Freescale MRF6S19140H
тел. +7(499)347-04-82
Описание Freescale MRF6S19140H
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для транзистора Freescale/NXP MRF6S19140H.
Общее описание
MRF6S19140H — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs), выполненный по технологии pHEMT (псевдоморфный высокоподвижный электронный транзистор). Он предназначен для использования в выходных каскадах усилителей мощности (PA) в профессиональном радиооборудовании, базовых станциях и другой инфраструктуре связи.
Ключевое назначение: Усиление сигналов в диапазонах 1805-1880 МГц (преимущественно для стандартов DCS, PCS, UMTS, LTE). Это специализированный компонент для сектора телекоммуникационной инфраструктуры.
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение / Описание | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Freescale Semiconductor (ныне часть NXP Semiconductors) | | | Тип транзистора | GaAs pHEMT | Высокая частота, высокий КПД | | Диапазон частот | 1805 - 1880 МГц | Оптимизирован под DCS/PCS | | Выходная мощность (P3dB) | 140 Вт (51.5 dBm) мин. | Типичная мощность на 3-й точке компрессии | | Коэффициент усиления (Gps) | 17.0 дБ мин. | При типичных условиях работы | | КПД (Drain Efficiency) | 50% тип. | Высокий КПД снижает тепловыделение | | Рабочее напряжение (Vdd) | +28 В | Стандартное для мощных RF-транзисторов | | Класс усиления | Класс AB | Баланс между линейностью и КПД | | Сопротивление канала | 0.2 Ом (тип.) | Низкое сопротивление в открытом состоянии | | Линейность (IMD3) | -35 dBc тип. | При определенных условиях теста (важно для многоканальных систем) | | Корпус | Air Cavity Ceramic Package (SOT-1190A / 297F) | Пластиковый корпус с керамической крышкой для низких потерь, требует внешнего теплоотвода | | Монтаж | Поверхностный (SMT), с фланцем для крепления радиатора | | | Мatching | Внутренне согласован для входного импеданса ~5 Ом, что упрощает проектирование ВЧ-тракта. | |
Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели
Этот транзистор является частью семейства, и существуют аналогичные модели для других частотных диапазонов и мощностей. Прямых 100% совместимых аналогов с другим порядковым номером обычно нет, но есть модели, которые можно использовать в схожих схемах при перенастройке.
1. Парт-номера в рамках одного семейства (NXP/Freescale):
- MRF6S19140HS / MRF6S19140HSR3 / MRF6S19140HSR6 — это тот же самый транзистор с различными суффиксами, обозначающими вариант поставки (на ленте, в тубе, количество в катушке). HS — стандартный вариант.
- R3 — на ленте (Tape & Reel), 3 штуки на катушке (редко).
- R6 — на ленте (Tape & Reel), 6 штук на катушке.
- MRF6S19140N — более новая ревизия или вариант в другом корпусе (стоит уточнять в даташите).
2. Совместимые / Аналогичные модели по применению (от NXP):
Эти модели рассчитаны на схожие диапазоны и мощности, могут быть использованы в аналогичных проектах:
- MRF6S21140H / MRF6S21140HR6 — Мощный транзистор на 2110-2170 МГц (UMTS2100). Частотный диапазон другой, но корпус и многие параметры схожи.
- MRF6S18140H — Модель для диапазона 1930-1990 МГц (PCS).
- MRF6S20060H / MRF6S20060NR6 — Модель на 60 Вт для диапазона 2010-2025 МГц (другие стандарты).
- MRF6S20140H — Модель на 140 Вт для диапазона 2010-2025 МГц.
3. Аналоги от других производителей (Функциональная совместимость):
Внимание! Замена на аналог от другого производителя всегда требует пересмотра и настройки ВЧ-тракта (matching network) и, возможно, смещения. Это инженерная задача.
- Ampleon (ранее часть NXP):
- BLF6G19-140 / BLF6G19-140G — Прямой и очень близкий аналог от компании, которая унаследовала многие линейки RF-мощности от NXP. Часто используется как замена.
- Wolfspeed (Cree):
- CGH31240F — Транзистор на основе GaN (нитрид галлия). Имеет более высокий КПД и мощность, но другую технологию и требует иной схемотехники (особенно смещения). Это следующее поколение компонентов.
- Qorvo:
- TGA2214-CP / TGA2214-SM — Мощные усилители на GaN в корпусе. Не pin-to-pin совместимы, но покрывают схожие частоты.
- MACOM:
- MAGX-001039-140L00 — Мощный транзистор на GaAs/GaN для схожих применений.
Важные примечания для применения:
- Теплоотвод: Компонент рассеивает значительную мощность (десятки ватт). Обязательно требуется качественный монтаж на массивный радиатор с использованием термопасты. Момент затяжки винтов фланца критически важен.
- Статическое электричество (ESD): GaAs pHEMT-транзисторы очень чувствительны к статическому разряду. Необходимы все меры ESD-защиты при работе.
- Цепь смещения: Требуется правильно спроектированная последовательная цепь смещения затвора (обычно отрицательное напряжение для отсечки) и стабилизированное питание стока с защитой от перенапряжения и ВЧ-наводок.
- ВЧ-согласование: Несмотря на внутреннюю предварительную оптимизацию, для достижения заявленных характеристик необходима точная внешняя согласующая цепь на печатной плате.
- Актуальность: Модель MRF6S19140H является зрелым и проверенным продуктом, но для новых разработок рекомендуется рассматривать более современные аналоги на технологии GaN (например, от Wolfspeed или Ampleon), которые предлагают лучшую эффективность и широкополосность.
Для окончательного выбора аналога и проектирования схемы необходимо изучать актуальные даташиты от производителей и проводить тестирование на макете.