Freescale MRF6V12250HR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для транзистора Freescale/NXP MRF6V12250HR3.

Общее описание

MRF6V12250HR3 — это мощный радиочастотный транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне NXP Semiconductors). Он разработан специально для использования в выходных каскадах усилителей мощности базовых станций, работающих в диапазоне частот от 2300 до 2700 МГц, что охватывает стандарты LTE (Band 7, 38, 41, 42, 43) и 5G NR в этом спектре.

Ключевая особенность этого транзистора — очень высокая выходная мощность, достигающая 250 Вт в режиме однотонального сигнала, что делает его идеальным для макросотовых базовых станций, требующих большого покрытия. Он поставляется в прочном и термоэффективном керамическом корпусе с фланцем, обеспечивающем хороший отвод тепла и механическую стабильность.

Основные технические характеристики (ТХ)

• Диапазон частот (Frequency Range): 2300 - 2700 МГц
• Выходная мощность (Pout):
  • 250 Вт (минимальная) при работе с однотональным сигналом (CW).
  • Обычно используется для сигналов с высоким коэффициентом пир-фактора (PAR), таких как OFDM в LTE/5G, где средняя выходная мощность ниже, но обеспечивается необходимый запас по линейности.
• КПД (Efficiency):
  • Пиковый КПД (Drain Efficiency) до 55% (типовое значение при P1dB).
  • КПД при работе с модулированным сигналом (например, 2C LTE) — порядка 40-45%.
• Усиление (Gain):
  • 15.5 дБ (типовое) на частоте 2500 МГц при номинальном смещении.
• Линейность:
  • Интермодуляционные искажения 3-го порядка (IMD3): Хорошие показатели, характерные для LDMOS, обеспечивающие высокую линейность в режиме AB.
  • Точка 1 дБ компрессии (P1dB): Высокая, что указывает на хорошую способность усиливать сложные широкополосные сигналы без искажений.
• Напряжение питания (Drain Voltage, Vdd): 50 В (номинальное, типовое рабочее напряжение для LDMOS высокой мощности). Это позволяет снизить ток потребления при высокой мощности.
• Класс усиления: Работает в режиме AB, что обеспечивает оптимальный баланс между КПД и линейностью.
• Сопротивление нагрузки (Оптимальная нагрузка): ~ 1.8 Ом (приводится в даташите для настройки выходной согласующей цепи).
• Тепловое сопротивление (Thermal Resistance, Rth): 0.23 °C/Вт (типовое, корпус-радиатор). Низкое значение, критически важное для отвода большого количества тепла.
• Корпус (Package): Керамический, воздушный, с фланцем. Part Number: 787-02.
• Вход/Выход: Согласованы по постоянному току, но требуют внешних ВЧ согласующих цепей для достижения заявленных характеристик.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Официальные парт-номера и прямые аналоги от NXP/Freescale:

1. MRF6V12250HR3 — Основной и полный номер детали.
2. MRF6V12250HR3R2 — Вероятно, обозначение для поставки на бобине/в упаковке для автоматического монтажа (tape and reel). "R2" — стандартный суффикс NXP для такой поставки.

Важно: Полный номер для заказа обычно включает и суффикс корпуса, но в спецификациях и прайс-листах чаще всего фигурирует базовая часть MRF6V12250HR3.

Совместимые и конкурирующие модели

Прямых "капле-в-каплю" замен с идентичными характеристиками и цоколевкой от других производителей может не существовать из-за патентованной технологии LDMOS и конструкции корпуса. Однако существуют функциональные аналоги и модели для схожих применений от других вендоров, а также другие модели в линейке NXP:

А. От NXP (в том же частотном диапазоне):

• MRF6V12250HR5 / MRF6V12250H — Предыдущие или альтернативные версии того же семейства с возможными незначительными отличиями в характеристиках или корпусе.
• MRF6V14300HR3 / MRF6V14300H — Транзистор на 300 Вт, для приложений, требующих еще большей мощности.
• AFT09MS031NT1 / AFT09MP055NT1 — Модули Doherty от NXP (включающие несколько транзисторов и встроенную схему формирования), которые могут быть использованы как более интегрированное решение на близких частотах.

Б. От других производителей (функциональные аналоги):

• Ampleon (ранее часть NXP):
  • BLF6G22-250 — Мощный LDMOS транзистор на 250 Вт, диапазон 2110-2700 МГц. Прямой и самый близкий конкурент.
  • BLF6G20-250 и другие модели серии BLF6G22/27.
• Wolfspeed (Cree):
  • CGHV59350F2 / CGHV59350F — Транзисторы на основе GaN-on-SiC (нитрид галлия). Предлагают более высокий КПД, полосу пропускания и рабочую температуру, но обычно по более высокой цене и с другими требованиями к схемотехнике. Модели на 250-350 Вт в диапазоне до 3 ГГц.
• Qorvo:
  • TGA2594 — Мощный усилитель на GaN, но часто в корпусах для микроволновых интегральных схем (MMIC), что предполагает иной подход к проектированию.
• MACOM:
  • MAGL-002725-250L00 — LDMOS/GaN-транзисторы для схожих приложений.

Ключевые области применения:

• Выходные каскады усилителей мощности базовых станций LTE (Band 7, 38, 41).
• Базовые станции 5G NR в диапазонах n7, n38, n41, n77 (частично), n78 (частично).
• Оборудование для повторителей (репитеров) и активных антенных систем (AAS, Active Antenna Systems).
• Прочее телекоммуникационное оборудование высокой мощности, работающее в S-диапазоне.

Важное примечание: Замена на аналог, даже функциональный, всегда требует пересмотра и повторной настройки ВЧ тракта (согласующих цепей, смещения, термостабилизации), так как электрические параметры, ёмкости и оптимальные импедансы нагрузки могут отличаться. Необходимо руководствоваться официальными даташитами и рекомендациями производителей.