Freescale MRF6S21140HR3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Freescale MRF6S21140HR3.

Описание

MRF6S21140HR3 — это мощный RF N-канальный LDMOS транзистор, разработанный для использования в выходных каскадах усилителей мощности в промышленных, научных и медицинских (ISM) приложениях, а также в системах радиосвязи.

Ключевые особенности:

• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от Freescale (ныне NXP). Эта технология обеспечивает высокую выходную мощность, хорошую линейность, широкую полосу пропускания и устойчивость к рассогласованию нагрузки.
• Назначение: Предназначен для работы в частотном диапазоне 2110 - 2170 МГц, что делает его идеальным для базовых станций стандартов UMTS (3G) и LTE (4G) в полосе Band 1 (2100 МГц).
• Корпус: Выполнен в высокочастотном керамическом корпусе с фланцем (формат NI-780), обеспечивающем эффективный отвод тепла и низкую паразитную индуктивность.
• Ключевое преимущество: Внутренняя согласующая цепь, оптимизированная для работы в указанном частотном диапазоне, что упрощает проектирование выходного каскада.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия измерения / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Частотный диапазон | 2110 - 2170 МГц | Рабочий диапазон | | Класс усиления | AB | Типичный режим для линейного усиления | | Выходная мощность (Pout) | 140 Вт (51.5 dBm) | Средняя мощность при многоканальном сигнале (W-CDMA) | | Коэффициент усиления (Gain) | 17.0 дБ (мин.) | При Pout = 140 Вт, 2150 МГц | | КПД (Drain Efficiency) | 45% (тип.) | При Pout = 140 Вт, 2150 МГц | | Линейность (ACLR) | -33 дБн (тип.) | Для сигнала W-CDMA, ±5 МГц от несущей | | Напряжение питания (Vdd) | +28 В / +32 В | Стандартное напряжение питания для LDMOS | | Ток покоя (Idq) | 1400 мА (тип.) | Настраиваемый параметр | | Сопротивление канала | Rds(on) ~ 18 мОм | Характеристика ключевого режима | | Термическое сопротивление (Rth) | 0.3 °C/Вт | Корпус к теплоотводу (junction-to-case) | | Схема согласования | Внутренняя, вход/выход | Оптимизирована для полосы 2110-2170 МГц | | Класс защиты (ESD) | 1 класс (до 500 В) | Чувствительный компонент, требуются меры предосторожности |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько стандартных парт-номеров, которые обозначают один и тот же кристалл в разных вариантах упаковки или с разной маркировкой.

• MRF6S21140HR3 — Основной и полный номер по каталогу.
• MRF6S21140H — Часто используется как сокращенное обозначение той же модели.
• MRF6S21140HR3-771 — Номер, включающий в себя код упаковки или специфичную партию.

Важно: На самом корпусе транзистора из-за ограниченного места часто наносится сокращенная маркировка, например: 6S21140H или подобная.

Совместимые и аналогичные модели

При замене или новом проектировании можно рассматривать следующие модели, которые являются либо аналогами, либо близкими по характеристикам решениями для смежных частотных диапазонов.

1. От того же производителя (NXP / Freescale):

• MRF6S21140H — Это фактически та же модель (см. выше).
• MRF6S20010H / MRF6S20010NR3 — Мощность 10 Вт, для драйверных каскадов в том же диапазоне.
• MRF6S20140HR3 — Аналогичная мощность (140 Вт), но для диапазона 1930 - 1990 МГц (PCS, Band 2/25).
• MRF6S19140HR3 — Аналогичная мощность (140 Вт), для диапазона 1840 - 1900 МГц (DCS, Band 3).
• MRF7S21140HR3 — Усовершенствованная модель 7-го поколения LDMOS с улучшенной линейностью и КПД для того же диапазона.

2. От других производителей (функциональные аналоги):

• Ampleon (ранее RF Power division NXP): Поскольку NXP выделила RF Power в отдельную компанию Ampleon, многие аналоги теперь выпускаются под этим брендом. Модели серий BLF6G21-140, BLF7G21-140 являются прямыми эволюционными аналогами с улучшенными параметрами.
• Wolfspeed (Cree): Модели на основе технологии GaN (Нитрид Галлия), например, CGH31240F или CGHV59350F. Они предлагают более высокую мощность, КПД и ширину полосы, но требуют пересмотра схемотехники и, как правило, дороже.
• MACOM: Имеют широкую линейку LDMOS и GaN транзисторов для инфраструктуры, например, MHT-2103S или GaN-модели серии MAGx.

Важные примечания для применения:

1. Схема смещения: Требует стабильного, правильно спроектированного источника смещения с управлением током покоя (Idq).
2. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательно использование качественного радиатора с термопастой. Момент затяжки винтов фланца критически важен.
3. ВЧ-тракт: Необходима качественная разводка печатной платы с использованием материалов типа Rogers RO4350B или аналогичных, с учетом требований по согласованию импеданса.
4. ESD защита: Компонент очень чувствителен к статическому электричеству. Все работы должны проводиться с соблюдением антистатических мер.

Данный транзистор является проверенным и надежным решением для построения выходных каскадов усилителей мощности в оборудовании беспроводной инфраструктуры, работающем в диапазоне 2100 МГц.