт, LDMOS, 2300-2700 МГц) — аналог на технологии LDMOS, который может рассматриваться в некоторых случаях, но с другими характеристиками (ниже КПД, уже полоса).

Ключевые области применения

• Выходные каскады усилителей мощности для базовых станций LTE TDD (Band 38, 40, 41, 42, 43) и LTE FDD (Band 7).
• Профессиональные радиосистемы и радиоинфраструктура, работающие в диапазоне S-band (2.3-2.7 ГГц).
• Оборудование для беспроводной передачи данных (точка-точка).

Важное примечание

При замене MRF6V2150NB на аналог необходимо:

1. Внимательно изучить Data Sheet как оригинальной детали, так и кандидата на замену.
2. Проверить соответствие напряжения смещения и рабочих точек.
3. Убедиться в совместимости корпусов и монтажных отверстий.
4. Адаптировать или пересчитать входную и выходную согласующие цепи, так как внутренняя импедансная предварительная согласованность у разных моделей может отличаться.
5. Учесть возможные различия в требованиях к цепи смещения и последовательности включения (особенно для GaN-транзисторов, которые критичны к этому).

Данное описание является сводным. Для проектирования и замены всегда используйте официальную техническую документацию (Datasheet) от производителя.